הבנת צריכת החשמל במעגלי CMOS דיגיטליים חיונית לתכנון מכשירים אלקטרוניים יעילים באנרגיה.זה כרוך בניתוח גורמים שונים התורמים לכוח הכולל המשמש במהלך ניתוח המעגל. מאמר זה מספק סקירה של מושגי מפתח ו החישובים המעורבים במתן צריכת חשמל בטכנולוגיית CMOS.

המונחים: Power Conducation

צריכת חשמל במעגלי CMOS מורכבת בעיקר מרכיבים דינמיים ו סטטיים.כוח דינמי קשור לטעינה וניתוק של קיבולים עומס במהלך מעבר פעילויות. כוח סטטי תוצאות מ זרמי דליפות שזרמו אפילו כאשר המעגל אינו משתנה.

עקבו אחרי Dynamic Power

ניתן להעריך את הכוח הדינמי (PigFLT:0) דינמינמי (FLT:103) באמצעות הנוסחה:

[[1924]]]]]] [[1924]]]]]]]]]] [[1924]]]]]]]]]]

איפה:

  • (FLT:0)αFeloLT:1) הוא גורם הפעילות של מעבר (מספר מעברים למחזור השעון)
  • (ב) ויקרא י"ד:2 ויקרא:2 ויקרא י"ד:
  • (ב) ויקרא י"ד: ויקרא י"ד)
  • (ב) ,0) ,Firph 1: 1 (בתרגום חופשי: ).

המונחים: Static Power

כוח סטטי (PigFLT:0) , הוא בעיקר בשל זרמי דליפות בטרנסיסטורים.

[[1924]]]]]] [[1924]]]]]]]]]]

במקום IBuildFLT:0 ,leakFLT 1 הוא זרם הדליפה, אשר תלוי בטכנולוגיה וטמפרטורה של תהליך.

צריכת חשמל כוללת

צריכת החשמל הכוללת היא סכום של רכיבים דינמיים ו סטטיים:

(ב) ויקרא י"ד): "[דרוש מקור]:2 [=ה]:2 [=ה]