Transistorverstärker, insbesondere solche, die bipolare Sperrschichttransistoren (BJT) verwenden, sind von grundlegender Bedeutung für elektronische Schaltungen. Um eine optimale Spannungsverstärkung zu erreichen, müssen die wichtigsten Konstruktionsprinzipien verstanden und praktische Techniken angewandt werden. Dieser Artikel untersucht wesentliche Konzepte zur Optimierung der BJT-Spannungsverstärkung.

Verständnis BJT Spannungsgewinn

Die Spannungsverstärkung eines BJT-Verstärkers ist das Verhältnis von Ausgangsspannungsänderung zu Eingangsspannungsänderung, das von den Eigenschaften des Transistors und den umgebenden Schaltungskomponenten abhängt.

Designprinzipien zur Optimierung

Die Auswahl der Biaspunkte, die den Betrieb des Transistors in seinem aktiven Bereich sicherstellen, erhöht die Spannungsverstärkung, verringert jedoch die Bandbreite, und die Minimierung der parasitären Kapazitäten tragen ebenfalls zu einer höheren Verstärkung bei.

Praktische Techniken und Beispiele

Die Verwendung einer gemeinsamen Emitteranordnung mit einem hohen Kollektorlastwiderstand ist üblich, um eine hohe Spannungsverstärkung zu erreichen. Beispielsweise kann eine Schaltung mit einem Kollektorwiderstand von 10 kΩ und einem richtig vorgespannten Transistor eine Spannungsverstärkung von über dem 50-fachen ergeben.

  • Richtige Vorspannung in der aktiven Region
  • Wahl hoher Lastwiderstände
  • Verwendung von Bypass-Kondensatoren
  • Minimierung parasitärer Kapazitäten
  • Gewährleistung der thermischen Stabilität