התנגדות בישבן הם מרכיבים חיוניים במגברים טרנסיסטאור.הם מציבים את נקודת התפעול של הטרנזיטור, הבטחת פונקציונליות נכונה ויציבות.בחירת המתנגדים ההטיה הנכונה כרוכה בחישובים המבוססים על תנאי התפעול הרצויים ומאפיינים טרנזיסר.

הבנה: Transistor Biasing

הטיה transistor מבססת מתח קבוע ונוכח במסופים של טרנזיטור.זה מבטיח את transistor פועל באזור פעיל, אשר הכרחי להגדלת ההטיה הנכונה מונע עיוות ומשפר את האמינות של המגבר.

עקבו אחרי Basing Resistors

החישוב מתחיל עם הגדרת זרם האספן הרצוי (Ic) ומתח אספנים (Vce) באמצעות רווח נוכחי של transistor (hFE), את זרם הבסיס (Ib) ניתן לקבוע.ההתנגדות הבסיסית (Rb) מחושבת לאחר מכן באמצעות מתח האספקה (Vcc) ואת מתח מסכי הבסיס (Vbe).

נוסחאות מפתח כוללות:

Ib = Ic / hFE

Rb = (Vcc- Vbe) / Ib

בחירת Resistors

בעת בחירת מתנגדים, בחר ערכים מנוגדים סטנדרטיים קרובים לערכים המחושבים.חשב את דירוג החשמל כדי למנוע חימום יתר. רצוי גם לבחור מתנגדים עם סובלנות המבטיחות יציבות של נקודת ההטיה.

  • חישוב הערכים הנדרשים לאובייקטיביות במדויק.
  • השתמש בהתנגדות עם דירוגי חשמל מתאימים.
  • בחרו ערכים מנוגדים סטנדרטיים קרובים לחישובים.
  • חשבון לסובלנות מתנגדת
  • בדוק את המעגל כדי לאמת יציבות הטיה.