Calculando resistencia (rds(on)) para la selección eficiente de mosfet en el diseño de circuito

Elegir el MOSFET adecuado para un circuito implica entender su resistencia, conocida como Rds(on). Este parámetro afecta la eficiencia de la energía y la generación de calor. El cálculo exacto de Rds(on) ayuda a seleccionar un dispositivo que cumple con los requisitos de rendimiento al minimizar la pérdida de energía.

Comprender los Rds(on)

Rds(on) es la resistencia entre el drenaje y los terminales de origen cuando el MOSFET está completamente encendido. Los valores inferiores Rds(on) indican una mejor conducción con menos disipación de potencia. Este parámetro se especifica en la hoja de datos y varía con la temperatura y el voltaje de la puerta.

Calculando Rds(on) en el diseño de circuito

Para calcular los Rds(on) efectivos en un circuito, considere el valor máximo Rds(on) proporcionado por el fabricante a un voltaje de puerta especificado. Ajuste para efectos de temperatura y condiciones de funcionamiento. La fórmula es sencilla:

Effective Rds(on) = Rds(on) at specified conditions

Factores que influyen en la selección de Rds(on)

• Voltaje de gato: Asegurar que el voltaje de la unidad de puerta sea suficiente para encender completamente el MOSFET, minimizando los Rds(on).
• Temperatura: Rds(on) aumenta con la temperatura, por lo que considera la gestión térmica.
• Requisitos actuales: Seleccione un MOSFET con Rds(on) lo suficientemente bajo como para manejar la corriente de carga máxima de manera eficiente.
• Disipación de potencia: Calcular la pérdida de energía utilizando P = I2 × Rds(on) para garantizar que los límites térmicos no se excedan.