בחירת ה-MoaFET הנכונה עבור עיצובים אלקטרוניים בעלי יעילות גבוהה דורש הבנה של ה- On-resistance שלה (Rds(on) פרמטר זה משפיע על אובדן כוח וביצועים תרמיים.קביעת נחישות של Rds(on) מסייעת אופטימיזציה יעילות המעגל ואמינות.

הבנה של MOSFET ON-Resistance

על-התנגדות היא ההתנגדות בין מסופי הניקוז למקור כאשר MOSFET מופעל במלואו.זהו גורם קריטי בהחלפת חשמל יישומים, המשפיע על הפסדים התנהגות ועל הדור החום התחתון.

כיצד למדוד את ה- Rds(on)

Measuring Rds(on) כרוך ביישום מתח שער מוגדר כדי להפעיל במלואם את MOSFET ולדידת הירידה המתח מעברו תוך העברת זרם ידוע.ההתנגדות מחושבת באמצעות חוק הואם:

(ב) ,0) ,(Rds(on) = וולטאז' Drop / Drain CurrentFLT 1

גורמים המשפיעים על ערכים (on)

מספר גורמים משפיעים על ה- Rds(on) של MOSFET, כולל:

  • מתח קוד-to-source (Vgs)
  • טמפרטורה
  • ייצור וריאציות
  • הזדקנות

חשוב לשקול גורמים אלה במהלך בדיקות כדי להבטיח המדידות מדויקות ואמינה של Rds(on) עבור יישומים בעלי יעילות גבוהה.