ריכוזי מינון הם פרמטרים קריטיים בהבחנה של מכשיר Semiconductor. הם משפיעים על תכונות חשמליות כגון מוליכות, ניידות וביצועי המכשיר הכללי.הבנת כיצד לחשב ולתאים את רמות מינון מסייע אופטימיזציה יעילות המכשיר ואמינות.

חישוב מינון Doping Concentrations

ריכוז ההשמדה מתבטא בדרך כלל באטומים לסנטימטר מעוקב (cmFreaLT:0 -3Felo:1) כדי לקבוע את רמת הפינג, מספר האטומים של דונט שהוצגו במהלך ההמצאה מתחלק על ידי נפח האזור הדוופד.

(ב) ,0) ,[עריכת קוד מקור]:2 או NIRLT 3=AveFLT:4]

לדוגמה, אם 1×10igmFLT:0;0;155Fillo 1 , אטומי דונט מוצגים לתוך 1 ×10FLT:2-4FLT 3 סנטימטרים 3103FLT:5 אזור, ריכוז ה doping הוא 1 ×10FLT 619FLT 7 , 7 ס"מ LT 3 LT 310:5

השפעה על ביצועי התקן

רמת מינון משפיעה על מספר פרמטרים של מכשיר מפתח. ריכוזי מינון גבוהים בדרך כלל מגבירים את ההתנהגות אבל יכול להפחית את הניידות. verse, רמות מינון נמוכות יותר עשויות לשפר את הניידות אבל להפחית את ההתנהגויות.

איזון אופטימלי של איזון אפקטים אלה כדי להשיג תכונות המכשיר הרצוי.לדוגמה, ב transistors, רמת מינון במקור ו ניקוז אזורים משפיע על זרימת זרם והחלפת מהירות.

שיקולים מעשיים

יצרנים להתאים ריכוזי doping באמצעות תהליכים מבוקרים כגון השתלת יון או דיפוזיה. חישובים מראש להבטיח פרופיל doping עונה מפרטים המכשיר, המשפיע על פרמטרים כגון מתח סף ו זרם הדלפה.

  • השתלת Ion
  • תהליכי Diffusion
  • צעדים
  • טכניקות מדידה