إن فهم عتبات التحول إلى الفولطية للمترجمين التحريريين أمر أساسي لتصميم محولات فعالة للطاقة، ولأجهزة نقل السيليكون والغيليوم خصائص مختلفة تؤثر على سلوكها المتحول وأدائها العام.

Silicon Transistor Turn-On Voltage

وعادة ما يكون لمترجمي السيليكون فولتاج عتبة يتراوح بين 0.7V و 1.5V. وهذا الفولط هو الحد الأدنى من البوابة إلى المصدر المطلوب لتحويل المترجم إلى التدفق الحالي والسماح به، وتتوقف القيمة الدقيقة على الجهاز المحدد وعملية التصنيع الخاصة به.

وكثيرا ما ينظر المصممون في هامش أعلى من عتبة الفولط لضمان التبديل الموثوق به، فعلى سبيل المثال، قد يدفع جهاز النسيليكون MSFET بمركبة من البوابة 10V ليشغلها بالكامل، فوق عتبةها بكثير.

GN Transistor Turn-On Voltage

وعادة ما يكون لمترجمي الغيليوم نيتريد ارتفاعا في مستوى الفولط، حيث يتراوح عادة بين 2V و4V. وهي تتطلب زيادة في حجم البوابة إلى المصدر لكي يتحولوا إليها، ولكن بمجرد تنشيطها، يقدمون خدمات أقل على مستوى المقاومة ويسرعوا في التحول.

وهذه السمة تجعل مترجمي الغازات مناسبة للتطبيقات العالية التردد وتحويل الطاقة العالية الكفاءة، والفولط المتحرك للبوابات الصالحة للصرف هو أمر حاسم الأهمية للاستفادة الكاملة من مزاياها.

حساب الحواجز في المتحولين

لتحديد عتبة الفولطية في محول، والنظر في مواصفات سجل بيانات المترجم، ودرجة الفولطية القصوى (V)

وبالنسبة لمترجمي السليكون، فإن هناك تركيبة نموذجية من طراز 10V، توفر هامش أمان أعلى من العتبة، وبالنسبة لمترجمي شبكة غانان، فإن ارتفاعاً في المحرك يتراوح بين 4V و 5V غالباً ما يكون كافياً، ولكن بعض التصميمات قد تتطلب قدراً أكبر من الفولط من أجل التصريف الكامل.

  • تحقق من صحيفة بيانات المترجم لـ V]th.]
  • Ensure gate drive voltage exceeds Vth] by a safe margin.
  • فقط قم بجولة القيادة بناء على شروط التحويل
  • اعتبر تأثيرات الحرارة على ارتفاع العتبة