אלקטרון-חור recombination הוא תהליך בסיסי במוליכים למחצה המשפיעים על התכונות החשמליות והאופטיות שלהם. ב- nanostructured Semiconductors, תהליך זה יכול להיות שונה באופן משמעותי מחומרים מרובים בשל הגבלת קוונטית ואפקטי פני השטח. הבנה ומודל של זה recombination חיוני לתכנון מכשירים אלקטרוניים ואופטימוניים יעילים.

יסודות אלקטרון-הול Recombination

Recombination מתרחש כאשר אלקטרון בלהקת ההתנהגות מאבד אנרגיה ונופל לתוך חור בלהקת הסגלגלות.תהליך זה משחרר אנרגיה, לעתים קרובות בצורה של אור (Recombination Recombination) או חום (לא radiative Recombination) את שיעור ההשפעה של מכשיר Recombination משפיע על ביצועים, כגון תאים סולאריים ו ditra-mitetings.

השפעות של ננוור

הורות ננו משנה את המדינות האלקטרוניות בתוך החומר.המגבלות הקוונטיות יכולות להגדיל את פער האנרגיה ולשנות את נתיבי השיקום. מדינות ופגמים הופכים בולטים יותר, לעתים קרובות לפעול כמרכזי שיקום שיכולים לשפר תהליכים לא-רדיטיביים.

מודלים

מספר שיטות משמשות לדגם מחדש של חור אלקטרוני במוליכים למחצה בנונודור:

  • (ב) משוואות:0) משוואות ר': FLT:1 Siלהגדיל את התהליך לקצבי גומלין המבוססים על אספקת שיניים.
  • (FLT:0)Quantum מכני מודלים:FLT:1hil השתמש Schrödinger ותאוריות פונקציונליות צפיפות לנתח מדינות אלקטרוניות.
  • (ב) סימולציות מונטה קרלו: FLT:1show דינמיקות נושאות ואינטראקציות לאורך זמן.
  • (ב) ,0) ,Surface ו-פגום מודל: אינטגר 1 (בשיתוף) מדינות פני השטח ורמות פגומות המשפיעות על ריבאובנס.