הנדסת Bandgap היא היבט חיוני של עיצוב Semiconductor הכולל מניפולציה של פער האנרגיה בין להקות הנדנדה וההתנהגות של חומר.תהליך זה מאפשר למהנדסים להתאים תכונות אלקטרוניות אופטיות עבור יישומים ספציפיים, כגון טרנזירים, תאים סולאריים, נוריות.

מימון של Bandgap Engineering

ה-Sgap של חומר קובע את מוליכות החשמל שלה ואת הקליטה האופטית. Semiconductors עם להקה צרה מתאימים למכשירים אינפרא אדום, בעוד חומרים רחבים של להקות משמשים באנרגיה גבוהה ויישומים סיבולת גבוהה.מתאים את ה- Bandgap כרוך טכניקות כמו סגסוגת, doping, ו- קוונטית.

טכניקות לBangp Modification

כמה שיטות מועסקות כדי לשנות את ה-Sgap של Semiconductors:

  • (ב) ,0) ,השילוב של אלמנטים שונים כדי ליצור תרכובות ternary או quaternary, כגון GaAs ו- AlGaAs.
  • (ב) ,0) ,[[1924]]]], [[1924]]]]]], [[1924]]]]]]
  • (ב) ,0) ,Quantum:FLT:1, שימוש בנונו-מבנה כמו דוקטרי הקוונטים כדי לשנות את רמות האנרגיה.

תגיות Bandgap Engineering

הנדסת Bandgap מאפשרת פיתוח של מכשירים עם פונקציונליות מסוימת.לדוגמה, באופטיאואלקטרוניקה, זה מאפשר יצירת נוריות פולטות אורכי גל שונים.באלקטרוניקה כוח, חומרים רחבים של להקות לשפר את היעילות ואת יציבות תרמית.