מבוא ל-High-Frequency RF Amplifier

מגברי RF גבוהים הם עמוד השדרה של מערכות תקשורת אלחוטיות מודרניות, מתקני מכ"ם, קישורים לווינים, ותשתית שידור.מגברים אלה חייבים לספק רווח יציב, רעש מינימלי, ואת ליניאריות גבוהה על פני להקות תדרים החל ממאות מהנדסים מגה-הרץ ועד עשרות של רכיבים קריטיים של גירוי ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ , עם דרישות ביצועים אלה זה בזהירות של כל חומר ומשמשים בשימוש בבנייה של מבנים של גלאי-מדגם שלילי של , או ירידה גרועה, או ירידה , או ירידה , או ירידה חמורה של חומר הדבקה , או ירידה , או ירידה , או ירידה חמורה של חומר , או פגום , או , עלולים-מתאים-מתאים , או , או ירידה חמורה של חומר , או , כלומר , כלומר , או ירידה חמורה של חומר-מתאים-מתאים באופן משמעותי , או ירידה משמעותית ⁇ , או , או ירידה משמעותית של חומר-מרכיב זה יכול להיות יעיל ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ פגום, או פשטניתובטיבית פשטנית פשטניתובעתית, או ⁇ פשט

חומרים מורכבים: הקרן של ביצועי RF

תת-המצע משמש כפלטפורמת מכנית וסביבת חשמל עבור כל מעגל המגבר. בתדרים גבוהים, תכונות תת-קרקעיות כגון קבוע דיאלקטרי (εr), פיזור (Df), ו מוליכות תרמית משפיעות ישירות על מהירות הפחתת אותות, הפסדים, ופירוק חום. בחירת המצע הלא נכון יכול לשלול את היתרונות של אפילו את המכשירים הפעילים ביותר.

Ceramic-based Substrates

(FLT:0) Aluminum תחמוצת (אל2O3)veFLT:1, בדרך כלל נקרא alumina, נשאר substrate כוח מגברי RF.ה מוליכות תרמית גבוהה שלה (~25 W / mK) וקבוע גלימה מתון (כ 9.8) להפוך אותו מתאים יישומים הדורשים התפשטות חום יעילה.

(FLT:0) oxide (BeO)veFLT:1 מציע אפילו מוליכות תרמית גבוהה יותר (-250 W/mK) אבל הוא רעיל ודורש טיפול זהיר במהלך הייצור.זה בדרך כלל שמור עבור מגברי כוח גבוהה או אווירו חלל קיצוני שבו מתפזר חום הוא המגביל העיקרי.

נמוך-Los Laminates (PTFE-מבוסס)

עבור מיקרוגל ו מילימטר-גליצרי גל, <חזק>Rogers RT/Duroid ותרכובות מבוססות PTFE הן תקני תעשייה.חומרים אלה כוללים גורמים נמוכים מאוד (Df < 0.0015 ב 10 GHz) וטווח רחב של קבועות דיאלקטריות (מ- 10.2) , ⁇ נמוך מאפשר סימנים להפסדים=p = סגסוגת גבוהה של זיהום (D3) ו-D.

גזע אורגני וגבוה להמונים

בעוד פחות נפוץ בתדירות קיצונית, להבה-רדנט (FR-4) ו-Tg epoxy laminates מופיעים במגברי RF זולים יותר הפועלים מתחת 1 GHz.ההפסדים המשתנים הגבוהים יותר שלהם ו- consistent epoxyer להפוך אותם ללא מתאימים עבור דיוק תואם או מחסנים גבוהים של ROB (עד 6GHz), כמו MTFR2D2D) LT2D2TR.

Quartz ו- Sapphire

ליציבות הגבוהה ביותר ולהפסדים הדיאלקטריים הנמוכים ביותר, FLT:0crystalline quartzcioFLT:1 (εr ⁇ 3.78) ו-FLT:2sapphirephFLT 3: 3 ( ⁇ 9.4 עד 11.6 בהתאם לכיוון קריסטל) משמשים מעגלים מיוחדים ופילטרים.

חומרים מתקדמים ו-Plating Materials

ההפסדים של התנהגות הופכים דומיננטיים בתדרי מיקרוגל עקב אפקט העור.ההתנגדות ה- AC האפקטיבית של עקבות נחושת ב-10 GHz היא בערך 2-3 פעמים ההתנגדות של DC, ואפילו אי סדירות משטח קטנים גורמים לאובדן נוסף.הבחירה של מתכת ו plating היא קריטית.

קופר פולס ו- Electroplated Copper

(FLT:0) CopperveFLT:1) הוא המנצח ברירת המחדל בשל מוליכות גבוהה שלה (58 MS /m) ו תאימות עם תהליכים של PCB רוטינגציה. עבור מגברי RF, אלקטרודקטורים פרופיל נמוך (ED) נחושת עם עודף משטח מינימלי הם מועדים.Roled anealed (RA) נחושת מספקת אפילו משטחים נמוכים יותר ואותנטיות טובה יותר בתדרים מעל 20GHz, אם כי הוא בדרך כלל 1 ozry הוא בדרך כלל על ידי נחושת.

זהב מדהים

(FLT:0)GoldveFLT:1) הוא מועסק באופן נרחב כסוף סופי על מגעים, דפי אג"ח, משטחי קרקע.למרות שלזה יש מוליכות נמוכה יותר מאשר נחושת (~45 MS/m), אינטונציה שלה מונעת חמצון צלחת ומבטיחה חיבורים אמינים על פני שנים של רכיבה על אופניים תרמיים (EN) הוא שפע פופולרי עבור מערכי RF: 199 ליטר זהב נמוך יותר, בעוד שברשותם של פחמן, כאשר הוא חסימת חיבורים של פחמן נמוך יותר.

Silver & Silver Alloys

(FLT:0)SilverveFLT:1 מציג את מוליכות הרובה הגבוהה ביותר של כל מתכת (63 MS /m), אך לעתים רחוקות הוא משמש כמנצח עיקרי עבור מגברי RF בשל הנטייה שלה לטחיש אלקטרו-מציג תחת שדות חשמליים גבוהים. Silver plating מופיע במחברים מיוחדים ו cavity resonators שבו נדרשת Q הוא תנאי, וכאשר הסביבה נשלטת היא חלק מקבצי חשמל סלולאריים.

חומרים מתקדמים

חוקרים חוקרים חוקרים את ה-FLT:0 graphenFLT:1 ו-FLT:2 פחמן ננו-tubesFLT 3 עבור חיבורי RF עתידיים בשל ניידות גבוהה מאוד שלהם.עם זאת, חומרים אלה עדיין אינם בוגרים מספיק עבור בנייה מגברי RF מסחריים.

חומרים Semiconductor למכשירים פעילים

המכשיר הפעיל – בין אם Transistor, מגבר כוח משולב, או מעגלים משולבים מיקרוגל מונוליטי (MMIC) – מבסס את רווחו של המגבר, דמות רעש, כוח פלט, ואת ליניאריות.חומר המוליכים למחצה מכתיב את גבולות התדר של המכשיר, התמוטטות מתח, ויכולת טיפול תרמי.

גליום ארנסן (GaAs)

(FLT:0)GaAssalLT:1 ; תופעות לוואי (FET) ו transistors בעלי יכולת גבוהה אדסטרציה גבוהה (HEMTs) היו מעשי העבודה של הגדלת מיקרוגל במשך עשרות שנים. GaAs מציעה ניידות גבוהה אלקטרונים (8500 ס"מ / Vs עבור אלקטרונים) ו- pga ישיר המאפשרים קרינת heterostructure יעילה (p) עבור מספר רשתות XEMO-HOLS (Ts) נמוך יותר (אונדפסים) ו-HOp (T) הוא גם תכונות של תאים XVn-HMAS (GMAS (GMAS) נמוך יותר) ו-HMAS (מתאים ל-HMAS) ו-DOL) ו-HMAS (DODOVS (DOT) נמוך יותר של תאים DVS (DOVS (T) נמוך יותר מ-HMAS) ו-HMAS (מתאים מרובים (אך גבוה יותר של תאים מתקדמים ל-DOVS (מתאים מרובים (מתאים מרובים (OVS) ו-HMAS) ו-DVS) ו-DOVS) ו-DOV

גליום ניליד (GaN)

(ב) [ה][דרוש מקור]] [ה]][דרוש מקור]] [ה[[המאה ה-20] ו[[1924]]]]]], [[1924]]]]]]]] ו[[1924]]]]]]]], [[1924]]]]]]]], [[1924]]]]]]]]]]]]]], [[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]], [[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]] ו[[1924]]]], [[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]], [[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]], [[[[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]], [[1924]]]]]], [[[[1924]]]]]]]], [[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]], [[[[1924]]]] ו[[1924]]]]]]]]]] [[[[[[1924]]]]

סיליקון גרמניום (SiGe)

(FLT:0SiGeFLT:1 bi קוטב מתכת-פחמי-המולטור (BiCMOS) תהליכים משלבים רצף מהיר במהירות גבוהה של heterojunction bi קוטבי (HBTs) עם לוגיקה סיליקון סטנדרטי CMOS סיליקון (SiGe HBTs להשיג מעל 300 GHz, מה שהופך אותם תחרותיים עבור יישומים מסחריים רבים עד 60 GHz הטכנולוגיה של פחמן נמוך יותר מ- C.

Indium Phosphide (InP)

(FLT:0)InPearFLT:1 ; HBTs ו HEMTs מחזיקים את השיא עבור פעולה בתדר גבוה ביותר, עם ערכי רגל מעל 1 THz. הם משמשים בקישורים מהירים אולטרה-גבוהים תקשורת, הדמיה גלימה גלימה גלימה גלימה, ואת מכשירים מדעיים.העלות גבוהה ו fragility של InP desfers מגבילים את השימוש שלהם כדי לקדם הגנה מיוחדת ומחקר.

המונחים: פאסיביים

רכיבים פסיביים - קבלנים, אינדוקטורים, מתנגדים ואלמנטים קו שידור - חייבים לשמור על תגובה קצבית נמוכה תדרים אוטונומיים גבוהים (SRF) כאשר פועלים בתדרים ג'יגהארץ. סטנדרטי-על פני השטח 402 מתנגדים ו capacitors עשויים להציג התנהגות משמעותית מיותרת מעל כמה מאות מגהץ, מה שהופך אותם בלתי מתאימים ל-RF עבור מעגלים מגבריים.

cc-Q Capacitors

(ב) [15] ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇

מחנכים וצ'וקים

(הופנה מהדף ⁇ ) ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇

Resistors

(ב) [ה] [ה] [ה]] [ה] [ה] [ה]] [ה]], [ה],] ניטריד או ניקל-כרומיום] מספקים ניכויים טפילים נמוכים וטמפרטורות יציבות (TCR) לדרגות חשמל מעל כמה וואט,FLT:2thick-film מתנגדים ל-FLT 3 על דבורה או אלומיניום הם בעלי נטיות מדויקות, כמו מילימטרים, כמו מילימטרים, כמו מילימטרים, או מילימטרים, או מילימטרים, הם מילימטרים, אשר אינם משתמשים בהם.

המונחים: Line Elements

במקום רכיבים חד-משמעיים, רשתות גל מגברי RF רבות משתמשות באלמנטים מבוזרים - קווי FLT:0microstrip, רצועות, קווי גל מתוכנן (CPW)FLT:1 - שהם קווי שידור טבעיים עם אימפולס צפוי.

התאמות ו Tuning Components

אי התאמה בין המכשיר הפעיל לבין העומס החיצוני (בדרך כלל 50 ⁇ ) הוא חיוני להעברת חשמל מקסימלית לינאריות.רשת התאמה מעוצבת היטב משנה את האימפולס המורכב של התפוקה של הטרנזיטור למערכת המושתלת מעל רוחב הפס הנדרש.

בסביבה הקרובה של Quarter-Wave Transformers and Stubs

(FLT:0)Quarter-wave Impedance TransformerssssIRLT 1 נעשה ממיקרו-סטריפ או חלקי פסליין הם פתרונות סטנדרטיים צרים נפוצים לפס רחב יותר רוחב פס רחב, צ'בישבב רב-ממדי או מהפך בינארי משמשים. Open- וקצר-ciated stubs מספק תגובה ביטול והפסקת הרמונית חייב להיות מייצור מדויק; מ"מ אורך של 10 מ"מ בתדירות של מגמגמות מכווץ יכול להיות מ- 10 מ"מ"מ"מ בטווח של 10 מכווץ יכול להיות מכווץ.

המונחים: Lumped-Elementing

בתדרי מיקרוגל נמוכים (below 6 GHz), התאמה חד פעמית באמצעות capacitors ו inducators הוא מעשי.עם זאת, תדירות החיוב העצמי של רכיבים אלה חייב להיות הרבה מעל הלהקה התפעולית.רבים מודרניים עיצובים מגברי RF משלבים וטכניקות מבוזרות כדי להשיג גורמי צורה קומפקטיים תוך שמירה על ביצועים רחבים.

פריט קומפרסים עבור Balanced Amplifiers

(הופנה מהדף [[1924]]]]]] [[1924]]]]]] [[1924]]]]]]]] [[1924]]]]]]]] [[1924]]]]]]]] [[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]] [[1924]]]]]]]]]]]]]]]] ו[[1924]]]]]]]]]] [[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]] ו[[1924]]]]]] [[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]] [[1924]]]]]]]]]] [[1924]]]]]]]] [[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]]]] [[1924]]]]]]]]]] [[1924]] [[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]] [[[[1924]] [[[[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]] [[[[1924]]]]]]]] [[[[1924]]]]]] [[[[1924]]]]]]]] [[[[1924]]]]]] [[[[1924]]]]]] [[[[1924]]]]]] [[[[[[[[1924]]]] [[[[1924]]]]]]]]]] [[[[[[[[1924]]

חומרים ניהוליים

מגברי RF בעוצמה גבוהה מייצרים חום משמעותי.ללא ניהול תרמי מתאים, טמפרטורות צומת המכשיר יכולות לעלות על גבולות בטוחים, צמצום הרווח והאצת הכישלון.העיצוב התרמומלי חייב להיות משולב בשלבים המוקדמים ביותר של בחירת הרכיב.

גלי חום ומפיצים

(ב) ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇

חומרים ממשקיים (TIM)

(FLT:0) העברים הירומאליים, חומרי שינוי שלב, ו- Solder preformsFLT:1 ממלאים פערים מיקרוסקופיים בין חבילת המגבר לבין הכיור החום.Indium-based Solder ⁇ s (למשל, Indalloy #2) מספקים התנהגות תרמית מעולה (80 W/mK) והם משמשים ב-reliability גבוהה של חלל כמוסות, עבור סיליקון נמוך יותר, אך דורשות סיליקון, אך דורשות סיליקון, אך דורשות סיליקון, אך דורשות סיליקון, אך ורקמותרפיות סיליקון, אך דורשות סיליקון, אך ורקמותרפיות סיליקון, אך דורשות סיליקון, הן דורשות סיליקון, אך דורשות סיליקון מופחתות סיליקון, אך דורשות סיליקון, אך דורשות סיליקון, אך דורשות סיליקון, אך דורשות סיליקון מופחתות סיליקון, אך ורקמותרפיות סיליקון.

המונחים: valel Thermal Vias

ב- MMICs ו-Amplifiers,FLT:0thermal ThroughsFreaLT:1 הם מערך של נחושת-plated באמצעות חורות קידוח ישירות מתחת לטרנסטור למות.אלה דרך חום מן ההחזקה למות אל מטוס הקרקע האחורי, אשר לאחר מכן מתפשטים לשקע חום.

חבילות וחיבורים

החבילה מגינה על המכשיר הפעיל מפני זיהום סביבתי ונזק מכני תוך מתן ממשקים חשמליים עם פרציטי מינימלית.עיצוב החבילה הוא קריטי כמו למות עצמו.

‹ OUT-HER DE LIKE D.

(ב) למניפסט מסחרי גבוה, DFFLT:0surface-prialחבילות 1Freaph (למשל, QFN, DFN) הם פופולריים בשל קלות הרכבה ועבודת מחדש.חבילות אלה כוללות משטח חשוף מרכזי להקלה תרמית ולהוביל לחיבורים ל-RF ו- DC.

Wire Bonding ו-Rbbon Bonding

(ב) [ה]:0] איגרות חוב של חוטים (FLT:1=7–2 מילימטר) הן החיבור הנפוץ ביותר עבור MMICs.החוט האג"ח מציג ניכוי של כ 0.8 nH/mm, אשר ניתן לפצות על ידי כוונון רשת התאמה גבוהה יותר, FLT:2ribbon אגרות חוב LTF3 (רחבה ו-Fmos) הם פחות יעילים יותר עם למערכות יחסים מכניות יותר.

אסיפה Flip-Chip

ב-FLT:0 (FLT:0) אריזות:0 (Flip-chipFLT:103), ה- Die הוא מופנם ומתחבר ישירות אל המצע באמצעות התנגשויות מכר או זהב (Ge-MMs) גישה זו מצמצם את אורך החיבור והחינוך, ומאפשר ביצועים גבוהים להפליא. Flip-chip הוא נפוץ עבור GaAs ו- SiGe MMs הפועלים בגלימות תרמיים, הדורשים ממין חום, לעתים קרובות, או ממין חום, או ממין, הוא צורך, או ממולידחן, הוא צורך, או ממולידגן חום, הוא צורך, או ממולידחן, הוא צורך לעתים קרובות, או ממולידחן, או ממוליד את האתגר המוליכים ישירות, או ממולידחן, או ממין.

המונחים: Hermetic Sealing

עבור פעולה אמינה בסביבות עוינות (moisture, מלח ערפל, גובה), מגברי RF שוכנו לעתים קרובות ב-FLT: חבילות אטום אטומיות אטומיות 0R1 . .חבילות אלה משתמשים בקובר (סגסוגת ברזל-ניקאל-קוטב) לחמות זכוכית ועד-מטר עבור הזנות.האטמוספירה הפנימית היא בדרך כלל חנק יבש או אטומים תורשתי מוסיף עלויות משמעותיות עבור חלל צבאי.

בחירת חומרים קריטריה: מסגרת החלטה

כאשר בוחרים חומרים עבור מגבר RF גבוה, מהנדסים חייבים להעריך מספר רב של שינויים במקביל:

  • (FLT:0) תדירות הפעולה: FLT:1 , גורם הניתוק הופך קריטי מעל 10 GHz; עודף פני השטח צריך להיות מצטמצם מעל 15 GHz.
  • (FLT:0Output power Levelure: 1FLT:1 מגברי כוח גבוהה (מעל 10 W) דורשים תת-שכבות עם מוליכות תרמית גבוהה (אל2O3, AlN, BeO) ומפיצים חום עם CTE.
  • (ב) ,0) דרישות מספריות: 1FLT:1 נמוך-לאise amplifiers נהנה מ substrates נמוכים (PTFE laminates) וגאגאס או GaN HEMTs עם קפיות מינימליות.
  • (FLT:0) הגבלות: FLT:1; זיהומים אורגניים כמו RO4350B יכולים לספק ביצועים נאותים עבור 5G מסחרי עד 6 GHz בחלק קטן של עלות תת-שכבות קרמיקה.
  • סביבה אמינה:0 (FLT:1 טמפרטורה רכיבה על אופניים, רטט וחשיפה לחות החלטות נהיגה לעבר האריזה הפתטית וחומרי CTE נמוכים.

שום חומר יחיד אינו אופטימלי עבור כל היישומים. a מכ"ם של מגמנט כוח GaN עשוי להשתמש מגבר נחושת-טונגסטן flange, alumina substrate, ו אג"ח זהב, בעוד LNA של מקלט לווייני עשוי להשתמש רוג'רס 5880 substrate, GaAs pHEMT מת, ו-p-chip מוצלח תלוי הבנה של חומרי מסחר אלה.

מגמות עתידיות ב-RF Amplifier Materials

מספר התפתחויות מבטיחות לשפר עוד יותר את ביצועי ה-RF ואינטגרציה:

  • (ה) [ה]הצמיחה הישירה או החיבור של הג'ון-און-ד'ימונד: [ה] צמיחה ישירה או קשר של ג'ון-הההה-הההה-ההההה-הההההההההההההה-ההההההההההההההההה-ה-ה-ה-ה-ה-ה-ה-ה-הההה-ההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההה
  • ייצור של מבני RF:0 (FLT:0) אדרנלין 1D הדפסה של חומרים דיאלקטריים ומוליכים מאפשר יצירת אנאנטנות גל מורכבות וחיבורים מותאמים אישית שאינם אפשריים עם תהליכי תכנון.
  • (FLT:0) אינטגרציה של RFICs ו-SoCs:FLT:1 מתקדם SiGe BiCMOS עכשיו לשלב מגברי חשמל, מגברי חשמל, משמרות שלב, ובקרת דיגיטלית על שבב יחיד, צמצום אובדן קשר וגודל מערכת.
  • (FLT:0) מטא-חומרים ומבנים אלקטרומגנטיים (EBG): 1FreaLT:1 משטחים מהונדסים אלה יכולים לדכא את ההתפשטות של פני השטח ואת ההפיכה ההדדית בין שלבים מגבריים, לשפר את בידוד ויציבות.

מסקנה

יצירת מגבר RF גבוה קידוד אשר עומד בביצועים, כוח ומטרות אמינות הוא תרגיל במדעי החומר כמו עיצוב מעגלים. מן הקבוע המשתנים המשתנים המגדיר גבולות של אימפולסים, ל מוליכות תרמית הקובעת כוח הפעלה בטוח, כל בחירה חומרית נושאת תוצאות טובות יותר.מכשירים פעילים המבוססים על GaN, GaAs, SiGe, או InP חייבים להיות מתואמים עם רכיבים פסיביים ושומרים על תפקודים ותפקודים על תפקודים גבוהים יותר.