חישוב אזורי דפלציה בשטצקי ו- P-n Diodes לשיפור עיצוב ההתקן

הבנת אזור הדהימות בדיודות היא חיונית לביצועים של מכשירים. חישוב מדויק של אזור זה עוזר בעיצוב יעיל יותר של שטאקי ו p-n דיודות, אשר משמשים נרחב מעגלים אלקטרוניים.

אזור ‪Satky Diodes‬

ב diodes Schotky, אזור המחיקה יוצר בממשק מתכת-המוליכים. רוחבו תלוי הבדל הפונקציה העבודה ורמות doping. רוחב המחיקה יכול להיות מחושב באמצעות פוטנציאל מובנה ו ריכוז doping.

רוחב המחיקה (W) ניתן על ידי:

(ב) ⁇ (=ב) ⁇ (= ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇

כאשר ε הוא ההיתר של המוליכים למחצה, V bi הוא הפוטנציאל בנוי-in, q הוא המטען היסודי, ו N D הוא ריכוז התורם.

אזור pletion ב p-n dides

בגוון p-n, אזור המחיקה טפסים בצומת בין חומרי p-type ו- n-type. רוחבו משפיע על התנהגות ההטיה קדימה וה לאחור של דיוודה. Calculating רוחב זה כרוך בעקרונות דומים אך רואה את שני הצדדים של הצומת.

רוחב המחיקה (W) בצומת p-n מחושב על ידי:

(FLT:0W= מ"ר (* ε *(V bi + V R) / (q * (N A + N D) / (N A * N D))))))

כאשר V R הוא ההטיה הפוכה יישומית, N A ו N D הם המקבלים וריכוזי התורם בהתאמה.

שיקולים

חישובים של אזורי מחיקה מאפשרים למהנדסים לחזות התנהגות של מכשירים בתנאים שונים של הטיה. התאמת רמות מינון ונכסים חומריים יכול לייעל את רוחב המחיקה עבור יישומים ספציפיים.

גורמים מרכזיים המשפיעים על אזורי המחיקה כוללים ריכוז, הרשאות חומריות, ומתח יישומי.שליטה נכונה של פרמטרים אלה משפרת את יעילות המכשיר ואת תוחלת החיים.