החלפת הפסדים בממירים המבוססים על MOSFET משפיעה באופן משמעותי על יעילות וניהול תרמי. חישוב נכון ומיניזציה של הפסדים אלה הם חיוניים לביצועים אופטימליים. מאמר זה מספק סקירה של שיטות להעריך ולצמצם את אובדן המעבר במעגלים אלקטרוניים כוח.

עקבו אחרי Switching Losss

הפסדים משתנים מתרחשים במהלך תקופות המעבר כאשר מעבורת MOSFET בין מדינות ומחוצה להן.הגורמים העיקריים המשפיעים על הפסדים אלה כוללים את מתח קוד הניקוז, מטען השער, והחלפת תדירות.הנוסחת הבסיסית להחלפת אובדן (PreaFLT:0swFLT:1) היא:

(ב) ויקרא י"ד:2 × ויקרא יט: ויקרא יט: ויקרא יט): "וְהִיא הוּא הוּא עַל עַל הָאָרֶץ" (ב' יט' יט' ויקרא יט' יט' ויקרא יט' יט יט' יט' ויקרא יט' יט"ד')

(ב) ויקרא י"ד: ויקרא י"ד): "וַיְהִיא אִם הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא עַמְתָּבְתָּעָה הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא הוּא

שיטות למזער אובדן Switching

הפחתת הפסדים כרוכה בכמה אסטרטגיות שמטרתן לנסח את התנהגות ההחלפה של MOSFET. אלה כוללים התאמת אותות כונן שער, בחירת מכשירים מתאימים, שינויים בעיצוב מעגלים.

אופטימיזציה של Gate Drive

שימוש בנהג שער עם רמות מתח מתאימות מבטיח מעבר מהיר, צמצום tFLT:0onuaFLT:1 ו tcioFLT:2offir 3 ההתנגדות בשער תקין יכול גם לשלוט במהירות המעבר כדי לאזן הפסדים והתערבות אלקטרומגנטית.

בחירת MOSFET מתאים

בחר MOSFET עם מטען שער נמוך (QIRLT:0 irgFLT) ומיומנויות מעבר מהיר.מכשירים עם פלט נמוך capacitance ותפקודי סף אופטימיזציה תורמים להפסדים של מעבר נמוך יותר.

טכניקות נוספות

  • יישום טכניקות מכופות רכות כגון מעבר resonant או אפס-voltage.
  • צמצום תדירות ההחלפה במידת האפשר.
  • שימוש ב snubbers או מעגלים נוסטלר כדי להגביל את ספייק מתח במהלך מעבר.