الهندسة الكهربائية والإلكترونية
التفاهم Mosfet القدرات: حسابات للمفاتيح العالية السرعة
Table of Contents
ويعتبر فهم قدرة نظام إدارة الدعم الميداني أمرا أساسيا لتصميم الدوائر التي تتطلب تبديلا عالي السرعة، وتساعد الحسابات الدقيقة على تحقيق الحد الأمثل من الأداء والحد من فقدان السلطة، وتقدم هذه المادة لمحة عامة عن المفاهيم الرئيسية وأساليب الحساب المتصلة باكتساب نظام إدارة الدعم الميداني.
أنواع قدرة نظام الرصد والتحقق
MSFETs have three main capacitances: gate-to-source (Cgs), gate-to-drain (C)gd), and drain-to-source (C[FLage:4]ds influence these capac
حساب قدرة البوابة
ويمكن تقدير غطاء البوابة إلى المصدر (Cgs ) باستخدام غطاء أكسيد البواب لكل منطقة وحدة (C]ox) ومنطقة البواب (A):
Cgs ng ox × A]]
Where Cox is calculated as:
Cox = / / ]ox] / t]]ox]
الأثر على سرعة التبديل
ويؤثر القدرة على تبديل الوقت الذي تستغرقه حركة القوى المتعددة الجنسيات في تيمور الشرقية، ويمنح الوقت الثابت ما يلي:
{ } { { } { { } { } { } { { } { { } { } { { } { { } { { } { } { } { { } { { }
حيث المقاومة في الدائرة، يؤدي انخفاض القدرة إلى التبديل السريع، وهو أمر حاسم في التطبيقات العالية السرعة.
نموذج الحساب العملي
Given a MOSFET with a gate oxide fishness of 2 nm and an oxide dielectric constant (eox]) of 3.9 × 8.85 × 10]-12]] F/m, and a gate area of 10 mim kims,
Cox = (3.9 × 8.85 × 10]-12]) / (2 × 10-9) = 1.72 × 10-3
A = 10 ميكروم x 10 ميكروم = 1 x 10 -10] m]2]]
Cgs ng.72 × 10]-3 × 10-10]= 1.72 × 10-13