הנדסת Bandgap כוללת שינוי התכונות האלקטרוניות של חומרים כדי להתאים יישומים ספציפיים.זה חיוני בפיתוח של מוליכים למחצה, מכשירים אופטיקופטרוניים, ותאים סולאריים. בחירת חומרים מתאימים עם אנרגיות להקות רצוי הוא חיוני עבור אופטימיזציה ביצועי המכשיר.

יסודות של Bandgap Engineering

ה-Sgap של חומר הוא ההבדל האנרגטי בין להקת הסגלגלים לבין להקת ההתנהלות.זה קובע את מוליכות החשמל של החומר ותכונות אופטיות.מהנדסים מניפים את הנכס הזה כדי להתאים חומרים לפונקציות ספציפיות.

גישות מעשיות לבחירה חומרית

מספר שיטות משמשות כדי מהנדס את ה- bandgap של חומרים.אלה כוללים סגסוגת, ריצוף קוונטי, והנדסת זנים.כל גישה משנה את המבנה האלקטרוני כדי להשיג את האנרגיה הרצויה של ה- Bandgap.

טכניקות נפוצות ב Bandgap Engineering

  • (ב) ,0) ,Alloying:0 (הכולל:0) שילוב של אלמנטים שונים כדי ליצור חומרים עם אנרגיות של להקות ביניים.
  • (ב) ,0)Quantum Dots:FLT:1 חלקיקים ננומטריים המציגים תכונות בגודל של להקות תלויות בגודל.
  • (ב) ,0) הנדסה הנדסית: 1FLT 1 החל מתח מכני לשנות את מבנה הלהקה האלקטרונית.
  • (ב) ,0) ,Hetero Structures:FLT:1hil שכבת חומרים שונים כדי ליצור ממשקים עם תכונות אלקטרוניות מותאמות.