הבנת הפרמטרים הקטנים של transistor צומת דו קוטבי (BJT) חיוני לתכנון מעגלים גבוהים. פרמטרים אלה לעזור לנתח את התנהגותו של טרנזיטור כאשר נתון אותות קלט קטנים, במיוחד בתדרים גבוהים שבו אפקטים parasitic הופכים משמעותיים.

פרדוקסים קטנים-קטנים של BJT

הפרמטרים החתימים הקטנים העיקריים כוללים transconductance (gm), התנגדות קלט (r ⁇ ), עמידות פלט (ro), ורווח נוכחי (β) פרמטרים אלה נגזרים מהמאפיינים של DC של transistor ומשמשים למודל את התנהגותו בניתוח AC.

שקיפות (gm)

Transconductance (gm) מציין כיצד ביעילות BJT מעצימה את אות הקלט.הוא מחושב באמצעות זרם האספן (IC) בשלב התפעולי:

(ב) ⁇ (ב) ⁇ ⁇

כאשר VT הוא מתח תרמי, בערך 25 מ"ר בטמפרטורת החדר.

המונחים: Input Resistance (r ⁇ )

ההתנגדות קלט, r ⁇ , מודלים של אימפולס קלט מסתכל לתוך הבסיס של BJT. זה ניתן על ידי:

(ב) β/ gmFirLT:

אפקטים גבוהים ו Parasitics

בתדרים גבוהים, קיבולים טפיליים כגון בסיס הקולקטור קיבול (Cbc) ו-בסיס-emittercapacitance (Cbe) משפיעים באופן משמעותי על התנהגותו של BJT. אלה parasitics נכללים במודל הקטן-signal כדי לחזות ביצועים מדויקים.

שיטות אופייניות כדי להסביר את ההשפעות האלה כרוכות באמצעות מודל היברידי- ⁇ וכוללות קפיצות פרסיטיות בניתוח.גישה זו מסייעת בעיצוב מעגלים הפועלים ביעילות בתדרים גבוהים.