Comprender la caída de tensión avanzada (V]F] en diodos es esencial para diseñar circuitos electrónicos fiables. Los diodos de silicona y Schottky tienen características de tensión diferentes que influyen en su rendimiento en diversas aplicaciones. Este artículo proporciona un enfoque práctico para calcular la caída de tensión de avance para estos diodos.

Caída de tensión en los Diodos de silicona

Los diodos de silicona suelen tener una caída de tensión hacia delante alrededor de 0,7 voltios al realizar. Este valor puede variar dependiendo del paso actual a través del diodo y las condiciones de temperatura.Para estimar VF, se puede utilizar una simple aproximación:

VF ♥ 0,7 V + (0.02 V × I)

donde soy la corriente de avance en los milliamps. Para fines más prácticos, utilizar 0.7 V como un valor estándar basta a menos que sean necesarios cálculos precisos.

Caída de tensión avanzada en Diodes Schottky

Los diodos Schottky generalmente tienen una tensión de avance inferior, típicamente entre 0,2 y 0,3 voltios. Su caída de tensión se ve menos afectada por las variaciones de temperatura y corriente en comparación con los diodos de silicio.

VF ♥ 0,2 V + (0.01 V × I)

De nuevo, soy la corriente de avance en los milliamps. Para estimaciones rápidas, suponiendo que 0.3 V proporciona un valor conservador.

Consejos de cálculo prácticos

Al calcular la caída de tensión de avance, considere la corriente actual en su circuito. Utilice las fórmulas aproximadas para estimaciones rápidas, pero para el diseño detallado, consulte la hoja de datos del diodo para la V exactaF a corrientes y temperaturas específicas.

La temperatura aumenta generalmente el voltaje hacia adelante en diodos de silicio, mientras que los diodos de Schottky son menos afectados.