ערכות MOSFET משמשות נרחב מעגלים אלקטרוניים עבור מעבר וגברה.הבנת מצבי כישלונ מסייע לשפר את האמינות והעיצוב. מאמר זה מציג דוגמאות בעולם האמיתי של ניתוח כישלונות MOSFET, תוך התמקדות על התחממות יתר וסחף פרמטר.

התחממות יתר של כישלונות

עודף הוא גורם נפוץ של כישלון MOSFET.חום מוגזם יכול להזיק צומת המוליכים למחצה, המוביל להפחתת המכשיר או כשל קטסטרופלי.במקרה אחד, כוח MOSFET המשמש נהג ממומם יתר על המידה בשל כיור חום לא מספיק, גרימת המכשיר להיכשל לאחר מספר שעות של פעולה.

ניתוח כישלונ חשף מפלט תרמי, שבו הטמפרטורה מוגברת גרמה זרמי דליפות גבוהים יותר, עוד מעלה את הטמפרטורה.ניהול תרמי תקין, כולל כיור חום משופר וזרימת אוויר, מנעו הישנות.

TERR Dift

סחף פרדוקס כרוך בשינויים במאפייני MOSFET לאורך זמן, המשפיעים על ביצועי המעגל.באפליקציית מעבר גבוהה, מתח הסף השתנה בהדרגה, הפחתת היעילות.ניתוח הראה השפלה של שכבת תחמוצת השער, הגדלת זרמי הדלפה.

סחף זה היה במעקב לאחור לחשיפה ממושכת למתחים וטמפרטורות גבוהות.הפעלת מתחים ובקרת תרמית טובה יותר מצמצם את שינויי הפרמטר.

מצבי כישלון אחרים

מצבי כישלונ נוספים כוללים פיצוי אלקטרוסטטי (ESD) נזק ומומים בייצור. ESD יכול לגרום לכשלי התקן מיידי או נזק סמוי המתבטא אחר כך.ייצור פגמים, כגון זיהומים או מינון לא שלם, יכול גם להוביל לכישלון מוקדם.

  • לחץ מתמשך
  • נזק מכני
  • גורמים סביבתיים