חישוב על התנגדות (rds(on) לבחירה Efficient Mosfet בעיצוב מעגלי

בחירת המזה הנכון עבור מעגל כוללת הבנה של ה- On-resistance שלה, הידוע בשם Rds(on) פרמטר זה משפיע על יעילות כוח ודור חום. חישוב מדויק של Rds(on) מסייע בבחירת מכשיר שעומד בדרישות ביצועים תוך צמצום אובדן אנרגיה.

הבנה של Rds(on)

Rds(on) הוא ההתנגדות בין מסופי ניקוז ומקור כאשר MOSFET מופעל במלואו. ערכים נמוכים יותר Rds(on) מצביעים על התנהגות טובה יותר עם פחות פיזור חשמל. פרמטר זה מוגדר בגליון הנתונים משתנה עם טמפרטורה ומתח שער.

Calculating Rds (on) בעיצוב מעגלי

כדי לחשב את ה-Squas (on) היעיל במעגל, לשקול את הערך המקסימלי של Rds(on) המסופק על ידי היצרן במתח שער מוגדר.כוונן לאפקטי טמפרטורה ולתנאי הפעלה.

(ב) ,0) ,(ב) ,(ב)) ב-[[1924]]

תוצאות חיפוש > PROSON

• (ב) ,0) ,Gate Voltage: 1FLT: 1:1 וודא כי מתח כונן השער מספיק כדי להפוך באופן מלא את MOSFET, minimizing Rds (on).
• (ב) ויקרא י"א: ויקרא י"ד): "הייתר" (בראשית כ"ד) בטמפרטורות, כך גם לשקול ניהול תרמי.
• דרישות ההרחבה:0 (Currentדרישות: 1) בחר מ"א עם Rds(on) נמוך מספיק כדי להתמודד עם העומס המקסימלי הנוכחי ביעילות.
• (ב) ⁇ :0) ,00 (כוח דיסipation: 1) אובדן כוח קלקולי באמצעות P=I2 × Rds(on) כדי להבטיח כי גבולות תרמיים אינם עולים.