דיאודות כוח הן אבני בניין בסיסיות במעגלים אלקטרוניים, המשמשות כשומרי שער לזרם הנוכחי בתיקון, המרת חשמל וניהול אותות. בין המשפחה המגוונת של דיודות כוח, דיודות שאטקי ו- PIN diodes עומדים על הפיזיקה והפרופילים השונים שלהם.מהנדסים בוחרים לעתים קרובות בין שני אלה המבוססים על פרמטרים כגון ירידה מתח קדימה, מהירות, יכולת טיפול, והפעלה של תהליך בדיקה פנימית, בין המאפיינים של מערכת ההפעלה, לבין עיצובית, לבין עיצוב אמיתי, לבין תכונות עיצוב.

הבנה: Schotky Diodes

בנייה והפעלה של עקרון

דיאודה שטקי, הידוע גם כ diode חם קר, נוצר על ידי הצומת בין מתכת (כגון פלטינה, זהב, molybdenum, או tungsten) ו ביצועי N-type מוליכים למחצה (סיליקון סיליקון רטיאלי או גריום אנזים גליום) זה מתכת-מסלול יוצר מחסום פוטנציאלי, הידוע מחסום חלקיקים, אשר מסתמך על נפח אלקטרון (n-פולני) אשר מסתמך על ידי צומת מתכת-חוללקטן (Nic) אשר מסתמך על ידי צומת מתכת-Nicoln-Nicoln-Nicoltode) אשר מסתמך על ידי צומת).

היעדר אחסון של ספקים מיעוט מבטל את תופעת האחסון המטען שגורם התאוששות הפוכה איטית בדלודי PN. כתוצאה מכך, הדיודה של שטאקי יכולה לעבור במהירות רבה ובמהירות, מה שהופך אותו אידיאלי עבור יישומים גבוהים.

תגיות: Voltage Characteristics

אחת התכונות המוכרות ביותר של ה- Schotky diode היא הירידה הנמוכה של מתח קדימה (Felo:0.Virph 1FilloFLT:2,3) הוא טווח הערכים האופייניים מ-FLT:40.2 V ל-0.4 VFLT:5 עבור סיליקון מבוסס סקוצקידות, לעומת 0.7 ל- V עבור סיליקון נמוך יותר, אפילו מילימטרים, אשר יכול להיות נמוך יותר מ- 100 ליטרים.

עם זאת, המתח קדימה הוא תלות טמפרטורה.כפי שעולה הטמפרטורה, גובה מחסום שוקק יורד מעט, מה שגורם ל-FLT:0VirFLT:1FilloFLT:203FLT 3 כדי שיהיה חסכוני טמפרטורה שלילי.

החלפה מהירה ושיקום הפוך

(ב) , ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇

Reverse Leakage and Breakdown Voltage

(ב) , (ה) , ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇

יש גם דידות התמוטטות נמוכה יחסית של מתח מתחים.רוב זמין מסחרית סיליקון שוטסקי מדורג עבור FLT:050 V ל 200 VirFLT:1, אם כי סיליקון carbide (SiC) Schotky diodes מרחיבה טווח זה ל-FLT:2600 V ל 1200 VLT3 ומעבר לקיבולת נמוכה של SiC) , , עם ירידה באנרגיה נמוכה וקיבולת נמוכה (SiC) עם , 000) , 000) , 000.

שיקולי טמפרטורה

הביצועים של דיודות שאטקי מדגימות יותר מבחינה בטמפרטורה מאשר של PIN diodes.המתח קדימה יורד, דליפות הנוכחית עלייה, ואת המתח השבר עלול לסחף.מעצבים חייבים להסתער לטמפרטורה מקסימלית (בדרך כלל FLT:0) 125 מעלות צלזיוס ל-175 מעלות צלזיוס ל-175 מעלות צלזיוסFLT:1) ולהחשיב ניהול תרמי כגון חימום או קירור פעיל.

הבנה: PIN DIS

בנייה והפעלה של עקרון

(ב) ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇

תחת הטיה קדימה, חורים ואלקטרונים מוזרקים לתוך השכבה הפנימית, צמצום ההתנגדות שלה ומאפשר זרם נוכחי.תחת הטיה הפוכה, השכבה הפנימית הופכת למפולגת לחלוטין, והדיאודה פועלת כקפיאט קבוע כמעט קבוע (או התנגדות בעלת ערך גבוה) תכונה זו הופכת את ה- PIN של מתג RF מצוין ואטנר.

תגיות: Voltage Characteristics

לפסלים יש ירידה בלחץ גבוה יותר בהשוואה לפסלים של שאטקי. ערכים אופייניים נעים בין ה-FLT:0.7 V ל- 1.2 VIRFLT:1 עבור סיליקון PIN, בהתאם לרמה הנוכחית והשכבה הפנימית של מתג.

החלפת מהירות ומשלוח

בניגוד לדלודים שטקקיים, PIN diodes מציג אחסון מטען משמעותי בשכבה הפנימית במהלך התנהגות קדימה.כאשר מעבר להטיה קדימה להטיה הפוכה, יש להסיר את הנושאים המאוחסנים, וכתוצאה מכך זמן התאוששות סופי.זה הופך את PIN diodes איטי יותר מאשר stky diodes, עם טיפוסי F:0tLTFalphir 1Freas: 1Fir1Fir:2.

עם זאת, אחסון המטען של השכבה הפנימית אינו תמיד חסרון במעגלי RF, המטען המאוחסן מאפשר ל- PIN diode לשמור על אימפולס נמוך גם במהלך המחצית השלילית של אות RF, הפועל ביעילות כמתנגדת תלות בתדר.

כוח יד ושבר את וולטון

דידות PIN מסוגלות לטפל במתחים גבוהים בהרבה וברמות כוח מאשר שרידים של גודל דומה.השכבה הפנימית הרחבה מגבירה את המתח השבר, עם דירוגים בדרך כלל מ-FLT:0100 V ליותר מ-1,000 VFreaLT:1 בהתקני סיליקון.השכבה האינטריאנית מספקת גם אזור עבה לפירוק חום, ומאפשרת לפולודיות לטיפול בירידה ממוצעת של כוח גבוה ללא כישלונות.

(ב) , ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇

תדירות ומניעה

הדחף של PIN diode הוא פונקציה של זרם הטיה DC ואת תדר RF. בתדר נמוך (בנמוך כמה מגה-הרץ), הדיקול מתנהג כמו קונבנציונאל PN diode. מעל תדר מסוים, בדרך כלל מעל ⁇ :0 (1 MHzFLT:1), המטען המאוחסן בשכבה in the Intrinic לא יכול לעקוב אחר מחזור RF, ואת dioded זה הופך להיות רק נגד זרם נגד נטייה הנוכחית.

(ב) להפעלה הפוכה, ה- PIN diode מציג קיבול קטן (בדרך כלל 0.1 pF לכמה פיקופאראדים), אשר כמעט קבוע על פני טווח מתח רחב.הקצב הנמוך והיציבותי הזה הופך את PIN diodes שימושיים כמו FLT:0RF AttenuatorsFLT:1, FLT2phase Shiftrmentals 3, 3FLTs: 3, ו-FLT5:

השוואה בין ראש ל-Head: Schotky vs. PIN Power Diodes

נפילה ל-Wolage Drop

  • (ב) [15] ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • (FLT:0) ,PIN:IRLT:1 גבוה (0.7–1.2 V) - מקובלים בבקרת RF וביישומים בעלי נטיות גבוהה.

החלפה מהירה ושיקום הפוך

  • (ב) ויקרא י"א: ויקרא י"ד:2 ויקרא:2 ויקרא:2 ויקרא:2 ויקרא יט): "ברכת ה':5 ליד אפס) - אידיאלי עבור 100 kHz החלפת אספקה.
  • (ב) ויקרא י"ד: ויקרא י"ד): "ה' ירא': ויקרא י' (ב"ד): "ה' ויקרא י"ד: 5 ;5 ;5 ;5 ).

המונחים: verse Leakage

  • (ב) ⁇ :0 (ב) ⁇ (ב) ⁇ (ב) ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • (ב) ⁇ :0 (ב): ⁇ : 1 (ב) דליפה התחתונה בטמפרטורת החדר; דליפות עולה עם הטיה וטמפרטורה אך נותרה נמוכה יותר מאשר שטאקי בעיצובים רבים.

Breakdown Voltage (Reverse Voltage Rating)

  • (ב) [15] ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • (ב) ,0) ,(ב): ⁇ : 1 (ב) ,(ב) ,(ב) ,(ב) ,ב-[[1924]]) , [[1924]]) ,[[1924]]

כוח יד וסגידה Capability

  • (ב) ויקרא י"א: ויקרא י"ד: "ה', ויקרא י"ד: "וַיְהִיא נָעָשָׂה וּכְתָּעָה וּכְהִיתִיתִיתִיתִיתִיתִי וּכְתִּיִנְתָּעָעָעָעָה" (ב"ד).
  • (ב) ויקרא י"א: ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇

המונחים: Frequency Range

  • (ב) ⁇ :0 (ב) ,1 GHz (במיוחד ביישומים של גלאי אפס-בילאים).
  • (ב) ⁇ :0) ⁇ : ⁇ 1 (מ"ר) ל- 10 GHz (כהתנגדות או מתג משתנה).

עלויות וזמינות

  • (ב) [15] ,937: ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • (ב) ⁇ :0) ⁇ : ⁇ : ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇

דרישות מפתח של Schotky Diodes

החלפת כוח פקדים ו DC-DC Converters

המתח הנמוך קדימה והמעבר המהיר של דיודות שטקי הופכים אותם לבחירה ברירת המחדל לתיקון פלט בשפל, ממירים מתקדמים כגון buck, דחיפה, ועף להתנצלות.הם משפרים באופן משמעותי את היעילות, במיוחד ב-FLT:0point-of-load (POL) ממירים FLT:1 עבור CPUs ו- FPGAs.

גילוי RF ומיקסינג

אפס-ביות שאטקי דידות משמשות רבות בגלאי כוח RF, גלאי מעטפה, ועיגולים ערבוביים כי הם יכולים לתקן אותות עם מעט מאוד אמפיר (במרחק לכמה עשרות מ"ט) שלהם קיבול נמוך משמר גם את היושרה בתדרים במיקרוגל.

הגנה מפני Polarity Protection

במכשירים המופעלים על סוללות ואלקטרוניקה, דיודות שוטסקי משמשים כדיונים הגנה בשל הירידה בלחץ נמוך שלהם, הגבלת ניתוק כוח בתנאים של חיכוך הפוך.

פאנל סולארי לעקוף דיודות

דידות שטקיות נפוצות כמו דיודות עקפים בלוחות פוטו-וולטאיים (PV) שלהם מתח נמוך קדימה מצמצם את ההפסדים כאשר תא מחוספס הנוכחי סביב מחרוזת.

דרישות מפתח של PIN Diodes

RF Switches

(ב) ⁇ הם עמוד השדרה של רשתות העברת RF בעוצמה גבוהה בשימוש בתקשורת, מכ"ם וציוד בדיקה.על ידי יישום הטיה DC, מתגי הדיוודה בין אימפולסים נמוכים (על) לבין אימפולס גבוה (off) עם עיוות נמוך מאוד.

RF Attenuators

מעצימות של וולטאז' משתמשים ב- PIN diodes שבו הטיית DC מגדירה בדיוק את עמידות RF.אלה משמשים במעגלים שליטה אוטומטית (AGC) ומטמים משתנים עבור מערכות כלי שיט ורדיו.

הגבלת דיוקד

דיודות PIN יכולות להגן על חזית מקלט רגישה מפני הדופקים RF בעוצמה גבוהה.בתצורה מגבילה יותר, הדיוודה אוטומטית מעברים ממצב נמוך רפלקטיבי מאוד כאשר כוח האירוע עולה על סף, המשקפת עודף כוח הרחק מן המקלט.

טיהור גבוה-Voltage Rectification

ביישומים כגון גנרטורים רנטגן, אספקת חשמל מגנטירון, ו precipitators אלקטרוסטטי, PIN diodes (או ערימה גבוהה) לספק תיקון אמין עם יכולת עלייה גבוהה.

בחירת ה-Doude הנכון עבור העיצוב שלך

הבחירה בין שטאקי לבין דיאודה PIN תלויה בניתוח זהיר של סחר חליפין.מסגרת ההחלטה הבאה יכולה להנחות מהנדסים:

Define the Primary Function

  • אם תפקידו של הדלודה הוא:0 כוח תיקון של כוח ריצוף 1:1 (למשל, שלב התפוקה של אספקת מעבר), להתחיל עם שטקקי.
  • אם ה diode משמש עבור FLT:0 ,RF שליטה LT:1 (משימת, העצמה, שינוי שלב), פיסול PIN כמעט תמיד נדרש עבור רכוש הניתוק המשתנה שלו.

להעריך את רמות הוולפלקס והעוצמה

  • עבור מתחים לאחור מתחת 100 V ו זרמים נמוכים עד בינוני (כמה amps), דיודות שאטקי מציעים יעילות גבוהה יותר.
  • עבור מתחים מעל 200 V או זרמי עלייה גבוהה, לשקול pIN diodes או SiC Schotky diodes. pIN diodes הם לעתים קרובות יותר עלות מאשר SiC בטווח 400-1000 V.

עקבו אחרי Switching Speed

  • אם מעבר לתדרים מעל 100 kHz, Schotky היא ברירת המחדל.
  • עבור מעבר RF בתדרים בין 1 MHz ל 10 GHz, PIN diodes לספק ירידה נמוכה מעבר נשלט על ידי הטיה DC.

המונחים: Efficiency Constraints

  • בסביבות רגישות תרמיות, הדלפת של שטקי בטמפרטורה גבוהה עשויה להיות בעייתית. pIN diodes נוטים להיות בעלי יציבות תרמית טובה יותר.
  • עבור עיצובים קריטיים יעילות, ®VFLT:0reas 1:2 (R) , ®VFLT 3:2; 2) ,3 מנצח, אך רק אם דירוג המתח מתאים.

עלויות וזמינות

סיליקון סטנדרטי שוטסקי דידות (למשל, 1N5819, SS34) הם זולים וממלאים נרחבים. pIN diodes עבור RF כוח גבוה (למשל, BAP70-03, SMP1320) הם מיוחדים יותר אך עדיין זמינים מבחינה מסחרית. עבור מתח גבוה מאוד (600 V), השוו את העלות הכוללת של SiC Schotky לעומת סיליקון די.

מסקנה

שטאקי ו- PIN דיאודות משרתות תפקידים נפרדים באלקטרוניקה כוחית והנדסת RF. Schotky diodes מצטיינים בצמיחה נמוכה, מהירות גבוהה, ויעילות קריטיות רזולוציה, בעוד PIN diodes הם הכרחי עבור גבוה קידוד, גבוה כוח RF החלפת ועלייה.כל טכנולוגיה יש את החוזקות שלה ומסחר- off-con-outs: נמוך לעומת מתח גבוה יותר, מעבר לחץ דם נמוך, יכולת גבוהה יותר, לעומת ביצועים מהירה, לעומת ביצועים גבוהים יותר, ראייתיים, לעומת ביצועים גבוהים יותר, לחץ דם גבוהה, ובקרת לחץ גבוה יותר, לעומת ביצועים גבוהים ובקרת לחץ גבוה יותר, לעומת ביצועים גבוהים, לעומת ביצועים גבוהים יותר, לעומת ביצועים גבוהים יותר, לעומת ביצועים גבוהים יותר, לעומת ביצועים גבוהים יותר, שמירה על ידי תפקוד נמוך יותר, שמירה על ידי תפקוד נמוך יותר, שמירה עלות גבוהה, לעומת ביצועים גבוהים, לעומת ביצועים גבוהים, לעומת ביצועים גבוהים, ביצועים גבוהים, שמירה על ידי תפקוד נמוך יותר, לעומת ביצועים גבוהים יותר, ביצועים גבוהים ורמת דיוק גבוה יותר, ביצועים גבוהים יותר, ביצועים גבוהים יותר, לעומת ביצועים גבוהים יותר, לעומת ביצועים גבוהים, לעומת ביצועים גבוהים, לעומת ביצועים גבוהים יותר, ביצועים גבוהים, ביצועים גבוהים, לעומת ביצועים גבוהים, שמירה עלות גבוהה יותר, שמירה עלות גבוהה

לקריאה נוספת, התייחס להערות יישום של יצרנים מרכזיים:0 (המדריך של דיג'יאק ל-Stky diodesFLT:1, FLT:2EE Publishers on PIN diodesFLT 3: ו-FLT:4Analog מכשירים של PIN diode Applications:5 משאבים אלה מספקים תובנה עמוקה יותר, מוטציות ו-FLT.