La résistance (Rds(on)) est un paramètre important des dispositifs MOSFET, indiquant la résistance entre le drain et la source lorsque le dispositif est allumé. Le calcul précis de Rds(on) aide à concevoir des circuits efficaces et à sélectionner les composants appropriés.

Comprendre la résistance

La résistance à l'arrêt est influencée par les propriétés physiques et les conditions de fonctionnement de l'appareil. Elle affecte la dissipation de puissance et la production de chaleur dans le MOSFET. Des valeurs de Rds(on) inférieures sont souhaitables pour des applications à haut rendement.

Étapes à suivre pour calculer la résistance

Pour calculer Rds(on), mesurer la chute de tension à travers les bornes de drainage et de source lorsque le MOSFET est complètement allumé et diviser par le courant de drainage.

Rds(on) = Vds/Id

Considérations pratiques

Mesurez la tension et le courant dans des conditions stables pour obtenir des valeurs précises de Rds(on). La température affecte également la résistance; effectuez des mesures à la température de fonctionnement prévue.

Conseils supplémentaires

  • Utilisez un multimètre précis ou un appareil de mesure de source pour les mesures.
  • Effectuer des essais à la tension nominale de la barrière de l'appareil.
  • Enregistrer les mesures à différents courants pour observer la linéarité.
  • Considérez les effets thermiques lors des essais à haute intensité.