מודלים ניידות הם חיוניים סימולציות מכשיר Semiconductor כפי שהם מתארים כיצד ספקים המטען נעים בתוך חומר. Accurate מודלים של ניידות מוביל מסייע לחזות התנהגות המכשיר וביצועים בתנאים שונים. מאמר זה חוקר את היסודות של מודלים ניידות ואת היישום שלהם בסביבות סימולציה.

יסודות הניידות ב Semiconductors

ניידות נשאית מתייחסת למהירות שבה אלקטרונים או חורים יכולים לעבור דרך מוליכים למחצה כאשר שדה חשמלי מוחל.זה משפיע על הפרמטרים העיקריים של מכשיר כגון זרימה, מהירות מעבר וצריכת חשמל.

סוגים של מודלים ניידות

כמה מודלים קיימים כדי לתאר התנהגות ניידות, החל מנוסחאות אמפיריות פשוטות למודלים מורכבים המבוססים על פיזיקה.

  • מודל הניידות של ההרחבה:0 (FLT:1 Assumes) נקבע ללא קשר לשדה חשמלי או לחשמל.
  • (ב) מודל תלוי בפליד: FLT: 1) חשבון עבור הפחתת ניידות בשדות חשמליים גבוהים, כגון מודל Caughey-Thomas.
  • (ב) מודל תלוי טמפרל:0) מודלים תלויי Temperature:FLT:1 משלב את ההשפעה של וריאציות טמפרטורה על ניידות.
  • (FLT:0) מודלים המבוססים על פיזיקאים: FLT:1 השתמש פיזור מפורט של מנגנונים כדי לדמות את תנועת המוביל בצורה מדויקת יותר.

יישום מודלים של ניידות בסימבטונים

יישום מודלים ניידות בסימולציות המכשיר כרוך בבחירת המודל המתאים המבוסס על מבנה המכשיר ותנאי תפעול.כלי סימולציה רבים מספקים מודלים מובנה שניתן להתאים אישית עם פרמטרים כגון ריכוז וטמפרטורה. calibration נכון מבטיח את תוצאות הסימולציה להתאים מקרוב נתונים ניסיוניים.

באמצעות מודלים מדויקים ניידות משפר את האמינות של תחזיות הקשורות לביצועים של המכשיר, עוזר למהנדסים לייעל עיצובים ולהבין מגבלות.חשוב לאמת מודלים עם מדידות בעולם האמיתי כדי להבטיח את הכדאיות שלהם על פני תרחישים שונים.