Calcul de la résistance (rds(on)) pour une sélection efficace de mousse dans la conception de circuits

Le choix du MOSFET approprié pour un circuit implique de comprendre sa résistance, connue sous le nom de Rds(on). Ce paramètre affecte l'efficacité énergétique et la production de chaleur.

Comprendre les règles(on)

Rds(on) est la résistance entre les bornes de drainage et de source lorsque le MOSFET est complètement activé. Les valeurs inférieures de Rds(on) indiquent une meilleure conduction avec moins de dissipation de puissance. Ce paramètre est spécifié dans la feuille de données et varie en fonction de la température et de la tension de la grille.

Calcul des Rds(on) dans la conception du circuit

Pour calculer le Rds(on) effectif dans un circuit, il faut tenir compte de la valeur maximale de Rds(on) fournie par le fabricant à une tension de porte spécifiée.

Rds(on) effectif =Rds(on) à des conditions spécifiées

Facteurs influant sur la sélection des rad(on)

• Gate Tension:[ Assurez-vous que la tension de l'entraînement de la porte est suffisante pour allumer complètement le MOSFET, minimisant ainsi les Rds(on).
• Température: Rds(on) augmente avec la température, alors considérez la gestion thermique.
• Exigences actuelles: Sélectionnez un MOSFET avec Rds(on) assez bas pour gérer efficacement le courant de charge maximal.
• Dissipation de puissance:[ Calculer la perte de puissance en utilisant P = I2 × Rds(on) pour s'assurer que les limites thermiques ne sont pas dépassées.