ההשפעה של ריכוז הפחתת האיכויות החשמליות של Power Diodes

הקדמה: לעשות את עיצוב ראשוני Lever ב Power Diodes

דידות כוח הן העורכים של אלקטרוניקה המודרנית של כוח, המשרתים פונקציות החל תיקון פשוט באספקת חשמל כדי לעבור במהירות במכשול ו clamping inductive. בעוד צומת P-N הבסיסי יוצר את הבסיס של דיודה, השליטה המדויקת על לעשות ריכוז בתוך שכבות המוליכים למחצה שלה מכתיב את דירוג המתח של המכשיר, יעילות, מעבר, מהירות, ו rial Doping מסגרת הפעלה של רכיב חשמל טהור.

הפיזיקה של Doping in Power Structures

(ההתנהגות החשמלית של דיוודה כוח מושרשת במניפולציה של ריכוזי נושאות.על ידי הצגת אטומי התורם (בדרך כלל Phosphorus או Arsenic עבור N-type) או לקבל אטומים (Boron for P-type) למתח של סיליקון, ריכוז ה- Pedrinsic של נסחף גבוה יותר (N-Fated) הוא לעתים קרובות מגובה רוחב של נושא גבוה יותר (N) ו- NFated) של ריכוז גבוה יותר (N-D-D) הוא רוחב עליון (לא- NLT2D) תחת לחץ גבוה יותר רוחב עליון (לא- NLT) הוא אורך טווח גבוה יותר של ריכוז גבוה יותר של NLT) ו- NLT) הוא אורך רוחב של ריכוז גבוה יותר של NLT2D) תחת לחץ גבוה יותר גבוה יותר של חומר עליון (N- NLT) ו- NLT) הוא אורך טווח (לא- NLT) הוא אורך רוחב של ריכוז גבוה יותר גבוה יותר גבוה יותר של ריכוז גבוה יותר גבוה יותר של ריכוז גבוה יותר גבוה יותר של ספירת גבול גבוה יותר של NLT- NLT) תחת לחץ גבוה יותר של NLT- N- N- NLT) ו- NLT- N- N- ND- N

ההשפעה של ריכוז Doping על פרדוקס חשמלי Core

« « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « « «

[ה] ירידה במתח קדימה היא מדד יעילות קריטי לנטייה קדימה, ההתנגדות של אזור הסחף היא התורם הדומיננטי ל-VirFLT:0FcioFLT:1 ברוב דידות הכוח.הומנטלית היא פרופורציה ישירה של האזור הנסחף, ובכך הופכת את ההתנגדות המסובכת יותר לריכוז ה- VFLT:2DFalurecio, כאשר היא מצמצם את רמת ההתנגדות הנוכחית שלה, לעומת זאת, לעומת זאת, היא מעצימה יותר מעצימה את רמת ההתנגדות הגבוהה ביותר, כאשר היא נמוכה יותר מעצימה את רמת הפחתת רמת הפחתת רמת הנטוחתמת את רמת הנטו של הנטולתרכת הנטולת הנטולת הנטו של הנטונציה גבוהה יותר, כאשר היא גבוהה יותר, כאשר היא גבוהה יותר, כאשר היא גבוהה יותר, כאשר היא גבוהה יותר, כאשר היא גבוהה יותר, אם כן, כאשר היא מעצימה.

← ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇

(ה) אולי פרמטר האופטימיזציה הישיר ביותר של מינון-תלוי בגוון כוח.המתח השבר נקבע על ידי המצב כי האינטגראלי של הסימון coefficient over the depletion Zone שווה את האחדות.עבור שכבה חד-צדדית של PFLT:0+rea de lLT 1N), המתח השבר כולל עובי מבוסס היטב על מערכת יחסים הפוכה עם רקע doping: VF2: 7DF1.

מדרש (ב"ג): "ה' (ב"ג)" (בראשית כ"ד).

זרם Leakage בגוון כוח שמקורו משני מקורות עיקריים: זרם דיפוזיה באזורים נייטרליים והדור הנוכחי באזור הפענוח.הדור הנוכחי הוא פרופורציה לריכוז המוביל הפנימי ורוחב הפענוח שהושג בעוד ריכוז doping גבוה יותר מצמצם את רוחב הדלפה (אך באופן בלתי מוגבל של הדור הנוכחי של רכיב זה), הוא גם מגביר את השדה החשמלי, אשר יכול לשפר את רמת הריכוז הנוכחית של ריכוז גבוהה יותר, במיוחד, אם כיפוף, אם כיבוי, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, באופן משמעותי, הוא מטמפרטורה גבוהה יותר, הוא מגובה של ריכוז גבוה יותר, עם זאת, עם זאת, הוא מגובה של ריכוז גבוה יותר, עם עלייה משמעותית, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם עלייה משמעותית, עם זאת, עם עלייה משמעותית, על ידי ריכוז גבוה יותר של ריכוז של ריכוז גבוה יותר של ריכוז של ריכוז של ריכוז של ריכוז גבוה יותר של ריכוז גבוה יותר של צינורות ריכוז גבוה יותר של ריכוז גבוה יותר של חלקיקים חשמליים, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם זאת, עם עלייה גבוהה יותר, עם זאת, עם זאת, עם עלייה משמעותית, עם עלייה משמעותית, על ידי ריכוז גבוה יותר של ריכוז של ריכוז גבוה יותר של ריכוז הדליפה גבוהה יותר

זמן התאוששות הפוך (tigtureFLT:0rrFLT:1) ו Softness Factor

מאפיין ההתאוששות ההפוך מוגדר על ידי הסרת המטען המאוחסן מאזור הסחף במהלך המעבר המתון.כמות המטען המאוחסן (QFLT:0rrFLT:1) הוא פרופורציה ישירות לזרם קדימה ולחיים של המוביל הנטוע, עושה השפעות ריכוז מותאמות באופן קבוע (QFLT: 1), ריכוז גבוה יותר ב ARM או buffer שכבות יוצר שדה בנוי המסייע בדיוק בשלב ה-in של אחסון נמוך).

אפשרויות ל-Fremental Trade-offs Governing Doping

מעבר לוולפלקס (The Silicon Limit)

[ה] [ה]]] [ה]]] [ה]]] [ה]]], [ה]], [ה]]], [ה]], [ה]]][ה]]]], [ה]], [ה], [ה]ה'[ה']'[ה']']']'[ה']']'[ה'[ה']']']'[ה']']'[ה'[ה']']'[ה'[ה'[ה'[ה'[ה'[ה'[ה']']'[ה'[ה'[ה'[ה']']']'[ה']']'[ה'[ה'[ה']']']']']']'[ה'[ה']']'[ה'[ה']'[ה']']'[ה']']']'[ה'[ה'[ה'[ה']'[ה']']'[ה'[ה'[ה'[ה'[ה

החלפה מהירה לעומת Leakage Current

(התאמת מהירות ההחלפה גבוהה דורשת חיים קצרים באזור הסחף.זה מושג בדרך כלל על ידי הצגת מרכזי שחזור חשמליים לתוך סיליקון באמצעות דיפוזיה פלטינה, דיפוזיה זהב, או אי-דיציה אלקטרונית, בעוד שטכניקות הרג החיים האלה מקטין את ה-FLT:0rrFLT:1 ו QFearcio:2rrLTF-3, הם באופן בלתי נמנע להגדיל את ה-מחדש של אזורי ה-DLODIFoverumeration באופן דרסטי, באופן דרמטי, באופן דרמטי, כלומר, באופן משמעותי, כלומר, פחות מ-Fovating, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000, 000 זמן, 000, 000,

התאוששות מהירה לעומת תשלום

צורת ההתאוששות הנוכחית של הגלום הפוכה היא חיונית לאמינות המערכת. A "snappy" או שחזור פתאומי מתרחש כאשר המטען המאוחסן הוא מרוקן במהירות רבה בסוף שלב ההתאוששות, המוביל לשינוי זר חד (שלב גבוה במיוחד) מצב זה הוא מחמיר דיודות עם אזור אחיד, מואר, הוא מקבל רמה גבוהה מדי של עומס גבוה, הוא מקבל ריכוז גבוה מדי, כי הוא מקבל ריכוז גבוה מדי, הוא מקבל ריכוז גבוה מדי, כי הוא מקבל ריכוז גבוה מדי, הוא גבוה מדי, הוא מקבל.

פרופילים ב-Mainstream Power Diode Architectures

P-Intrinsic-N) דידס

(ה) ⁇ (ה) היא האדריכלות הסטנדרטית של תיקון גבוה (>600V) סיליקון "הטרינר" או אזור סחף קל (I-layer) שולט במאפיינים החוסנים (הריכוז של ה- I-layer הוא בדרך כלל נמוך במיוחד (למשל, 10FLT: 12FLT 1 ל-10LT:2Freas: 3)

⁇ ktky Diodes

דלקי דידות נושאות מסתמכות על צומת מתכת-סובייקטור ולא צומת P-N. הם מכשירים מובילים הרוב, כלומר אין מטען מאוחסן מזרקת נושאות מיעוט, וכתוצאה מכך לא הפסדי התאוששות הפוכה.בסולק ספציפי של חסימה (Stky diVode) ללא תפקוד גבוה (אזור מוליכים למחצה) משמש את אותו פונקציה כמו I-layer ב PIN נמוך יותר.

שחזור מהיר (FRED)

דירות הן אופטימיזציה של PIN diodes שנועדו להחלפת מהירות גבוהה ב IGBT ו-MoafET מעגלים. הם מעסיקים פרופיל מינון אנכי מסוים, בדרך כלל מורכב מ- P+ פולטטר, אזור N-type סחף, ו- N+ buion מאפשר buography שטח גמישה, אך שכבת buffer היא התכונה המגדירה של מעצבי מודרני, מטרתו היא לשלוט על השדה החשמלי תחת חסימה לאחור ולהגיע בדיוק ל-Drecerecerecerecerecerecereceretectationerationerationerationerationerationerationeration.

Merged PIN Schotky (MPS) דידס

ה- MPS diode משלב מגע של שטקי ואזורים סולריים במבנה תא יחיד.תחת התנהגות קדימה, אזור ה- Ptky נושא את רוב הנוכחי, מתן נמוך Vancy FLT:0Fua סובל ביעילות מאפקט משמעותי של שיתוף פעולה מהיר יותר, אם הוא מעלה את המצב הנוכחי של שדה נקי יותר מדי, אזורי P-well במניעה מודוליבית מניעה ומניעת יעילות של ממשק חשמלי מתקדם זה חייב להיות מלחץ גבוה.

טכניקות מינון מתקדמות ב- Modern Device fabrication

עיצוב Buffer Layers and Field stop Design

מודרני גבוה מתחזים (<600V) כמעט אך ורק שימוש בעיצובים שדה-stop מופעל על ידי שליטה מדויקת של doping. במקום מבנה P-I-N פשוט, אזור סחף מוארך הוא ואחריו אזור מימן מאוד doped N-bu. יצירת שכבת bu זה מושג באמצעות צמיחה אפי-סיבית, פיזור עמוק, או מספר רב שלשת אנרגיה גבוהה.

שליטה על החיים והדופינג המקומי

[ההההקדמה מכוונת של מרכזי התחדשות, במקום להרוג באופן אחיד את החיים על פני כל הוואפר, טכניקות מודרניות להשתמש הרג חיים מקומי; למשל, אי-דיציה אלקטרונית ניתן להתמקד בצד הרוד כדי להפחית את יעילות ההזרקה ללא שכפול של מחזור החיים של EFolating באופן דומה, השתלת פרוטון יכול ליצור אזור עמוק, מקומי של מחזור חיים מופחת ליד ה-Fondowd, המאפשרת באופן מסורתי, עם רמות מסחר של 2.

מסקנה: אופטימיזציה של מינון עבור ביצועים של יישומים-Specific

ריכוז ההיגוי של כוח דיוודה אינו רק פרמטר ייצור; הוא המשתנה המרכזי בבעיית אופטימיזציה רב-ממדית.פרופיל ההנעה שנבחר מגדיר את יכולת החסימה של המתח של המכשיר, אובדן התנהגות קדימה, מעבר מהירות, זרמי הדלפה, ועוצמה.ממ-החליפה של תפקודים ספציפיים של מערכת בקרה גבוהה יותר, מאפשרת אלקטרוניקה מתקדמת יותר, כמו אפקט של יכולת ניהולית כוח עמוק יותר, באופן משמעותי, כדי למנוע שינוי ברמה גבוהה יותר, כמו גם את היכולת של תפקוד עמוק של כוח אלקטרוניקה, כמו גם את רמת תפקוד עמוק יותר, כמו גם את רמת תפקוד עמוק יותר, כוח אלקטרוניקה גבוהה יותר, כמו גם אלקטרוניקה, כמו גם אלקטרוניקה, כדי למנוע את היכולת של כוח אלקטרוניקה גבוהה יותר, כדי למנוע את היכולת של כוח אלקטרוניקה גבוהה יותר, שמירה על ידי שינוי עמוק יותר, כוח אלקטרוניקה, כוח אלקטרוניקה גבוהה יותר, כוח אלקטרוניקה, כדי למנוע יעילות גבוהה יותר, כדי למנוע את היכולת של תפקוד עמוק לתוך יעילות גבוהה יותר, כוח אלקטרוניקה, כדי למנוע יעילות גבוהה יותר, כדי למנוע יעילות גבוהה יותר, כוח אלקטרוניקה, כוח אלקטרוניקה, כוח אלקטרוניקה, כדי למנוע יעילות גבוהה יותר, כוח אלקטרוניקה גבוהה יותר, כדי למנוע את היכולת של כוח אלקטרוניקה גבוהה יותר, כדי