Les transistors à effet de champ (MOSFET) à oxyde métallique sont largement utilisés dans l'électronique de puissance. Une caractéristique clé de nombreux MOSFET est la diode corporelle, qui permet au courant de s'écouler dans la direction inverse. Comprendre le comportement de ces diodes, en particulier lors de la commutation, est essentiel pour une conception et un fonctionnement efficaces des circuits.

Quelles sont les diodes du corps MOSFET?

La diode corporelle est un composant intrinsèque de la structure MOSFET. Elle est formée entre les régions de drainage et de source et est toujours présente dans l'appareil. Cette diode conduit lorsque la tension au drain dépasse la tension à la source dans la direction inverse, fournissant un chemin pour le courant.

Phénomène de récupération inversé

Lors de la commutation, la diode corporelle peut subir une récupération inverse, qui est le processus de la transition de la diode de conduite à l'état de blocage. Cette transition implique une charge stockée dans la jonction de la diode, conduisant à un bref pic de courant.

Gestion de la récupération inversée

Pour minimiser les effets de la récupération inverse, les ingénieurs peuvent adopter plusieurs stratégies :

  • Sélectionner les MOSFET avec une faible charge de récupération inversée: Les dispositifs conçus avec des caractéristiques optimisées de diode corporelle réduisent les pertes de commutation.
  • Mise en œuvre des circuits de stupéfaction:[ Ces circuits absorbent les pics de tension causés par les courants de récupération inverse.
  • La commande de vitesse de commutation : La commutation plus lente réduit le courant de récupération inverse des diodes, mais peut avoir un impact sur l'efficacité.
  • Le remplacement des diodes corporelles par des MOSFETs contrôlés activement peut réduire significativement les pertes.