Les MOSFET sont largement utilisés dans les circuits électroniques pour la commutation et l'amplification. Comprendre les modes de défaillance contribue à améliorer la fiabilité et la conception. Cet article présente des exemples du monde réel d'analyse de défaillance MOSFET, en mettant l'accent sur la surchauffe et la dérive des paramètres.

Défauts de surchauffe

La surchauffe est une cause courante de défaillance MOSFET. Une chaleur excessive peut endommager la jonction semi-conducteur, entraînant une dégradation ou une défaillance catastrophique du dispositif. Dans un cas, une puissance MOSFET utilisée dans un conducteur de moteur a surchauffé en raison d'un écoulement thermique insuffisant, provoquant la défaillance du dispositif après plusieurs heures de fonctionnement.

L'analyse des défaillances a révélé des fuites thermiques, où une température accrue a provoqué des courants de fuite plus élevés, ce qui a permis d'augmenter encore la température.

Dérivés de paramètres

Dans une application de commutation à haute fréquence, la tension seuil a progressivement changé, réduisant ainsi l'efficacité. L'analyse a montré une dégradation de la couche d'oxyde de barrière, augmentant les courants de fuite.

Cette dérive est liée à une exposition prolongée à des tensions et températures élevées.

Autres modes de défaillance

Les autres modes de défaillance comprennent les dommages par décharge électrostatique (EDS) et les défauts de fabrication. L'EDS peut causer une défaillance immédiate de l'appareil ou des dommages latents qui se manifestent plus tard.

  • Pression excessive
  • Dommages mécaniques
  • Facteurs environnementaux