ويعتبر فهم الفولط المقطعي والفولط المشبع في أجهزة نقل العصي ثنائية القطب أمرا أساسيا لتصميم دوائر تحويل موثوقة، وتحدد هذه البارامترات مناطق تشغيل المقاول وتؤثر على كفاءة الدائرة واستقرارها.

مقطوفة فولتاج في بي جي تي سويتس

The cutoff voltage is the minimum base-emitter voltage (VBE) required to turn the transistor on. When V]BE]]]]] is below this threshold, the transistor remains in the cutoff region, acting as an open shift.

ولضمان أن يتحول المترجم إلى مطفأة تماما، ينبغي إبقاء الفولط الأساسي تحت هذا المستوى المخفض، ويمنع التحيز السليم السلوك غير المقصود ويقلل من استهلاك الطاقة.

الاضطرابات في مفاتح BJT

The saturation voltage (VCE(sat)]) is the collector-emitter voltage when the transistor is fully on. It indicates the voltage drop across the transistor in the saturation region, typically around 0.1 to 0.3 volts for silicon BJTs.

Achieving a low VCE(sat)] is crucial for efficient shifting, as it minimizes power loss. To reach saturation, the base current must be sufficiently high, often a multiple of the required collector current, to ensure the transistor is driven deep into saturation.

حساب فولتس للتصميم الآلي

ويشمل تصميم مفتاح قوي لصرف المركبات بين الجنسين اختيار القاعدة وفولات المجمع التي تحدد بوضوح مناطق الخفض والتشبع، ويشمل ذلك ضمان أن يتجاوز حجم العجلة الأساسية عتبة الخفض خلال الولايات التي توجد فيها، وأن يظل أقل من ذلك خلال ولايات القوات المسلحة الأجنبية.

وبالإضافة إلى ذلك، فإن تحديد التباينات في بارامترات الترجمات وآثار درجات الحرارة أمر هام، إذ أن استخدام هوامش الفولط المحافظ يساعد على الحفاظ على التشغيل الموثوق به في مختلف الظروف.

موجز المجلدات الرئيسية

  • Cutoff Voltage (V]BE): 0.6-6-0.7 V for silicon BJTs
  • Saturation Voltage (V]CE(sat)]]:
  • Base Drive Voltage: يجب أن يكون فوق المقطع ليتحول
  • Collector-Emitter Voltage: ينبغي أن يكون أقل من V]CE(sat) في حالة التشبع