שילוב של MOSFET ליישומים RF דורש שיקול זהיר של מאפייני המכשיר ועיצוב המעגל. בחירה נכונה ומימוש יכולים לשפר את הביצועים ויעילות במעגלים גבוהים.

הבנה של RF MOSFET

RF MOSFET הם transistors מיוחדים שנועדו לפעול ביעילות בתדרים גבוהים. הם בדרך כלל תכונה קפיצות קצביות נמוכות ורווח גבוה, מה שהופך אותם מתאימים למניפסט RF והחלפת יישומים.

שיקולים מעשיים

כאשר משלבים מ"אFET לתוך מעגלים RF, יש לשקול את הגורמים הבאים:

  • (ב) ,0) ,מעיין: ⁇ 1 (ה) הבטחת קלט המכשיר ופלט הפלט של המכשיר תואם את המעגל כדי למקסם את העברת החשמל.
  • (ב) ⁇ :0) ,1: ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • (ב) ⁇ :0) יסודות ⁇ : FLT:1 , מינימלית של קיבולים טפילים והשכלה שיכולים להשפיע על ביצועים גבוהים.
  • (ב) ,0) ניהול רב-האדמיר: 1FLT:1 קירור , כדי למנוע חימום יתר במהלך המבצע.

עקבו אחרי RFFET

חישובים כרוכים בקביעת הפרמטרים של המכשיר כדי להתאים את ביצועי המעגל. פרמטרים מרכזיים כוללים Transconductance (gm), קלט / קידוד capacitances (Cgs, Cgd), ולהשיג.

לדוגמה, ניתן להעריך את ה- Transconductance באמצעות:

(ב) ויקרא י"ד:2=2* מזהה / VGS - Vth)

כאשר מזהה הוא זרם הניקוז, VGS הוא מתח קוד השער, ו Vth הוא מתח הסף. חישובים אלה מסייעים בתכנון רשתות הטיה והתאמה מעגלים.