הנדסת פער Band כוללת שינוי התכונות האלקטרוניות של חומרים כדי להשיג פונקציונליות הרצויה.זה חיוני בפיתוח של מוליכים למחצה, מכשירים אופטיקופטרוניים, ותאים סולאריים. מאמר זה חוקר טכניקות מעשיות חישובים המשמשים בהנדסה פערים של הלהקה.

טכניקות ל Band Gap Engineering

מספר שיטות מועסקות כדי לשנות את פער הלהקה של חומרים.אלה כוללים doping, יישום זנים, ו- קוונטית הגבלה.כל טכניקה מאמת את המבנה האלקטרוני כדי להתאים את התכונות של החומר עבור יישומים ספציפיים.

טכניקות מעשיות

(ב) [ה][דרוש מקור]]: [ה], [ה], [ה], [ה], [ה]], [ה],] [ה'[ה]]]], [ה'], [ה'[ה]']'[ה']'[ה']'[ה']']'[ה']']']'[ה'[ה']']'[ה']']']'[ה'[ה']'[ה'[ה'[ה'[ה'[ה'[ה'[ה']']'[ה'[ה']'[ה'[ה']']']']']'[ה'[ה'[ה'[ה']']']']']']'[ה'[ה']']'[ה'[ה'[ה']']'[ה'[ה']']'[ה'[ה'[ה'[ה']'[ה']']'[ה'[ה'[ה'[ה'[ה

עקבו אחרי Band Gap Engineering

קלקלודות לעתים קרובות כרוכות במבנה של להקה אלקטרונית מודלים באמצעות שיטות כמו תיאוריית פונקציונליות צפיפות (DFT) את אנרגיית פער הלהקה (Eg) ניתן להעריך על ידי ניתוח צפיפות אלקטרונית של מדינות או באמצעות נוסחאות אמפיריות.לדוגמה, אפקט הגבלת זמן קוונטית nanoparticles ניתן להשוות על ידי משוואה Brus:

(ב) ⁇ 2=0(א)=א)=א)=א)=( ⁇ 2 ⁇ 2)/(2R2) * (1/me + 1/mh)

(ב) ,(א) , ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇

סיכום

הנדסת פער Band משלבת טכניקות ו חישובים שונים כדי לשנות את התכונות האלקטרוניות של חומרים.הבנת שיטות אלה מאפשרת עיצוב של מכשירים אלקטרוניים ואופטפטו-אלקטרוניקה מתקדמים.