Los transistores de campo-efecto de metal-Oxide-Semiconductor (MOSFETs) son ampliamente utilizados en la electrónica de energía. Una característica clave de muchos MOSFETs es el diodo corporal, que permite que la corriente fluya en la dirección inversa. Entender el comportamiento de estos diodos, especialmente durante el cambio, es esencial para el diseño y operación eficiente de circuitos.

¿Qué son los dedos del cuerpo de MOSFET?

El diodo corporal es un componente intrínseco de la estructura MOSFET. Se forma entre las regiones de drenaje y fuente y siempre está presente en el dispositivo. Este diodo conduce cuando el voltaje en el drenaje supera el voltaje en la fuente en la dirección inversa, proporcionando un camino para la corriente.

Phenomenon de recuperación inversa

Durante el cambio, el diodo corporal puede experimentar recuperación inversa, que es el proceso del diodo que se cambia de conducir a estado de bloqueo. Esta transición implica carga almacenada en la unión del diodo, lo que conduce a un breve pico de corriente. La recuperación inversa puede causar picos de tensión y mayores pérdidas de conmutación.

Gestión de la recuperación inversa

Para minimizar los efectos de la recuperación inversa, los ingenieros pueden adoptar varias estrategias:

  • Seleccionar MOSFETs con bajo coste de recuperación inversa:] Los dispositivos diseñados con características de diodo de cuerpo optimizadas reducen las pérdidas de conmutación.
  • Ejecución de circuitos de snubber: Estos circuitos absorben los picos de tensión causados por las corrientes de recuperación inversa.
  • Controlar las velocidades de conmutación: El conmutador de menor velocidad reduce la corriente de recuperación inversa de los diodos, pero puede afectar la eficiencia.
  • Usando rectificación sincronizada: Replacing body diodes with actively controlled MOSFETs can significantly lower losses.