על-ידי התנגדות (RigFLT:0)ds(onentis)FLT:1) הוא פרמטר חשוב בהתקני MOSFET, המציין את ההתנגדות בין ניקוז למקור כאשר המכשיר מופעל.

הבנה על-ידי-Resistance

על-ידי הסגידה מושפעת מהתכונות הפיזיות של המכשיר ותנאי התפעול.זה משפיע על פירוק הכוח ועל ייצור החום ב-MoaFET. RevolveFLT התחתון:0ds(on)FLT:1 ערכים רצויים עבור יישומים בעלי יעילות גבוהה.

צעדים להבהרת אחריות

כדי לחשב את RibFLT:0ds(on)FreaLT:1, למדוד את המתח יורד על פני מסוף ניקוז ומקור כאשר MOSFET הוא מלא, ו לחלק על ידי זרם הניקוז.

(ב) ויקרא י"ד:2=ויראת ה': ויקרא י"ד:

שיקולים מעשיים

ודא כי מ"א-פא" פועל בתוך שערו המפורט כדי להשיג אמת על מצב הרוח.המתח ונוכח בתנאים יציבים כדי להשיג RcioFLT מדויק:0ds(on)FLT:1 ערכים גם משפיע על ההתנגדות; לבצע מדידות בטמפרטורה התפעולית המיועדת.

טיפים נוספים

  • השתמש יחידת רבמטר או יחידת חישוב מקור עבור מדידות.
  • לבצע בדיקות במתח השער מדורג של המכשיר.
  • מדידות שיא בזרמים שונים כדי לצפות לינאריות.
  • שקול אפקטים תרמיים במהלך בדיקות עתירי גבוה.