אבטחת אלקטרון וריכוזי חור במוליכים למחצה חיונית להבנת התכונות החשמליות שלהם.מדת המדידות Accurate מסייעת בתכנון וקידוד מכשירים אלקטרוניים.טכניקות מסוימות משמשות כדי לקבוע את ריכוזי נושא אלה ביעילות.

אפקט ההכללה

אפקט הול הוא שיטה נפוצה למדידת ריכוזי נושא.זה כרוך יישום שדה מגנטי perpendicular זורם דרך המוליכים למחצה.המתח וכתוצאה מכך, המכונה מתח הול, משמש כדי לחשב את צפיפות המוביל.

צעדים מרכזיים כוללים הכנת דגימה, יישום שדה מגנטי, ומדידה את מתח הול. ריכוז המוביל נגזר מן ה- Hall coefficient, המתייחס למתח התא לשדה הנוכחי והמגנטי.

Capacitance-Voltage (C-V) פרופ'

C-V profiling משמש בעיקר עבור צומת Semiconductor כמו דידות ו- MOS capacitors. זה מודד את ה- capacitance כתפקוד של מתח יישומי כדי לקבוע פרופילים doping וריכוזי נושא.

על ידי ניתוח עקומת C-V, ריכוז הפינג וכתוצאה מכך, צפיפות החברה החינמית ניתן לחשבו. שיטה זו היא שימושית במיוחד עבור סינון חלוקת העומק של ספקים במוליכים למחצה.

טכניקות אופטיות

שיטות אופטיות, כגון photoluminescence ו ספיגה ספקטרוסקופיה, לספק דרכים לא הרסניות להעריך ריכוזי נושא.טכניקות אלה לנתח את האור הנפלט או נספג כדי להפר תכונות אלקטרוניות.

לדוגמה, עוצמת אותות פוטו-מיומונים מתאיינת עם מספר הנובלות החופשיות.שיטות אלה מועילות לאפיון מוליכים למחצה ללא מגע פיזי.

סיכום של טכניקות

  • אפקט ההכללה
  • Capacitance-Voltage פרופ'
  • טכניקות אופטיות