מדד וחקירה
הבנת מדינות ה- Interface ב Semiconductors: מדד מעשי ומיגש
Table of Contents
מדינות Interface במוליכים למחצה הן רמות אנרגיה אלקטרוניות הנמצאות בגבול בין חומר המוליכים למחצה לבין אינסטלטור או חומר אחר.מדינות אלה יכולות מלכודות נושאת מטען, המשפיעות על ביצועי המכשיר.
מדינות ממשקיות
טכניקות רבות משמשות למדידת מצבי ממשק, כולל CAacitance-voltage (C-V) מדידות ו-spectroscopy ברמה גבוהה (DLTS) שיטות אלה עוזרות לכמת את צפיפות והפצת האנרגיה של מצבי ממשק.
מדידות Capacitance-voltage כרוכות ביישום מתח למכשיר וניתוח השינויים ה- capacitance וכתוצאה מכך, משתנים ב- capacitance מצביעים על נוכחות מלכודות ממשק. DLTS מודדים שינויים זמניים של קיבול הנגרמים על ידי מלכודות מטען ו detrapping, מתן מידע מפורט ברמת אנרגיה.
אסטרטגיות ל Mitigation
מצבי ממשק ממריצים כוללים מעבר פני השטח, בחירה חומרית ואופטימיזציה של תהליכים. . Passivation שכבות, כגון סיליקון דו חמצני או סיליקון nitride, להפחית את ניתנות המלכודות בממשק.
באמצעות חומרים באיכות גבוהה תנאי עיבוד מבוקרים יכול להפחית משמעותית את מספר מדינות הממשק, מה שמוביל לשיפור ביצועי המכשיר ואת תוחלת החיים.
חומרים וטכניקות נפוצים
- התחממות סיליקון (SiO2)
- ניטריד הסיליקון (Si3N4) שכבות
- ניקוי פנים עם HF ching
- תהליכי חמצון rmal
- אופטימיזציה של טיפולים