إن فهم الخصائص المتأصلة والموجودة للمواد شبه الموصلات أمر أساسي لتطبيقها في الأجهزة الإلكترونية، وتؤثر هذه الممتلكات على كيفية قيام الموصلات شبه الموصلات بالكهرباء والاستجابة للمواطن الخارجي، وترسم هذه المادة الخطوط العريضة للطرق التي يمكن بها تحديد هذه الممتلكات بدقة.

Intrinsic Properties of Semiconductors

وتكتسي الممتلكات الأساسية طابعاً أصيلاً في المواد شبه الموصلية الخالصة، وتشمل معايير مثل طاقة الفجوة في النطاقات، والتركيزات الكهربائية والتحركات الكهربائية، ويمكن قياس هذه الممتلكات من خلال تقنيات تجريبية مختلفة.

أساليب تحديد الممتلكات الأساسية

وللحد من الممتلكات المتأصلة، تستخدم الأساليب التالية عادة:

  • Optical Abectroscopy:] Measures the band gap energy by analyzing the absorption of light at different wavelengths.
  • Hll Effect Measurements: Determines carrier concentration and mobility by applying a magnetic field and measuring the resulting voltage.
  • Temperature-Dependent Conductivity:] Assesses how electrical conductivity varies with temperature to infer intrinsic behavior.

Extrinsic Properties of Semiconductors

وتتأثر الممتلكات الجاهزة بالأورام أو المشابكات المضافة إلى شبه الموصل، وتشمل هذه الممتلكات تركيزاً من الدافع، ونوعاً من السلوكيات (من النوع أو من نوعه)، والتغيرات في السلوك الكهربائي.

أساليب تحديد الممتلكات المتقادمة

وتستخدم التقنيات التالية لتحليل الممتلكات المتأصلة:

  • Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS): Measures dopant concentration and distribution within the material.
  • Electrical Conductivity Measurements:] Evaluates changes in conductivity due to doping levels.
  • Capacitance-Voltage (C-V) Profiling:] Determines dopant profiles and concentration gradients.