מבנה קריסטל ממלא תפקיד מכריע בקביעת הביצועים של מכשירים Semiconductor. Variations בסידור אטומי יכול להשפיע באופן משמעותי על תכונות חשמליות, יעילות ותפקוד המכשיר הכולל.

השפעה על מבנה קריסטל על ביצועי Semiconductor

מבנים גבישיים שונים, כגון מעוקב ו hexagonal, משפיעים על האופן שבו אלקטרונים עוברים דרך החומר.לדוגמה, מבנה מעוקב היהלומים של סיליקון מספק ניידות אלקטרון גבוהה, אשר חיוני עבור טרנזירים יעילים.

דוגמאות למכשירים מבוססי הסיליקון

איכות הקריסטל של הסיליקון משפיעה ישירות על היעילות של תאים סולאריים ועיגולים משולבים. High-purity, גבישים ללא פגם מאפשרים תנועה טובה יותר של נושאת מטען, וכתוצאה מכך שיעורי המרה אנרגיה גבוהים יותר והפעלה מהירה יותר של מכשירים לייצור כמו צמיחת Czochralski הם אופטימיזציה לייצר גבישים באיכות גבוהה כל כך.

השפעה על Compound Semiconductors

קומפלקסים למחצה כמו גליום arsenide (GaAs) להציג מבנים גבישיים שונים אשר משפרים את התכונות האופטו-אלקטרוניות שלהם.מבנה התערובות אבץ של GaAs מאפשר ניידות גבוהה יותר אלקטרונים בהשוואה סיליקון, מה שהופך אותו מתאים עבור גבוה אופטימיזציה גבוהה התקנים יעילות גבוהה.

תוצאות של Structural Effects

  • (ב) ,0) ניידות: 1 (החליפה:0) של אטומים (ה)
  • (ב) ,0) צפיפות: FLT:1 משפיע על יעילות התחבורה.
  • (ב) ,0) יציבות אווירית: 1FLT תלוי ביושרה גבישית.
  • (ב) ויקרא י"ד: "ה', ב': "ה', ב'"ה', ב'"ב'.