Semiconductors יוצרים את עמוד השדרה של כמעט כל מכשיר אלקטרוני מודרני, מהמעבדים בסמארטפונים ועד לתאי פוטו-וולטאיים שממירים את השמש לאנרגיה.היכולת לשלוט בתכונות החשמליות שלהם היא יסודית להתקדמות טכנולוגית.אחת השיטות החזקות ביותר להשגת שליטה כזו היא היישום של שדות חשמליים חיצוניים, כאשר שדה הנדסת חשמל מוחל על מוליכים למחצה, הוא משנה ישירות את החומרי & #2019; מבנה אלקטרוני של מחקר אלקטרוני (FST) מאחורי מערכת ההפעלה של חומרים מתקדמים של חומרים אלקטרוניים (חומרים חשמליים) הוא רק על ידי אלקטרו-אורדינטקטיביים (חומרים חשמליים) ו-או-חומרים חשמליים (חומרים חשמליים) אשר פועל על ידי אלקטרו-מתקני אבטחה (חומרים חשמליים) ואפקטים חשמליים (חומרים) של חומרים מתקדמים של חומרים חשמליים (חומרים) ואפקטים חשמליים, כלומר, כלומר, כאשר שדה מוליכים למחצה, כאשר שדה חשמלי של חומרים חשמליים, כלומר, כלומר, כלומר, כלומר, כלומר, כלומר, כלומר, כלומר, כאשר שדה חשמלי, כאשר שדה חשמלי של חומרים חשמליים, הוא רק על ידי אלקטרו-אפקטים חשמליים, כלומר, הוא פועל על ידי אלקטרו-אפקטים מתקדמים של חומרים חשמליים, כאשר שדה חשמלי של חומרים חשמליים, כלומר, כאשר שדה חשמלי, כאשר שדה חשמלי

יסודות של Semiconductor Band Structures

כדי להבין את ההשפעה של שדה חשמלי, יש קודם כל להבין את הרעיון של מוליכים למחצה & #x2019; מבנה הלהקה. Inline מוצק, רמות האנרגיה של אטומים מבודדים להרחיב ללהקות מתמשכים בשל הסדר המחזורי של אטומים.שני הלהקות החשובים ביותר הם הפער העליון של FLT:0valence BandFLT:1, אשר מלא אלקטרונים בטמפרטורות נמוכות, ואת ה-Flastion בין 2:

The Valence and Conduction Bands

אלקטרונס בלהקת הסגלגלות הם קשורים הדוקים לאטומים ואינם תורמים להתנהלות חשמלית בתנאים רגילים.בניגוד לכך, אלקטרונים בלהקת ההנעה חופשיים לנוע לאורך כל הקריסטל, ומאפשרים זרם חשמלי לזרום. פער הלהקה קובע אם חומר מתנהג כמו אינטגרטור (פעמיים גדולים, למשל, יהלום), מנצח (לא, זרם אלקטרוני), או חצי-צורה (צורה) של 0.2) כגון סיליקון (אפקטים) של חומר (Vide) (R) (Divers) (Diversalertual) (Diversal) (Dertual) (Diversal) (Diversal) (Diversal) (Derative) (Derative) (Diversal) (Dertual) (Raterfretual) (Raterfreative) (R.com) (R.comtual) (R.comtative) (R.comtualtratual Conducten) (R.com) (R.com) (R.comtative) (R.com) (R.comtualtratualtratualtradlefretative)

הלהקות גאפ והחשיבות שלו

גודל הפער של הלהקה שולט בתכונות מכשירים רבות, כולל אורך הגל של אור שניתן לספוג או להיפלט ואת המתח המקסימלי המכשיר יכול לעמוד.ב גביש אידיאלי, לא מופרע, הקצוות של הלהקה שטוחים ומדים.עם זאת, כל שיבוש ו- #x2014; כגון הצגת חסמים, מתח מכני, או שדה חשמלי חיצוני ߞ ניתן לעוות אלה, כגון פעולות אלקטרוניות, ולכן, כלומר, כגון: כיצד פעולות בקרה אלקטרונית.

מכניזם פיזי של אינטראקציה חשמלית

כאשר שדה חשמלי חיצוני מוחל על מוליכים למחצה, הוא מפעיל כוח על חלקיקים מואשמים ו- #x2014; הן אלקטרונים והן חורים.כוח זה יכול לכופף את להקות האנרגיה, לשנות את רמות האנרגיה, ולחלק מחדש את נושאות.שלוש השפעות עיקריות בולטות: FLT:0band bendingFLT:1, the FLT2Stark EffectFLT3, and FLT5R.

Band Bending at Interfaces

אחת ההשלכות המיידיות ביותר של שדה חשמלי חיצוני היא חתירה.על פני השטח של מוליכים למחצה או בממשק בין שני חומרים שונים, השדה המיויש משנה את הפוטנציאל אלקטרוסטטי המקומי.הריאציות הפוטנציאליות הזו מתורגמת לתוך הטיה או רפה של קצה הלהקה. לדוגמה, במבנה מתכת-חמצני-סולן-סולן (MOS), שער חיובי מושך אלקטרון לשכבה גבוהה כדי ליצור מתח זה, או הפוך, הוא גורם למתח גבוה, אם הוא הפוך, כמו מוליכים למחצה, כמו מוליכים למחצה, או מוליכים למחצה, או מוליכים למחצה, כמו מוליכים למחצה, אם זה, הוא מסוגל לנהל את המוליכים למחצה, אם זה, כמו מוליכים למחצה, כמו מוליכים למחצה, כמו מוליכים למחצה, כלומר, הוא מסוגל לנהל את התבנית הנוכחית, או מוליכים למחצה, אם זה, אם מוליכים למחצה, באופן די גבוה, אם זה, הוא הפוך, הוא הפוך, הוא הפוך, כמו מוליכים את המוליכים למחצה, כמו מוליכים למחצה, כמו מוליכים למחצה, באופן די גבוה, כמו מוליכים למחצה, כמו מוליכים למחצה, אם זה, הוא מסוגל לנהל את המוליכים למחצה, כמו מוליכים למחצה, כמו מוליכים למחצה, אם מוליכים למחצה, אם מוליכים למחצה

Band Bending גם ממלא תפקיד קריטי ב diodes ו heterojunctions. אזור המחיקה אשר יוצר על פני מתכת-semiconductor מגע רחב או צרים בתגובה לשדה חיצוני, שינוי גובה המחסום ואת המאפיינים הנוכחי-voltage. Precise מודל של כיפוף הוא חיוני עבור לחזות ביצועים, במיוחד ב miniaturated תופעות לוואי שבו שולט על פני השטח.

אפקט סטארק

אפקט פלאק (FLT:0) אפקט FLT:1 מתייחס לשינוי ולפיצול של רמות אנרגיה בנוכחות שדה חשמלי חיצוני.In Semiconductors, אפקט סטארק מתגלה כשינוי פער הלהקה האפקטיבי.עבור חומרים גדולים, ההשפעה היא חלשה ולעתים קרובות מאפילה על ידי מזחלות, אבל זה הופך משמעותי nanostructures כגון קוונטים, חוטים, ונקראים היטב עבור צינורות חשמליים, כגון, כגון, כגון, כגון, כגון, כגון, צינורות, כמו גם, כגון, כגון, כגון, כגון, כגון, כגון, צינורות, כגון, צינורות, ומצעים פוטנציאליים, כמו גם, כגון, כמו גם, כגון, כגון, כמו גם, כגון, כגון, כגון, ציפוי, כמו גם, כמו גם, כמו גם, ציפוי, ציפוי, כמו גם, ציפוי של אלקטרון, כמו גם, כמו גם, כמו גם, ציפוי של אלקטרון, כיוונים חשמליים, כמו גם, כמו גם, כמו גם, כגון, כמו גם, כמו גם, כמו גם, כמו גם, ציפוי, כמו גם, ציפוי של צינורות, כמו גם, ציפוי, ציפוי, כמו גם, ציפוי של צינורות, כמו גם, כמו גם, כמו גם, כמו גם, כמו גם, כמו גם, 000, כיוונים חשמליים, כמו גם,

QCSE מנוצלת באופן נרחב במודולטורים אלקטרו-אבסורטיביים ומתגים אופטיים.על ידי הפעלת מתח, קצה הקליטה של שינוי קוונטי לאורך גל ארוך יותר, ומאפשר למכשיר לשנות את עוצמת האור במהירויות גבוהות.הכוח של האפקט תלוי בגיאומטריה הגבילה והרכב החומרי, מה שהופך אותו כלי צדדי עבור מעגלים משולבים פוטוניים.

הפצה מחדש של חברת Carrier ו- Drift

שדה חשמלי חיצוני מפעיל כוח סחף על נושאי מטען ניידים.אלקטרונים נעים בכיוון ההפוך לשדה, בעוד חורים נעים בכיוון השדה.סחף זה גורם חלוקה מחדש של ספקים בתוך מבנה המכשיר.בשדה מוליכים למחצה פשוט, שדה אחיד מייצר ⁇ ליניארית בריכוז המוביל.

חלוקה מחדש של נושאת אינה מוגבלת לתנאי מצב יציבים.תופעות טרנספורמטיביות, כגון הדור וההשביעה של זוגות חור אלקטרונים, מושפעים גם משדות חשמליים.בתא סולארי, למשל, שדה בנוי (היציאה מהצומת) מפריד בין נושאי צילום מלוכדים לפני שהם יכולים לנסח מחדש, לתרום לתצוגה חיצונית של התמונה הנוכחית, יכול לשפר את הפשטות, אך גם את היעילות הדינמית של פעולות הפעלה מחדש של תאים.

אפקטים מתקדמים ב-Nanostructures

כמו מכשירים חצי-מוליכים מתכווץ לנונומטרי, אפקטים חדשים מופיעים כי הגדלה או שינוי התגובה לשדות חשמליים.אפקטים אלה אינם רק מסקרנים מבחינה מדעית, אלא גם מאפשרים פונקציונליות מכשיר חדשנית.

אפקט ה-Fk הקוואנט

מוקדם יותר, אפקט Stark הקונטימנטי מגיע דיון עמוק יותר בשל חשיבותו באופטואלקטרוניקה.בטוב הקוונטי, האלקטרונים והבור מוגבלים במימד אחד.שדה חשמלי יישומי נוטה את הפוטנציאל היטב, מה שגורם לאלקטרון להשתנות לכיוון צד אחד והבור לכיוון הצד ההפוך.

מודולרים קוונטיים המבוססים על QCSE יכולים לפעול במהירויות מעל 40 Gbit /s, מה שהופך אותם אידיאליים עבור תקשורת סיבים אופטיים.יתר על כן, את ההשפעה ניתן מהנדס על ידי בחירת רוחב וגובה מחסום טוב יותר. Narrower מציג מגבלות חזקות יותר ולכן שינויים גדולים יותר של סטארק עבור שדה נתון, למרות שעלות של מכשירים מודרניים מופחתים לעתים קרובות להשתמש במספר רב של קוונטים כדי לאזנים אלה.

שינוי מינון

טכניקה מתקדמת נוספת המנצלת שדות חשמליים היא doping Modulation, שבו גז אלקטרוני דו-ממדי (2DEG) נוצר ב heterointerface. in a high-electron-mobility (HEMT), חומר פס רחב פסגפ (למשל, AlGaAs) הוא מוגבל עם תורמים, בעוד חומר קצר-bandgap (למשל, גאדג'ומטר) נשאר מנותק ממחזור חשמלי 2Gopularrated, הוא זרם חשמלי, עם זרם חשמלי יוצא דופן, עם זרם חשמלי, עם זרם חשמלי, עם זרם חשמלי, עם זרם חשמלי, הוא מורכב 2Gopularrcstgopularrcd 2Goped 2Gopated, הוא עדיין מ-ofd, 000.

Modulation doping ממחיש כיצד ניתן להשתמש בשדות חשמליים כדי ליצור ערוצי ביצועים גבוהים עבור טרנזירים ומכשירים קוונטיים.המושג הורחב עבור מערכות חומר אחרות, כולל סיליקון / silicon-germanium ו גרניופן / Hexagonal בורון nitride, המדגים את האוניברסליות של הנדסה מבוססת שדה.

השלכות למכשירים אלקטרוניים

היכולת לשלוט מבני הלהקה עם שדות חשמליים היא מה שעושה מוליכים למחצה כל כך תכליתי.כמעט כל מכשיר אלקטרוני פעיל מסתמכ על אחד או יותר מהאפקטים המתוארים לעיל. להלן הם קטגוריות המכשיר המרכזי שבו שינויים של הלהקה המושרה על פני השטח הם חיוניים.

Transistors (FET)

Transistor שדה-אפקט טרנזיטור הוא המכשיר המוליכים למחצה ביותר בכל מקום.בשדה מתכת-פחמי-פחמי-פחמי-פחמי-חומרי (MOSFET), מתח השער חל על שדה חשמלי חודר לערוץ.שדה זה גורם להחלפת עיגולים בממשק סיליקון-תחמוצף, יצירת ערוץ (שכבת העיוות) בין המקור לסף שבו הוא מתח מתכתי במהירות נמוכה יותר וגורם לתפקוד מתכתי לחץ נמוך יותר.

מעבר לסיליקון המסורתי CMOS, ארכיטקטורות FET חדשות כגון finFETs ו- Gate-all-round (GAA) טרנזיסטורים מסתמכים על בקרת שדה חשמלי תלת-ממדית כדי לדכא אפקטים קצרים ערוצים.במכשירים אלה, השדה החשמלי ממספר השערים מעצימים את הפוטנציאל, צמצום הדלפה הנוכחית ושיפור השלמות האלקטרוסטטית.

תאים סולאריים ופוטטקטורים

בתאים פוטו-וולטאיים, שדה חשמלי פנימי (בדרך כלל מצומת p-n או p-i-n) מפריד בין זוגות פוטו-מוחיים מקודמים, מניע אותם למגעים מנוגדים.יעילות התהליך הזה תלויה בגודל ובהתפלגות השדה על פני שכבת הקלטנים, ניתן להשתמש בהטיה חיצונית כדי לייעל את הגורם המלא, אך ההטיה הפוכה יכולה להציג מנהרה או השפעה, הפחתת תפקודים בטווח הארוך, כמו גם על תאים סולריים.

Photodetectors, במיוחד פוטודיודות avalanche (APDs), לנצל שדות חשמליים כדי להכפיל נושאים באמצעות ionization השפעה. על ידי יישום הטיה הפוכה חזקה, השדה הופך גבוה מספיק כדי להאיץ את נושאות לאנרגיות שבו הם יכולים ליצור זוגות חד-חור אלקטרוני משניים, מתן רווח פנימי.פרופיל המרחבי של השדה חייב להיות מונדס בזהירות כדי להימנע מהתמוטטות מוקדמת תוך כדי למקסם את הרגישות הנדסית, כולל שימוש בקליטת חומרים נפרדים, עבור אזורים קריטיים, הוא בעל השפעה נמוכה, הוא בעל השפעה נמוכה, הוא בעל השפעה.

חיישנים ומודולטורים

שינויים קבוצתיים הנגרמים על ידי שדה חשמלי משמשים גם בחיישנים כימיים וביולוגיים.לדוגמה, transistors (ISFET) למדוד pH על ידי זיהוי שינויים במתח הסף הנגרמים על ידי שינויים פוטנציאל פני השטח.המנגנון הבסיסי הוא מתפתל בממשק C-electrolyte , אשר הוא מסתמך על ריכוז של מוטציות מימן, באופן דומה אלקטרואופטימי על אותות המבוססים על ידי אפקט גל CSE (Ficic) של אפקט גליקו-Dolexicolexicolexicoltolt) שונה של אפקט של חומרת (אפקטים) או אפקט CPTDolcuenticolcuating (אפקט CPTDolexel) המופעל על ידי אפקט COP) המופעל על ידי אפקט CBT (אפקט חזותי של חומר מכני) המופעל על ידי אפקט של חומר מכני) המופעל על ידי אפקט של חומר אלקטרואקטיבי) המופעל על ידי אפקט של אפקט של חומר אלקטרואקטיבי) המופעל על ידי אפקט של חומר אלקטרואקטיבי) המופעל על ידי אפקט של חומר מכני) המופעל על ידי אפקט של חומרת (Caulidicolcuamicolcuating SDKide (אפקט חזותי של חומר מכני) המופעל על ידי גירוי חשמלי שונה של חומר מכני) המופעל על ידי אפקט של חומרת (

יישומים מתעוררים כוללים מחשוב נוירומורפילרפי, שבו התנהגותם של מכשירים memristive מכוונן על ידי שדות חשמליים, ומחשוב קוונטי, שבו קודמו דוטים קודמים מקובעות קודקוד.

שיטות מדידה ואפיון

כדי ללמוד כיצד שדות חשמליים חיצוניים משנים מבני הלהקה, החוקרים משתמשים במגוון שיטות ניסיוניות.FLT:0Capacitance-voltage (C-V) profilingFLT:1 הוא טכניקה סטנדרטית למדידת הלהקה בממשקים.על ידי סחף את ההטיה המתושמת ומדידת את ה-FEP-Fin-Foluptance של מתכת-Switch (F) ו-Folowdowdance) ב-Fin-Fin-Fin-Folture (Fin-FolemiOS) הוא שינוי ה-Flumn-Fin-Foluptescence) ו-Fin-Flumin-Fin-Finated (Folturedance) ו-Foluptescence) עם שינוי ה-Finated (Fin-Fin-Folture) ב-Finated (Fin-Fin-Flumin-Fluminated) עם ה-Finated אלקטרו-Fin-Folture) ו-Finated (Fin-Fol-Finated) ב-Folowdowdemtescence) ו-Folemta

(FLT:0Kelvin Research microscopy כוח (KPFMrea) 1 מספק מדידות נפתרות מרחבית של פוטנציאל פני השטח, המאפשר הדמיה ישירה של להקה על פני השטח nanostructured.FLT:2 photoemission spectroscopyFLT 3 (למשל, XPSUPS) יכול לבדוק את המבנה האלקטרוני של פני השטח תחת שדות מוחלים, אם כי הם כוללים שינויים ספציפיים של זמן סימולציה עבור שיטות חלופיות עבור שיטות חלופיות של זמן.

כיוונים עתידיים ואתגרים

בעוד ממדים למכשיר ממשיכים לכווץ, הבנה ושליטה באפקטים שדה חשמליים בקנה מידה האטומי הופך להיות חשוב ביותר.אתגר גדול אחד הוא התפקיד הגובר של שדות שוטים ומגבלות קוונטיות, אשר יכול לעוות להקות בדרכים בלתי צפויות.לדוגמה, בחומרים דו-ממדיים כמו פיזור מטושטש של טיטואידים (MoS2) או זרחן שחור, הפער רגיש מאוד לשדות חשמליים בשל רגישות אלקטרו-אטורית מופחתת לאלקטרוניקה זו דורש גם מצריכה של אלקטרוניקה מדויקת.

גבול נוסף הוא השימוש בחומרים ferroelectric בערימות השער.הקוטב הבנוי של שכבת ferroelectric יכול לפעול כשדה חשמלי הניתן להחלפה, תוך צמצום המתח הדרוש כדי להשיג צפי להקה ומאפשר זיכרון לא-volatile. עם זאת, בין קוטבי ferroelectric ומבנה מוליכים למחצה מורכב ויכול להוביל ל depolarization שדות זה ביצועים.

בתחום טכנולוגיות קוונטיות, שדות חשמליים משמשים לשליטה בספין-ביטס בסיליקון או גירוד ארמד קוונטית dots.האתגר הוא לבודד את ה-qubit מרעש מטען תוך שמירה על ניתוח שער מהיר.התקדמות בחומרים טוהר ומכשירים בכזוכיים דוחים את זמני ההקפה של qubits כאלה כלפי מ- מילימטרים, אבל שיפורים נוספים דורשים הבנה מיקרוסקופית של איך מבנים חשמליים.

לבסוף, שילוב של חומרים נפרדים (למשל, 3-V מורכב מוליכים למחצה על סיליקון) מבוסס על ניהול של מאחזים של הלהקה ושדות בנויות ב Heterointerface. Thick Changeשכבות ו dipoles בין-גזעיים יכולים להציג שדות חשמליים לא רצויים אשר degrad נשא ניידות.

מסקנה

(FLT:0) שדות חשמליים המתמחים הם כלי רב עוצמה עבור מניפולציה של מבני הלהקה האלקטרוניים של מוליכים למחצה, המאפשר את הגמישות התפקודית המגדירה אלקטרוניקה מודרנית ופוטניקה.FLT:1 מן התהליכים הבסיסיים של הלהקה החלת ואפקט סטארק להמשיך תופעות מתקדמות יותר כמו אפקט ייצור כוכבים ומודולציה מודולציה, היכולת לשחזר אנרגיה מוחלשת עם אינספור חומרים מתקדמים יותר אטומיים, כמו מערכות מתקדמות של מוליכים למחצה, כמו חומרים מתקדמים יותר אטומיים, כמו החידושים אטומיים, כמו החידושים מתקדמים יותר מובנים, כמו מובנים, כמו מובנים, כמו מובנים מתקדמים יותר מובנים, כמו מובנים, כמו מובנים מתקדמים יותר מובנים מתקדמים יותר מובנים, כמו החידושים מתקדמים יותר מובנים, כמו החידושים מתקדמים יותר החידושים מתקדמים יותר מובנים של מערכות מתקדמות החידושים מתקדמים החידושים אטומיים החידושים החידושים החידושים החידושים החידושים מתקדמים אטומיים אטומיים מקיפים מקיפים יותר מקיפים מקיפים מקיפים יותר מקיפים יותר מקיפים יותר אטומיים מנגנונים מתקדמים מקיפים מקיפים מקיפים מקיפים מקיפים מקיפים מובנים, כמו החידושים החידושים מובנים, כמו מובנים, כמו מובנים, כמו אטומיים

(ב) ויקרא: "בְּהִנְּבְּבְהִיתִיתִיתִיתִיתִיתִיתִיתִיתִיתִי" (במדבר כ"ד)

  • (ב) ,0) מבנה הלהקה הסטורונית (Electronic Bandroughment Structure) 1 & #x2014; מושגים בסיסיים.
  • (ב) ,0) אפקט סטארק (Stark EffectFLT:1 ו-#x2014; דיון מפורט על שינויים ברמת האטומים וה מוצקים.
  • (ב) [15] ,9,5, ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • (ב) [15], ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • (ב) ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇