إن فهم الإمكانات المبنيّة في المقاطع شبه الموصلات أمر أساسي لتصميم الأجهزة الإلكترونية وتحليلها، وتستكشف هذه المادة أساليب عملية لتحديد هذا البارمتر الهام بدقة.

المنهجية 1: قياس القدرة على العمل

ويشتمل قياس الأشعة السينية على تحليل منطقة النضوب في حمى، ومن خلال تطبيق تحيز عكسي وقياس القدرة على الدفع، يمكن حساب الإمكانات المبنيّة باستخدام العلاقة:

V bi = (kT/q) * ln(N A * N D / n i2) + V R]

حيث تكون القدرة على الدمج في الموقع، فإن تركيزات السحب من الـ (ن.أ) و(ن.د) هي تركيزات الحامض الصناعي، و(ف.ر) هي التحيز العكسي المطبق، ورموز أخرى لها معانيها المعتادة.

الطريقة 2: طريقة سيرة مفتوحة

وهذه الطريقة تُقيس الفول الدائري المفتوح الذي يُستخدم في وضع تحت الترميز، وتتصل هذه المادة بالقدرات التي تُبنى في المعادلة:

V OC œV bi - (kT/q) * ln(L / I 0)]

هنا، أنا حرف الـ (إي إل) هو الصورة، و أنا حرف (أو) هي التيار التشبع، وبقياس (V OC) ومعرفة القيم الحالية، يمكن تقدير (V bi).

المنهجية 3: الاكتشافات والتصوير الضوئي

وتشمل الأساليب البصرية تحليل مطياف انبعاثات الملتقى، وتتصل ذروة الانبعاث بالثغرة في الطاقة، التي يمكن استخدامها لتحديد الإمكانات المبنية بصورة غير مباشرة.

وهذه الأساليب مفيدة بالنسبة للمواد التي تكون فيها القياسات الكهربائية صعبة.

موجز

  • قياس القدرات والمجلات
  • طريقة سيرة مفتوحة
  • تحليل الانبعاثات الأفيونية