Pour concevoir des circuits électroniques efficaces, il est essentiel de comprendre comment calculer la résistance à la gaine et à la sortie dans les amplificateurs bipolaires de transistors de jonction (BJT). Ces paramètres influencent la performance et la stabilité de l'amplificateur.

Calcul du gain de tension

Le gain de tension (Av) d'un amplificateur BJT peut être approximatif à l'aide du modèle à petit signal. Il est principalement déterminé par la résistance du collecteur (RC) et l'impédance d'entrée du transistor.

La formule de base est la suivante :

Av - (R[C/rπ)

où rπ est la résistance d'entrée qui examine la base, calculée comme suit:

rπ = β / gm

β étant le gain courant et gm la transconductivité, qui peut être approximative par:

gm = I[C / Vt

Calcul de la résistance de sortie

La résistance de sortie (Rout) d'un amplificateur BJT est influencée par les caractéristiques de sortie du transistor et par la résistance du collecteur.

Rout -o-C

où ro est la résistance de sortie à petit signal du transistor, souvent estimée par:

ro = V[A/IC

Étapes pratiques de calcul

Pour déterminer la résistance au gain et à la sortie, suivez ces étapes :

  • Identifier la résistance du collecteur (R[C) et le courant de biais (IC.
  • Calculer gm en utilisant I[C[ et V[t (environ 25 mV à température ambiante).
  • Déterminer rπ en utilisant β et gm.
  • Calculer le gain de tension avec la formule Av - (R[C[ / rπ).
  • Estimation de ro en utilisant la tension de début (VA) et I[C.
  • Calculer Rout[ comme ro en parallèle avec RC.