ניידות נשאית היא פרמטר מפתח בפיסיקה Semiconductor, המציין כמה מהר ספקים מטען כגון אלקטרונים וחורים יכולים לעבור דרך חומר כאשר נתון לשדה חשמלי.מדת חירום של ניידות חיונית לתכנון מכשירים אלקטרוניים יעילים והבנה של תכונות חומריות.

שיטות מדידה עבור נשאי ניידות

מספר שיטות משמשות למדידת ניידות של ספקים במוליכים למחצה.הטכניקות הנפוצות ביותר כוללות מדידות אפקט הול, transistor (FET) אפיון, ו-Time-resolved spectroscopy.כל שיטה מציעה תובנות שונות והוא מתאים יישומים ספציפיים.

אפקט ההכללה

טכניקת אפקט הול כוללת יישום שדה מגנטי perpendicular לזרם הנוכחי בחומר.המתח ההפוך וכתוצאה מכך מאפשר חישוב של ריכוז נושא וניידות. שיטה זו מספקת מדידות ישירות ואמינה, במיוחד עבור סרטים דקים וחומרים גדולים.

המונחים: Carrier Mobility

ניידות גבוהה של נושא מאפשרת מכשירים אלקטרוניים מהירים יותר עם צריכת חשמל נמוכה יותר.זה משפיע על העיצוב של טרנזיס, חיישנים, ורכיבים אחרים של מוליכים למחצה.חומרים עם ניידות גבוהה יותר מועדפים עבור יישומים מהירים, בעוד חומרים ניידות נמוכים עשויים להיות מתאימים לפונקציות חיישן ספציפי.

  • בחירה חומרית המבוססת על ניידות
  • אופטימיזציה של רמות מינון
  • שיקולים של
  • השפעה על מהירויות
  • יעילות כוח שיפור