Il est essentiel de comprendre comment calculer la résistance à l'entrée et à l'entrée/sortie des transistors bipolaires de jonction (BJT) pour concevoir et analyser les circuits électroniques, qui influent sur la performance et la stabilité des amplificateurs et autres dispositifs basés sur BJT.

Gain dans les transistors bipolaires de jonction

Le gain courant, souvent désigné comme β (beta), est le rapport du courant collecteur (IC) au courant de base (IB. Il indique la quantité de transistor amplifie le signal d'entrée.

Le gain de tension dépend de la configuration du circuit et de la résistance à la charge. Dans les configurations d'émetteurs communs, le gain de tension (A[v peut être estimé comme suit:

v -gm R[C

où gm est la transconductivité et RC est la résistance à la charge du collecteur.

Résistance à l'entrée des BJT

La résistance d'entrée (rin) d'un BJT est la résistance observée en regardant le terminal de base. Elle est principalement déterminée par la jonction base-émitter et le gain de courant du transistor.

Pour l'analyse de petits signaux, rin peut être approché comme suit:

dans --- = β / gm

Résistance à la sortie des BJT

La résistance de sortie (rout[) est la résistance qui regarde dans le terminal collecteur. Elle affecte la régulation de tension et gagne la stabilité du circuit.

Dans les modèles à petits signaux, r[out[ est souvent approché par la résistance du collecteur R[C parallèlement à la résistance de sortie intrinsèque du transistor r[o.

  • Gain dépend de la configuration et de la charge du circuit
  • La résistance à l'entrée est principalement déterminée par la jonction base-émitter
  • La résistance à la sortie influence la régulation de la tension
  • β (beta) est un paramètre clé pour l'amplification actuelle