חישוב וניהול של כוח במפרקים מבוססי Mosfet

פיזור כוח במעגלים מבוססי MOSFET הוא גורם קריטי המשפיע על יעילות וניהול תרמי. חישוב נכון וטכניקות ניהול לעזור אופטימיזציה ביצועים מעגליים ולמנוע חימום יתר.

הבנה של דיסipation Power in FET

פירוק כוח מתרחש בעיקר בשל התנהגות והחלפת הפסדים בתוך אובדן המוליכים של MOSFET. כאשר המכשיר נמצא, וזרימות נוכחיות דרך הערוץ שלה, יצירת חום. אובדן מעבר מתרחשת במהלך המעבר בין מדינות על ומחוץ, במיוחד בתדרים גבוהים.

המונחים: Power Dissipation

כדי להעריך את הניתוק כוח, לשקול גם התנהגות וגם שינוי הפסדי שינוי.אובדן ההתנהגות יכול להיות מחושב באמצעות הנוסחה:

(ב) ויקרא י"ד): "ה' ויקרא:2 × RIRLT 3DS(on)" (בראשית כ"ד)

שם IBuildFLT:0 sdph:1 הוא הנוכחי הניקוז ו RFLT:2DS(on)FLT 3: הוא העמידה של הפסדים מ MOSFET תלוי המתח, הנוכחי, ההחלפה תדירות, וזמני מעבר, לעתים קרובות דורש ניתוח מפורט או סימולציה.

ניהול סמכויות

ניהול יעיל כרוך בבחירת MOSFET עם RFLT נמוך:0ears (on)FuaLT:1, אופטימיזציה של מהירויות מעבר, וליישם שיטות קירור מתאימות.

בנוסף, טכניקות עיצוב מעגליות כגון מעבר רך ו snubbers יכולות להפחית את אובדן המעבר. ניטור תרמי רגיל מבטיח המכשיר פועל בתוך גבולות טמפרטורה בטוחה, להאריך את תוחלת החיים שלו.

שיקולים מרכזיים