מידע על nanoscale Microprocessors

מיקרו-מעבדים ננומטריים משולבים מעגלים שנבנו עם תכונות transistor שנמדדו nanometers - מיליארדים של מטר.המיניון הבלתי פוסק חזה על ידי FLT:0Moore's LawBuildFLT:1 הוביל גדלים תכונה ממיקרומטר למטה עד 10 ndess הנדסת sub- 10 nm . בממדים אלה, הנחות הפיזיקה הקלאסיות כי מוקדם יותר עיצובים לשבור, ואפקטים קוונטיים של מעבדים של היום של שבבים קיצוניים של שבבים, כמו גם קשקשים של כוח קיצוני של שבבים מתקדמים יותר, כמו גם כן, כגון שבבים של שבבים של שבבים מתקדמים יותר של שבבים של מעבדים של שבבים של שבבים של מאיץ's 7 ואילך, כלומר, רק 7 ואילך, 000.

אתגרים גדולים ב Scaling Down

מנהרה קוונטית ו-Leakage Currents

כאשר תחמוצות שער טרנזיטור הן רק כמה אטומים עבים, אלקטרונים יכולים מנהרה דרך שכבת בידוד אפילו כאשר transistor אמור להיות "off" מנהרה קוונטית זו יוצרת זרמי דליפות בלתי רצויים אשר מבזבזים כוח ומייצרים חום. as Gate אורך מתכווץ מתחת 10 nm, ההסתברות של מנהרה עלייה אקספוננציאלית זה על ידי מעבר גבוה אלקטרו-אימפריאליציק (Fua) אפילו חומרים סטנדרטיים 1 ספקטרום 1 ספקטרום) אבל עכשיו ספקטרום גבוה של נפח של נפחד 2 ספקטרום גבוה של נפח של כוח אחד של נפח העליון של נפח של 2 CM2, אך מנפח של נפח העליון של סוללות, 000 1 ספקטרום גבוה יותר, אך ספקטרום גבוה יותר, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000,

דיסיפציה ועוצמה

(כעת) טרנסג'נדרים לארוז יותר צפופה, החום שנוצר לאזור יחידה עולה בחדות.ב שבבים ננומטריים, צפיפות כוח יכולה לעלות על זה של הליבה של כור גרעיני, שיטות קירור מסורתיות - כיור חום ומעריצים - הופכים לא מספיקים. ⁇ כתמים חמים על המתים יכולים לגרום לביצועים של מחסנים, חיישנים מופחתים, וכישלון בסופו של דבר מורכב על ידי זרמי חום (ד לעיל) כי הם מייצרים חום אפילו כאשר השבבים חום מחסנים חום כגון: מחסנים סטנדרטיים, אך ורקדבנים סטנדרטיים:

3.ייצור Precision ו-Yeld

(הדפסים עם תכונות תת-10 nm דורשים שליטה בתהליך קיצוני.חלקיק אבק יחיד יכול להרוס עשרות טרנזיסטורים. טכניקות ליתוגרפיה מתקדמות כמו אולטרה סגולט קיצוני (EUV) לספק את ההחלטה הנדרשת, אבל עלויות הציוד עולה על 150 מיליון דולר לכלי.ריאציות ב- etching, deposition, ו- doping להוביל לפגמים כי להפחית את התשואות - אחוז השבבים הפונקציונליים ל-iprepreprepreper עבור מספר גדול של AIFertexi-i-i-i-i-i-i-i-i-uptexi-i-uptexit (אך) נמוך יותר מ-uptexercuptexiti-upal-upalr (אך) כמו מספר לא יעיל של פחות מ-upto-upto-uptexi-uptexi-upto-upto-upal) לעומת מספר מרכזי של מספר נמוך יותר מ-upto-upto-upto-upto-upto-upto-upto-upto-upto-upto-upto-upto-upto-upto-upto-upto-upto-

4.התחלויות בין קישורים ואפקטים הפרסיים

בעוד שדרגת טרנזירים מאיצה את ההיגיון, החוטים המחברים אותם – מה שנקרא "קשרים" – לא עולים בקנה מידה כמו חוטי חצי-שטח מתכווץ, עלייה בהתנגדות, והפיכה מפתה גדלה.זה יוצר את ה-FLT:0RCSFLT:1 שיכול לשלוט בביצועי המעגל הכללי.

אפשרויות ל- Device Variability and Reliability

ב-Nanoscale, הבדלים ברמת אטומית קטנים הופכים משמעותיים.ננדום תנודות, גסות קו קצה, וריאציות עובי תחמוצת חמצני לגרום לסף transistor להשתנות ממכשיר אחד למשנהו.כדאיות זו מקשת על ערב שולי תזמון ותקציבי חשמל על פני שבב.Over time, טמפרטורה הטיה (BTI) ותפקוד transcarrier חם, לקצר את חיידקנות גבוהה של כוח, אך לא לשלב התנגשויות של כוח במקום הראשון, אבל לא יכול להיות מסוגלות רכב מתקדם, אבל לא מתאים, אלא פתורים מתקדמים, אבל לא כולל קיבולת גבוהה יותר, 0.

6 מגבלות חומריות

(הופנה מהדף סיליקון) היה הטורף של מיקרואלקטרוניקה במשך עשרות שנים, אבל ב-Nanoscale תכונותיו להיות מגבילים.אלקטרון נייח בערוצי סיליקון דקים, ו צרי ה-Sgap, הגדלת הדלפה לאחר שנים של מחקר, התעשייה הפכה ל-FLT:0sated חומרים מאומנים של סיליקון (SiGe) לערוצים מסוג 2DVernFide (N) חדשים, כולל חומרים חד-R2D)

פתרונות ומחקר

טכניקות לימוזינה מתקדמות

⁇ UV ליתוגרפיה בשעה 13.5 ננומטר גל אפשרה ל-7 nm ו-5 nm nodes. הדור הבא של אנטנה (מספרים מספריים) כלי האיחוד האירופיV להבטיח לדחוף את ההחלטה ל 1 nm או מתחת.בינתיים, טכניקות מרובות-פנסיות (דפוס כפול מכוער, דפוס מתקפל) מאפשרות כלים נוכחיים להדפיס תכונות בסדר, אם כי עם עלות גבוהה יותר ו-FEE, אך ורק באמצעות הערות מחוסמות, אך ורקמות, אך ורק לאחר מכן, הוא מאתגר יותר, הוא בעל ערך כפולות, הוא בעל ערך כפול, אך ורק יותר, הוא מכווץ, הוא מכווץ, אך הוא מכווץ, הוא מ- 1V.

חומרים חדשים של ערוצים

(ב) 3 nm ו 2 nm nodes, FLT:0gate-All-round (GAA) transistors שדה-אפקט (FETs) ,FLT:1 באמצעות ננוגלי סיליקון סיליקון ממחסנים מחליפים finFET. GAAulf מספקים גם חומרים אלקטרוסטטיים יותר וצמצום הדליפה קדימה, צינורות פחמן (CNTs) מציעים תחבורה בליסטית וניתן לחקור אותם ב-CSTF% 2D2D2, אם כי הם בעלי השפעה נמוכה יותר, אם כי הם כוללים השפעות אלקטרוסטאורד-FD2D2D2D2D2D2D2D2D.

3D אינטגרציה ו- Chiplet Designs

במקום לדרג טרנזיסטורים קטנים יותר, כמה חברות מערימות מתו אנכית - FLT:0D אינטגרציה FLT:1 - באמצעות silicon באמצעות (TSVs) וחיבור היברידי. גישה זו מפחיתה את אורך החיבור, משפרת רוחב הפס, ויכולה לערבב טכנולוגיות תהליכים שונות (למשל, אנלוגי, זיכרון דיגיטלי), בחבילה אחת, שבה מעבדים גדולים של מעבדים של AMD ומוצרים מתקדמים יותר, כמו אריזות של ניהול מורכבות יותר, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, פונקציות מורכבות יותר, עם זאת, עם זאת, עם זאת, פונקציות ניהול אריזות של מעבדים יותר, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, תכונות מורכבות יותר של מעבדים מתקדמים יותר של ניהול אריזות של מעבדים יותר של מעבדים מתקדמים יותר, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, פונקציות ניהול אריזות של ניהול אריזות של ניהול רחב יותר של ניהול קובצי EP

מחשוב קוונטי ומעבר לCMOS

בעוד פרצופים מקיפים קונבנציונליים מצטמצם, FLT:0quantum מחשוב FLT:1 מנצל את ה- Superposition ו- סבך כדי לפתור בעיות מסוימות מהר יותר מבחינה אקספוננציאלית.

עתידנו של ננומטרי מיקרו-מעבדים

מפת הדרכים הבינלאומית למכשירים ומערכות (IRDS) מציעה כי סיליקון CMOS מדרגת יפלס סביב 1 nm node, אולי עד 2030.לאחר מכן, התקדמות תסתמך על חומרים, אריזה מתקדמת ושיפורים אדריכליים.We may see ייעל:0heterogeneous אינטגרציה FLT:1 שבו השבבים בנוי על חומרים שונים - ללא ספק עבור לוגיקה, IIIV עבור מחשוב אלחוטי, כגון חיתוך נפח תקשורת חד-מסוג, יכול להחליף שבבים.

אחד בכיוון מבטיח הוא השימוש של FLT:0 [negative capacitance FETs (NC-FETs) FLT:1 אשר משתמש שכבת ferroelectric כדי להגביר את מתח השער, המאפשר מתחים היצע נמוך יותר וסירת כוח מופחת. השני הוא אימוץ של מנועי גלימות - יש צורך מייצור כמו שבב יחיד (למשל, Cerebras) הם ממקסמים את המהירות של מעגלים מרובים, אך לא ניתן לדרגתיים, אך ללא חישובים, אך לא ניתן לדרגים של חומרים מתקדמים, אלא על פני מעגל, אך לא ממוחזרים, אלא על פני השטח, אלא על פני השטח, אך ורק על פני השטח, ללא חישובים, אלא על פני השטח של ציוד תקשורת רב-ממות, אך ורק על ידי עיצוב, עם זאת, ללא חישובי, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם חומרים מרובים, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם חומרים מתקדמים, ללא חישובים, ללא חישובים, עם זאת, עם חומרים מרובים, הם מנפחים, ללא חישוביים, הם מנפחים, אך ורק

מסקנה

(המעבדים של ננוקל סיפקו רווחים יוצאי דופן בביצועים ויעילות, אבל המסע הוא מכוגן עם מכשולים. Quantum Tunneling, פיזור חום, דיוק ייצור, עיכובים בין-קישורים, ניידות המכשיר, ומגבלות חומריות כל התגברות כמו ממדים ממשיכים לכדי כמה מיליארדים של קריטריונים של סימולציה דיגיטלית ו- CDMAFary עשוי להיות מאריך את הגדלים של החידושים הדיגיטליים ו- 3DFDIRDREDREDREDREDREDREDREDS, בעוד ש-DFDS, כלומר, רק פרדיגמה של צמיחה טהורה של אינטליגנציה טהורה של אינטליגנציה טהורה של אינטליגנציה טהורה של אינטליגנציה, כלומר, כלומר: פרדיגמה של אינטליגנציה טהורה של אינטליגנציה טהורה של אינטליגנציה טהורה של מימדית של מימדית של מימדים של מימדים של אינטליגנציה, 3DFDFDFDFDFDFDFDFDR.