עיצוב אנליסטים מתחיל כאן

כאשר מערכת מדידה חייבת לפתור אותות ברמה מיקרו-וולת או לזהות זרמים בטווח של העובר, ההטיה של המגבר המבצעית של זרם קלט הופך לעתים קרובות למקור השגיאה הדומיננטי.מכשור רפואי, chromatography, thermocouple amplifiers, ואת רמות המוליכים למחצה הופכת מנתחים הנדסיים מתקדמים יותר נגד המגבלות הללו.

מימון של Input Bias הנוכחי

זרם הטיה של Input (IFLT:0) הוא זרם DC קטן אשר זורם לתוך מסופי קלט של מגבר תפעולי או מגבר כלי להטית הטרנזירים הפנימיים.בשלבים דו קוטביים (BJT) המפורטים ברמות הפחתת אותות אולטרה סגולים הנדרשים כדי לקבוע את נקודת ההפעלה הניתוק של צומת-אפקטיבי (FJT) או מתכת-חמצני הנוכחית (DresicOS-Dconducter) מלמטה-R) הופכת בדרך כלל לכיסויים מתקדמים (מסוגלטרה-Dconducterects) לכיסויים מתקדמים (מסלולאריים) מ-Dconducter Defsetrasedects-CM-Ricollower Defresdecter Defintrad Defer Defisto-Ricoltarto-Ride) מ-Riclasted אלקטרו-Ride) מ-Ride הנוכחי, בדרך כלל, בדרך כלל, בדרך כלל, בדרך כלל, זרם (Dconducterecter Defresponsed Defresects) מלמטה-Ridestoltrastoltrastoltrastoltrastated אלקטרו-Ride זרם (Dconducterecterto-Ridest

[]ההדגשה היא שזרם ההטיה אינו ערך יחיד אלא הפצה: שני קלטות של דגימה אמיתית מדגימות מעט זרמים שונים, הממוצע של זרמים אלה הוא זרם הטיות הקלט: IFLT:0BirFLT 1=(IFLT: 2B+FLT 3) 3.

גליונות נתונים מציינים הטיה הנוכחית בתנאים ספציפיים - באופן חד-משמעי ב 25 מעלות C עם מתח משותף מוגדר - אבל הערך האמיתי סחף עם טמפרטורה, מתח אספקה, והזדקנות. עבור מגברי דו קוטבי, זרם הטיה נוטה להיות גבוה יותר (אנואמפ למיקרו-אמפים) אבל יכול להיות בוטל פנימי. עבור FET ו CMOS מגבר, זה פקודות של גודל רחב יותר (דגמי טמפרטורה נמוכה יותר) אבל לעתים קרובות עבור כל צומת- 10 מעלות צלזיוס).

Bpolar, JFET ו-CMOS Input Stages: Trade-offs

טכנולוגיית שלב הקלט קובעת לא רק את גודלו של IFLT:0BirFLT ( 1:1), אלא גם את התנהגותו עם טמפרטורה, מתח משותף-מודה, ומתח אספקה.

(FLT:0)בי קלט קוטביים 1FLT (בדרך כלל יש IFLT:2BreaFLT 3: 3 בטווח של 10nA ל 1 μA, עם כמה עיצובים סופר-ביטה להשיג רמות תת-nanoamp.2Bits הנוכחי שלהם ירידה עם טמפרטורה נשאר יציב יחסית עם מתח משותף, מה שהופך אותם מתאימים למקורות עם מוגבלות, אך למעשה, הוא פריימים של ⁇ , כמו ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ , אך ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇

(FLT:0)JFET קלטות 1FLT מציע ירידה דרמטית: טיפוסי IveFLT:2BFLT 3 ערכי 1 pA ל 100 pA בטמפרטורת החדר. זרם דליפות שער נשלט על ידי הטיה לאחור של צומת השער ומגדיל באופן אקספוננציאלי עם טמפרטורה.

(FLT:0 CMOS קלטותFLT:1 יריב JFET בטמפרטורת החדר (10 fA עד 10 pA) אבל הם רגישים עוד יותר לטמפרטורה; דליפת שער ממבני הגנה ESD יכולה לשלוט בטמפרטורות גבוהות. תהליכי CMOS מודרניים עם בידוד דיאלקטרי ובודד עמוק תעלה עוד יותר להפחית את הדליפה.

(הנוכח) – ההבדל בין שני זרמי ההטיה הקלט – הוא לעתים קרובות משקיף אך יכול להיות מזיק יותר מאשר זרם ההטיה הממוצע.במגפי דו קוטבית, זרם ההתחלה הוא בדרך כלל 10-20% של IBuildFLT:0BibFLT:1 ונשאר יציב יחסית. in JFmatch ו-CMOS, מהפך הנוכחי יכול להיות חלק קטן של ILT2B3, אך עשוי להיות נמוך יחסית, אם כי הוא לא פחות ממזג אווירי, אם כי הוא גבוה, אם כי הוא גבוה, אם כי הוא זרם לא ניתן לראות, אם כי הוא גבוה, אם כי הוא גבוה, אם כי הוא גבוה, אם כי הוא גבוה, אם כי הוא נמוך יותר, אם כי הוא גבוה, אם כי הוא נמוך יותר, הוא יכול להיות נמוך יותר, אם כי הוא גבוה, אם כי הוא נמוך יותר, אם כי הוא נמוך יותר, אם כי הוא נמוך יותר, אם כי הוא נמוך יותר, אם כי הוא נמוך יותר, הוא גבוה, לעומת זאת, אם כי הוא נמוך יותר מאשר זרם הטמפרטורות לא ניתן לראות, הוא נמוך יותר, לעומת זאת, הוא נמוך יותר, אם כי הוא נמוך יותר, הוא גבוה, הוא זרם לא ניתן לטמפרטורות לא ניתן יהיה, אם כי הוא יכול להיות טמפרטורות זרם הטמפרטורות זרם

כיצד לחשב את הסכם המדידות הנוכחי

(ה) מנגנון השגיאה הבסיסי הוא פשוט: כאשר זרם ההטיה של IFLT:0reaB (FLT:0reaB) 1 (הראשונה ל-) ,2SofFLT 3 בסדרה עם קלט של דגימה, הוא מפתח מתח VFLT:4FLT: 5=IFLT:63=R ⁇ 7 × ZLTS ⁇ S) מ- 10 ל-A {\displaystyle 1 מ-A {i}}, ו-A} מ-i {\displaystyle 1=R} מ-A {3=R} .

ההשפעה של זרם הטיה משתרעת מעבר להתפרצות סטטית של DC. היא אינטראקציה עם כל התנגדות ברשת משוב וקלט, יוצרת רעש תרמי (ג'ונסון) ורעש ירי, סחף עם זמן וטמפרטורה, ויכולה ליישב שלב מגבר או חיישנים זמניים קפיפטיים.

המונחים: Common Circle Toהתנצלות

הבנת האופן שבו הטיות הנוכחית באה לידי ביטוי בתצורה של מגבר פופולרי מסייע למעצבים לצפות ולמזער שגיאות.חשבו על שלושת המתח הבסיסי המגבר להתנצלות:

  • (ב) [[1924]]]] [[1924]]]]]] [[1924]]]]]]]] [[1924]]]]]]]] [[1924]]]]]]]] [[1924]]]]]]]]]]]]]]]] [[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]] [[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]] [[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]] [[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]] [[1924]]]]]]]] [[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]] [[1924]]]]]]]]]] [[1924]]]] [[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]] [[1924]] [[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]] [[1924]]]]]]]] [[1966]]]]]]]] [[1924]] [[1924]] [[1924]]]]]]]] [[1924]]]]]]]] [[1924]]]]]]]]]] [[1924]] [[1924]] [[[[1924]] [[1924
  • (ב) [ה]התערות: [ה] [ה] [ה]] [ה] [ה]] [ההה]]], [ההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההההה
  • (FLT:0) מגבר ומכשירים מגבר: FLT:1 במעגלים אלה, שני נתיבי קלט לעתים קרובות יש תנודות מקור שונות.גם אם זרם ההתחלה של הדגמת הוא אפס, התנגדות ממקור בלתי שווה להמיר את ההטיה הנוכחית לשגיאה שונה כי הוא מגבר על ידי התגברות שונה, ולכן יש לציין כי לעתים קרובות מספיק פרמטרים של AD-82 יש צורך להתאים את הנטיות הנוכחי לשגיאה הנוכחית באופן קבוע, כי הוא רק עם השליליתנה אחת, כי הוא רק פרמטרים, כי הוא למעשה, כי הוא אחד מהם הוא אחד משקף את הגרסאות שונות, כי הוא למעשה, כלומר, כלומר, כי הוא רק פרמטרים, כי הוא רק פרמטרים, כי הוא רק פרמטרים, אם זה יכול להיות יעיל של שלוש פעמים רבות יותר מאשר "שלוש תכונות שונות של הטיות, אם זה יכול להיות משקף את הנטיות, אם זה יכול להיות יעיל של ההסתברות טובה יותר מאשר "מתאים את הנטיות, אם זה רק פרמטרים, אם זה יכול להיות משקף את הנטיות הנוכחיות, אם זה, אם זה, אם זה, אם זה, אם זה, אם זה, אם זה, אם זה רק פרמטרים, אם זה רק פרמטרים"

אינטראקציה עם מקור

כל חיישן או אות עם התנגדות גבוהה של האנבן הוא מיד פגיע. ⁇ ⁇ ⁇ , בדיקות pH, photodiodes במצב photovoltaic, חיי לחות קיבוליבי, ואפילו thermocouples עם ריצות כבל ארוך יכול להציג עשרות megohms או יותר. לדוגמה, חיישן אדפטי גבוה עם 100 M ⁇ פנימי התנגדות ו- nA רואה הטיה הנוכחי מכווץ ביעילות את השגיאה זרם רק על ידי חיישן זרם יעיל.

מקורות Capacitive מציגים אתגר שונה.אם זרם ההטיה אין דרך DC לקרקע, הוא ישלב על הכניעה, מה שגורם למתח קלט להיסחף עד שהוא יסיט את המגבר.זו הסיבה לכך שמגברים מדויקים לחיישנים קיבוליים (לדוגמה, מגברי מטען) דורשים התנגדות גבוהה מפורשת או מנגנון איפוס למתן מסלול DC לנטייה הנוכחית: העיוות הנוכחי כרוך בירידה של השגויה, אך כרוך בתוצאה של השגויה גבוהה יותר של המנוגדת זמן-ה, אך היא נמוכה יותר.

טמפרטורה ו-Bas Current Drift

(הטיה קלט קוטבית בדרך כלל יורדת עם טמפרטורה עבור מכשיר נתון, אבל ב FET ו CMOS מגבר, השער דליפה נוכחית FLT:0) , 000 000 מ"מ:1 באופן אקספוננציאלי עם טמפרטורה. A CMOS מאופיין ב 10 fA ב 25 מעלות צלזיוס עשוי לעלות ל 10A ב 85 מעלות צלזיוס - עלייה כפולה עבור מערכות הפעלה מעל טווח זה של טמפרטורה, 000 מעלות צלזיוס, לעתים קרובות, 000.

הטמפרטורות coefficient of הטיה זרם הוא לעתים רחוקות מוגדר ישירות בגליונות נתונים, אבל ערכים הגרועים ביותר ניתן להסיק מן המרבי המפורט IFLT:0BoriFLT:1 ב 25 מעלות צלזיוס ובטמפרטורה התפעולית המקסימלית.כלל עיצוב של אגודל עבור מגברי CMOS: נניח כיטי הנוכחית כל 10 מעלות צלזיוס.

תרומות מ-Bas Current

(ב) שגיאות הטיות מציגות רעש פס רחב ורעש נמוך.רעש הירי הקשור לזרם ההטיה יש צפיפות ספקטרלית של iHzFLT:0nFLT:1= ⁇ (2qIFLT:2BIRS) עם זרם גבוה של 1/10/FLT) כאשר Q הוא בעל מטען אלקטרוני גבוה מאוד (1.602 × 10FLT:4-R:5) למתח גבוה של .

בתדרים נמוכים, מגברי CMOS רבים מציגים 1/f רעש בזרם ההטיה, אשר יכול להגדיל את רצפת הרעש על ידי גורם של 10 או יותר מתחת 100 הרץ. מגברות ממריצים משגשגות להפחית 1/f רעש, אך עשוי להציג החלפת חפצים.הבנת קשת הרעש של זרם ההטיה חיונית לתכנוןים כי חייב להשיג יחס גבוה לגוון גבוה לרעש בתדרים נמוכים, כגון מנעולים או המדידות DC.

מחקר: Photodiode Transimpedance Amplifier

דוגמה קלאסית היא המגבר המתפשט (TIA) המשמש להמיר photodiode הנוכחי לתוך מתח.כאן זרם הטיה של ה- תצלום ישירות מוסיף לתצלום הנוכחי.גם אם photodiode יוצר אות נוכחי של 10 nA, זרם הטיה של 1 nA מייצג טעות מדויקת של 10.com, כלומר, 10.10.1 ל- nA מייצג שגיאה מדויקת.

(ב) בתצלום: 0BirFLT:1 × Revolveir עם משוב התנגדות כדי ליצור פלטה של IMOFLT:0BibFLT 1 × RirFLT:2Fevolver 3 (עבור 10 מ"מ משוב מול 10 t) ובכך להפחית את דיוק 1FD (RLT) עם 1 PART) לעומת 100 μs (RLC) גבוה יותר מ-R.

מחקר: pH Probe Amplifier

בדיקות pH מציגות מזכר זכוכית אשר הדחף שלו הוא בדרך כלל 10 M ⁇ ל 1000 M ⁇ , בהתאם לטמפרטורה ומצב. זרם הטיה של nA באמצעות 100 M ⁇ ⁇ , 000 mV מ"מ עד 1000 M ⁇ , תלוי ב- pH קריאה על ידי כמעט 2 יחידות pH (כיוון שכל יחידה pH תואמת בערך 59 מ"ב ב 25 מעלות צלזיוס). אפילו 10A מוטה נוכחית של 1V מ"מ, כלומר, 1V, אך לעתים קרובות, אך ורק עבור רזולוציה של 1V 0.01 מטר, אך ורק עבור , אך ורק עבור , אך ורק עבור רזולוציה רגילה, אם זה יכול להיות טיפול רזולוציה של 1 מ"מ- 1 מ"מ- 1 מ"מ, אך ורק עבור 1 מ"מ- 1 מ"מ- 1 מ"מ- 1 מ"מ- 1 מ"מ- 1 מ"מ- 1 מ"מ- 1 מ"מ- 1 מ"מ) או 1 מ"מ, אך לעתים קרובות, אך ורק עבור רזולוציה גבוהה יותר מ"מ, אך ורק עבור 7.

הדחף הגבוה של בדיקת pH גם הופך את המעגל רגיש מאוד זרמי הדלפה PCB.משטח זיהום מן שאריות פלוקס, לחות, או אבק יכול ליצור שבילים דליפות כי מעל זרם ההטיה של המגבר עצמו הנוכחי.משמר את הקלט עם מגן מונע ושימוש PTFE (Teflon) לעמוד על הקשרים קלט הם פרקטיקות באיכות גבוהה של pH.

מקרה מחקר: חיובים Amplifiers for Capacitive Sensors

(ב) , חיישנים של כוח דינמי מייצרים פלט מטען כי חייב להיות מומר למתח על ידי מגבר מטען, בטופולוגיה זו, הכניעה של חיישן ואת הפילטר של ה- 1Fentis (ה-Fentis) מאפשר גישה גבוהה יותר (DV/DLT) ל- 1DV/Fentialphi) ל-Flowertenr (F) ל-Flowp) גבוהה יותר: 1=Flowp1=Fensation)

אסטרטגיות למזער את Input Bias אפקטים נוכחיים

הטיות מוטות קלט שגיאות נוכחיות דורש גישה רב-שכבתית פורשת בחירת רכיב, טופולוגיה מעגלית, פריסת PCB ובקרת סביבתית.אסטרטגיות הבאות מוכחות בתכנון אנלוגי גבוה.

בחירת מגברי נמוך-Bias-Current Operational Amplifiers

(הופנה מהדף CMOS-input mps בדרך כלל להשיג זרמים מוטהים במזח נמוך באופן לאין שיעור JFET-input ו-CMOS-input CMOS-input CMOS-input , חפש מכשירים עם בידוד דיאלקטרי או טכנולוגיות קלט מיוחדות המדכאות עוד מפרט מפתח כדי להשוות את המתח המקסימלי של IFalph: 1BR: 2.

(הערכת גליונות נתונים, ראה מעבר למספרים האופייניים: Ireaph:0Bibph 1 של 1 pA עשוי להיות מקסימום 10 pA ב 25 מעלות צלזיוס ו 100 pA ב 85 מעלות צלזיוס, ודא כי תקציבי השגיאה הגרועים ביותר case כוללים את ההשפעות הספציפיות הללו, כולל גם יציבות לטווח ארוך - זיהום על פני השטח יכול לגרום להטיה הנוכחית על פני יותר מ- 5 מעלות צלזיוס, כגון מכשירים מתקדמים:

משמר, מגן, ומניעת Leakage

ברמות של pmtoampere, דליפות PCB יכול בקלות לעלות על זרם ההטיה של המגבר. Moisture, אבק, ו- flux שאריות ליצור נתיבים עמידים גבוהים מן הקלט לנקודות כוח או אותות סמוכים. טבעת שומר - עקבות התנהגותיים המונעים לאותו מתח כמו קלט, מחלחלים את ההבדלים הגבוהים של רפלקציה גבוהה-לידיים את הגוון התחתון של רפלקציה (לעתים קרובות) של צבעים קצרים של רפויטים).

מעבר לדירקטוריון, שקול את כל נתיב האותות. Connectors צריך להיות PTFE-inulated, וכל כבל חייב להיות נמוך-נוי, מוגן, ולעתים מונע עם מגן שמירה.הומניפולציה נשלטת באמצעות ציפוי קונפורטיבי או איטום אמפטי יכול לייצב דליפה.

הקטנת הדחף שנראתה על ידי האינקוויטים

אם החיישן עצמו לא יכול להשתנות, הטופולוגיה המעגלית יכולה לפעמים להפחית את הדחף האפקטיבי.לדוגמה, באמצעות מגבר חיץ עם מוטה נמוכה שהוצבה קרוב החיישן מצמצם את ההתפוגגות של השלבים הבאים.מגפיים יכולות גם להעלות את הדחף ולהקטין את הזרם הנמשך מהמקור, אך לא מבטל את ההטיה הנוכחית של ה-buffer עצמו.

ברשתות משוב התנגדות, לבחור ערכי התנגדות נמוכים יותר כדי להפחית את הירידה המתח מן הזרם ההטיה.עבור מגבר טרנססרמנט, משוב קטן יותר מתנגד פחות פלטה, אבל זה גם מוריד רווח. A T-network יכול להשיג עמידות גבוהה עם מפגין נטייה גבוהה עם פחות מתנגדים פיזיים, אבל זה מדגימה את הקלט של הדגמה ממתח ורעש; ניתוח זה נדרש כדי להבטיח את השגיאה הטובה ביותר של 10V הוא רק עם הפחתת ההסתברות גבוהה יותר עם ה- 10.

ביטול ופיצול הנוכחיים

בתוך ה- OP-amp עצמו, כמה עיצובים דו קוטביים משתמשים מעגלי ביטולים הנוכחיים של הטיה נטו הנוכחית לרמות נמוכות. עם זאת, תוכניות אלה לעתים קרובות תוצאה של זרם ה-Surual אשר יכול להיות גרוע יותר מההטיה המקורית הנוכחית אם המקור מעכב את הטיות הנוכחית לשיטות ביטול חיצוניות, כגון הוספת התנגדות מתאימה בסדרה עם הקלט השני כדי להשוות את טיפות - לעתים קרובות "מתאים" ל" שילוב הנוכחי של משובים לא ניתן להפחתה, אבל לא ניתן למנוע תגובה נוכחית, אבל לא ניתן למנוע תגובה אחת, או מקבילה, אבל לא ניתן למנוע תגובה אחת, אלא תגובה אחת, או מקבילה, לדוגמה, או מקבילה, כמו גם נגד מקבילה, או מקבילה, או מקבילה, או מקבילה, למשל, או מקבילה, או מקבילה, למשל, או מקבילה, עם השלילית, או מקבילה, עם השגויה, עם השגויה, או מקבילה, עם ה-לנגד מקבילה, עם ה-לנגד, או מקבילה, למשל, בניגוד לניגודיות, עם השגויה של מקבילה, לא ניתן למנוע תגובה אחת, לא ניתן למנוע תגובה אחת,

עבור מעגלים שבהם זרם ההטיה ידוע ויציב, הזריקה קטנה מן ממיר דיגיטלי-ל-אנטלוג נפרד (DAC) באמצעות התנגדות גדולה יכול לבטל את ההתחלה.גישה זו נפוצה בציוד בדיקה אוטומטיים ומערכות ריצוף דיוק, שבו שגרת אפס אוטומטי תקופתית יכול להתאים את התגמול הנוכחי כדי לבטל את משך הזמן והטמפרטורה.

צ'ופר ו- Auto-Zero Amplifiers

כולסטרול-התערות ואפס אוטומטי אפס מגבר כמעט לחסל מתח מכווץ ורעש flicker, אבל זרם ההטיה שלהם אינו בהכרח אפס. החלפת קלט מציגה הזרקת מטען שיכולה להתבטא כזרם הטיה יעיל של חיתוך מודרני מצמצם עיצובים זה באמצעות פיצוי מתקדם, וחלק משיגה את ההטיה של OCC ללא מרשם אוטומטי הנוכחי, מה שהופך אותם ל-ACTיביים עבור יישומים מדויקים מאוד.

טמפרטורה Stabilization ו- Calibration

אם היישום לא יכול למנוע סחף הטיה הנוכחי, לשקול לשלוט הטמפרטורה המקומית או לאפיין את הסחף בקושחה. חיישן טמפרטורה ליד המגבר מאפשר תוכנה ליישם עקומת תיקון המבוססת על זרם ההטיה לפני מחושת מול נתוני טמפרטורה.זה מעשי רק כאשר הסחף הוא חוזר והמערכת יכולה להרשות לעצמה מדידות תקופתיות. בחלק ממכשירי מעבדה, שלב קלט שלם ממוקם תנור טמפרטורה עמידת לטמפרטורה גבוהה כדי לשמור על דיוק פנימי ולוודא כימותקנן קבוע.

בסביבות הייצור, קליברציה בטמפרטורות מרובות יכול לאפיין את הסחף הנוכחי ההטיה לכל יחידה. נתונים אלה מאוחסנים בזיכרון לא-volatile ומשמשים לתיקון המדידות בתחום. גישה זו נפוצה במגוון רחב של מטר ויחידות חישוב מקור (SMUs) כי יש לשמור דיוק על טווח טמפרטורה רחב.

הנחיות עיצוב מעשיות עבור מעגלים נמוכים-Bias-Current

כדי להשיג ביצועים נמוכים-מבינים במקביל, בצע זרימת עיצוב מובנה:

  • (FLT:0)Quantify את תקציב השגיאה: FIRLT:1) לקבוע את המתח המרבי האפשרי ואת השגיאה הנוכחית מכל המקורות.לבטל חלק מהתקציב כדי לספוג שגיאות נוכחיות, בהתחשב בטמפרטורה הגרועה ביותר והזדקנות. הקצאה טיפוסית עשויה להיות 10-20% מסך השגיאה הכוללת לאפקטים הנוכחיים.
  • (ב) [ה]ה]: [ה]נבחר המגבר על בסיס TentiFLT:1] [A,MAXmaxcioFLT:2: [0Select] 3] אל תסמוך על ערכים טיפוסיים של חדר-הזמן, לזהות את ההטיה המקסימלית בטמפרטורה הגבוהה ביותר הצפויה ביותר ולוודא כי השגיאה המתקבלת מתאימה לתקציב.
  • (FLT:0)Model המעגל כולל כל נתיבים טפיליים: סימולציה 1:1 או חישוב אנליטית התרומות שגיאה בטופולוגיה בפועל.מנע מקור לסובלנות, התנגדות או תקלות, ואת ההשפעה של תחילת הנוכחי. השתמש ניתוח מונטה קרלו כדי להעריך את חלוקת שגיאות על פני יחידות ייצור.
  • (FLT:0) שפע של פריסת PCB חזקה:FreaLT:1) Dedicate רשת עבור צומת ריכוז גבוה, מקיף אותו עם טבעת שמירה המונעת על ידי התייחסות נמוכה (לעתים קרובות הפלט של חסיד), ולהפחית את אזור נחושת כדי להפחית דליפה. השתמש במשט זכוכית-פסוקס מחלחלות גבוהה או תת-שכבות לדליפה הנמוכה ביותר.
  • (FLT:0)Prototype ומדכא: FLT:1 גם עם סימולציה טובה, פריצה וזיהום יכול להרוס ביצועים. בנה לוח מבחן, לנקות אותו ביסודיות עם אלכוהול איזוטרופיל ומים מחוסנים, ו למדוד הטיה הנוכחית בעקיפין על ידי התבוננות בסחף על פני ערך גבוה ידוע התנגדות או על ידי שילוב הנוכחי על קפיטור מחושב עם מדידות מחושבות, אם יש צורך לבדוק את הדלנות הנוכחית של נתונים ספציפיים, לבדוק את הדלנות על פני דליפות על פני אפילציה על פני אפילציה על פני אפילציה על פני אפילציה על פני אפילציה.
  • (FLT:0) פיקוח סביבתי על:FLT:1 בייצור, ליישם ציפוי קונפורמנטלי, לסגור את המעגל, ואולי לכלול מחץ או מחמם כדי להסיע לחות.עבור מכשירים מתועבים שדה, לציין את הגבולות הסביבתיים בבירור בתיעוד המוצר. חיישן לחות יכול להזהיר את המערכת לתנאים שעלולים להדיח דיוק.
  • (FLT:0) ביצוע פעולות הסחר: ההרחבה: ההרחבה 1 (L-bias-הווה-amps) לעתים קרובות יש רעש מתח גבוה יותר, רוחב פס נמוך יותר, או שיעור סלסול מופחת.להבטיח שכל שרשרת האותות עונה על צרכים דינמיים. לדוגמה, מגבר CMOS עם 10 FA מוטה מוטה עשוי להיות מוצר מכווץ של רק 1Hz, מה שהופך אותו ללא תחליף לרכישות מהירות.

ניתוח פנים ביצ'ס הנוכחי במעבדה

(הופנה מהדף ההטיה בפועל של מעגל מורכב הוא צעד חיוני בתהליך העיצוב. שיטה נפוצה היא "מבחן הדגימה": לחבר את המגבר בתצורת buage עם קיבול ידוע C על הקלט, להבטיח כי אין דרך DC כדי לקבוע את קצב הפלט של 10VDVt, אשר אינו יכול להיות נמדד במדויק עם קיבולת של 10VFD2D / R.

טכניקה נוספת משתמשת התנגדות ערכית גבוהה (לדוגמה, 10 G ⁇ ) בסדרה עם הקלט.המתח יורד על פני ההתנגדות נמדד עם ננו וולטמטר, ו IveFLT:0BreaFLT:1 מחושב מחוק הומאמ's מתח חשמלי, המדידות האלה דורשות טיפול קיצוני כדי למנוע דליפות חיצונית.

מסקנה

זרם הטיה של Input הוא כוח שקט אך עוצמתי שמדליק את הדיוק של אפילו את מערכת המדידה הכי יפה.השפעתו משתרעת מהתפרצות DC פשוטה לאינטראקציות מורכבות עם אי-ציות מקור, טמפרטורה ודליפה PCBage. על ידי הבנת מקורותיה הפיזיים, מודל ההשפעה שלה במעגל ספציפי להתנצלות, וליישם שילוב של בחירת רכיב, שמירה, משמעת, פיצוי, טכניקות, מהנדסים יכולים למקד את התופעה האנלוגית בעלת ערך גבוה יותר של כל אחד של כל אחד של מצוינות פיזית גבוהה של כל אחד.