Das Verständnis der Trenn- und Sättigungsspannungen von Transistoren ist für die Entwicklung effizienter Schaltkreise von wesentlicher Bedeutung, da diese Parameter bestimmen, wann ein Transistor zwischen seinem Ein- und Ausschaltzustand wechselt und sich auf die Leistung der Schaltung und den Stromverbrauch auswirken.

Transistor-Abschaltspannung

Die Grenzspannung ist die minimale Basis-Emitter-Spannung (VBE), bei der der Transistor nicht mehr leitend ist, wobei der Kollektorstrom (IC) im Wesentlichen Null ist und sich der Transistor wie ein offener Schalter verhält.

Um die Grenzspannung zu bestimmen, überprüfen Sie das Datenblatt des Transistors auf den angegebenen VBE-Schwellenwert.

Transistorsättigungsspannung

Die Sättigungsspannung (VCE(sat)) ist die Spannung am Kollektor-Emitter-Übergang, wenn der Transistor voll eingeschaltet ist. Sie zeigt den geringsten Spannungsabfall und maximalen Stromfluss durch das Gerät an.

Um VCE(sat) zu finden, konsultieren Sie das Datenblatt für die typische Sättigungsspannung bei einem gegebenen Kollektorstrom.

Berechnung von Spannungen in Schaltungen

Um beispielsweise die Sättigung zu gewährleisten, sollte der Basisstrom (IB) folgende Anforderungen erfüllen:

  • IB ≥ IC / hFE

Zur Bestimmung des Cutoffs ist zu überprüfen, ob die Basisspannung unter dem Schwellenwert liegt, um einen Basisstromfluss zu verhindern.