כימיקלים ודגום; חומרים הנדסה
גישה מעשית לקלקולינג Bandgap אנרגיה ב Semiconductor Materials
Table of Contents
הבנת אנרגיית ה-Sgap של חומרים מוליכים למחצה חיונית לתכנון מכשירים אלקטרוניים ואופטפטו-אלקטרוניים.זה קובע כיצד חומר אינטראקציה עם זרמים אור וחשמל. מאמר זה מספק שיטה פשוטה להעריך את אנרגיית ה-Switch באמצעות טכניקות והנתונים הנפוצים.
שיטות ל Calculating Bandgap Energy
גישה מעשית אחת כוללת ניתוח ספקטרום הקליטה של מוליכים למחצה.על ידי מדידה כיצד החומר סופג אור באורכי גל שונים, אתה יכול להעריך את אנרגיית ה-Sgap. המפתח הוא לזהות את קצה הקליטה, שבו החומר מתחיל לספוג photons ביעילות.
שיטה נוספת משתמשת photoluminescence spectroscopy, שבו האור הנפלט מן החומר מנתח.אורך גל פליטת הפסגה מתאים לאנרגיה של להקות, אשר ניתן לחשב באמצעות היחס:
(ב) ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
(ב) ב[[1924]], [[1924]]]], [[1924]]]], [[1924]]]], [[1924]]]]]], [[1924]]]], [[1924]]]]]], [[1924]]]]]], [[1924]]]]]]]], [[1924]]]]]]]], [[1924]]]]]], [[1924]]]]]]]], [[1924]]
שימוש ב-Tunc Plots for Estimation
מזימה טאואק היא טכניקה נפוצה לקבוע את ה-Optgap בנתונים ספיגה.It כרוך מזימה (αhv)n לעומת hv, שבו α הוא α coefficient, hv הוא האנרגיה photon, ו- n תלוי בסוג של מעבר אלקטרוני (n=2 עבור עקיף, n=1/2 עבור להקהpga ישירה).
החלק ליניארי של העלילה הוא מוגזם כדי לנטר את ציר האנרגיה, נותן הערכה של אנרגיית ה- Bandgap.
טיפים מעשיים
- ודא מדידה מדויקת של ספיגה או פליטה ספקטרה.
- השתמש בערכים המתאימים עבור n בהתבסס על סוג המעבר של החומר.
- מכשירים קלקליים באופן קבוע לתוצאות מדויקות.
- השוואת תוצאות עם נתונים ידועים לאימות.