אופטימיזציה של מעגלי כונן שער MOSFET היא חיונית להשגת ביצועים יעילים של מעבר וצמצום אובדן כוח. חישובים נאותים ודבקות בפרקטיקה הטובה ביותר להבטיח הפעלה אמינה וארוכות של הרכיבים המעורבים.

הבנה של MOSFET Gate Capacitance

שער MOSFET מתנהג כמו capacitor.החיוב הכולל של השער (Qg) תלוי בכובע השער של המכשיר ואת המתח החל. חישוב מדויק של מטען זה חיוני לבחירת מנהלי שער מתאימים.

ניתן למצוא ערכי טעינה סטנדרטיים של שער בגליון הנתונים של MOSFET. כדי לקבוע את זרם הנהיגה הנדרש של נהג השער, להשתמש בנוסחה:

(ב) ויקרא י"ד:2 ויקרא י"ד): "וְאֶבְהִיא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא" (בראשית כ"ד, כ"ד)

חישוב שער אחריות

התנגדות בשער שולטת על שיעור הטעינה וההפצה של שער MOSFET, המשפיע על מהירות והתערבות אלקטרומגנטית (EMI) בחירת מאזן הערך הנגדי הנכון, החלפת הפסדים ורעש.

ערכים מנוגדים אופייניים נעים בין 10 ⁇ ל 100 ⁇ .כדי לחשב ערך אופטימלי, לשקול את זמן ההחלפה הרצוי ואת המטען השער:

(ב) ויקרא י"ד:2 ויקרא:2 ויקרא יט:2 ויקרא יט:

Best Practices for Gate Drive Design

  • (ב) נהג שער ייעודי: FLT:1 מבטיח מספיק זרם ובודד את מעגל הבקרה.
  • (ב) ,0) , 000 ⁇ שער התנגדות: 1 פקדים 1 (ה) מחליפים מהירות ולהפחית את EMI.
  • (ב) ,0) , ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • (ב) ,0) ,Optimize הפריסה: 1FLT:1 ,Minimize parasitic inductance by Short, Direct Connection.
  • (ב) ,0) , בחרו את רמות המתח המתאימות: FLT:1 , תואמים את מתח השער המקסימלי של MOSFET למניעת נזק.