יישומים גבוהים מאוד אופטימיזציה זהירה של MOSFET כדי להבטיח ביצועים יעילים. עקרונות עיצוב נאות ו חישובים מדויקים הם הכרחיים למזער הפסדים למקסם את מהירות המעבר.

הבנה של MOSFET Parameters

פרמטרים מרכזיים משפיעים על הביצועים של MOSFET בתדרים גבוהים.אלה כוללים תשלום שער, התנגדות שער, ו inductances parasitic. Accurate ידע של גורמים אלה מסייע בעיצוב מעגלים הפועלים ביעילות.

עקרונות עיצוב עבור High-Frequency MOSFET

עיצוב יעיל כרוך צמצום אלמנטים parasitic הפריסה ופריסת אופטימיזציה.שימוש פריסות PCB נמוכות וחיבורי שער קצרים מפחיתה אינדוקטריציה לא רצויה.

אזהרות לאופטימיזציה

קלודות להתמקד בפרמטרים כגון החלפת הפסדים, תשלום השער, והוראות פרציטיות.לדוגמה, אובדן המעבר ניתן להעריך באמצעות:

(ב) ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇

כאשר Vds הוא מתח קוד ניקוז, Id הוא ניקוז הנוכחי, tr הוא זמן עולה, ו tf הוא זמן נופל. חישובים אלה מדריך בחירת רכיב והתאמות עיצוב מעגלים.

שיקולים מרכזיים

  • הצצה ל-Filmize parasitic Inductance
  • השתמש ב-Sateways מתאים
  • אופטימיזציה PCB
  • דרישות עם מטען שער נמוך