הבנת התנהגות S-Parameter בטמפרטורות גבוהות

רכיבי RF ומיקרוגל המשמשים באווירה, מטהר, תא מנוע הרכב, וכבשים תעשייתיים חייבים לשמור על ביצועים חשמליים מוגדרים בטמפרטורות מעל 300 מעלות צלזיוס. בקיצוניות אלה, הקבוע הדיאלקטרי של הרחבות תת-סטריטות, הפסדים מנצחים להגדיל, והתרחבות מכנית משנה את הממדים הפיזיים - כל שינוי ישיר של פרמטרים מתפזרים בטמפרטורות גבוהות אינו ניתוח שגרתי של זמן, דורש זיהוי מיוחד של עיצוב.

(ב) [15] ]] ]] ]] ]], [[1924]]]], [[1924]]]]]], [[1924]]]]]], [[1924]]]]]]]]]]]]]], [[1924]]]]]]]]]], [[1924]]]]]]]]]]]]]], [[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]], [[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]], [[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]] ו[[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]], [[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]], [[1924]]]]]]]], [[1924]]]]]]]]]]]], [[1924]]]]]]]]]], [[1924]]]]]]]] [[1924]]]]]]]]]]]]]]]]]]]], [[1924]]]]]]]], [[1924]]]]]] [[1924]]]]]]]]]]]] [[[[1924]]]]]]

מכניזם פיזי מאחורי ה-S-Parameter Drift

כמה מנגנונים פיזיים פועלים בו זמנית כאשר רכיב RF מחומם.הבנת שורש זה מסייע להפריד התנהגות מכשיר אמיתית מיצירות של חומרי תיקון.

אובדן התפוקה מגביר

ההתנגדות של מתכות כגון נחושת, זהב וכסף עולה עם טמפרטורה, העלאת ההתנגדות על פני השטח ולכן אובדן ההכנסה באורך יחידה. at 300 מעלות צלזיוס, התנגדות נחושת היא בערך פי שניים של ערך הזמני של החדר שלה.זה ישירות מקטין את הגורם האיכותי של resonators ואת יעילות קווי השידור.עבור קו מיקרו-סטריפ הפעלה ב 10GHz, אובדן עשוי להגדיל על ידי 0.2B לטמפרטורה של 200 מעלות צלזיוס.

המונחים: Dielectric Constant Variation

(הופנה מהדף קרמיקה ופולימרנית) מציגים את יעילות הטמפרטורה של הנימוס ( ⁇ FLT:003 εFLT:1) שינוי של רק כמה אחוזים יכול לשנות את תדירות המרכז של מסננים ואנטנות באופן סביר.לדוגמה, עלייה של 1 אחוזים ב εFLT:2rFLT 3 על מסנן 10GHz עשויה לעבור על ידי 50 טרה-Fate, 000 כגון חומרים ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇

התרחבות

ממדים פיזיים של קווי שידור, resonators, ואת פערים הפיכה להשתנות על ידי כמה חלקים למיליון מעלות צלזיוס. מעל פני 200 מעלות צלזיוס, מחזר 10 מ"מ יכול להאריך מספיק כדי להעביר את פס קצה של מסנן פס צר על ידי כמה מגה-הרץ. coefficient של התרחבות תרמית (CTE) של חומר תת-המצע קובע את גודל ההשפעה הזאת.

תוצאות ניידות ב Semiconductors

במכשירים פעילים כגון GaN או SiC transistors, הטמפרטורה משנה את הניידות האלקטרונית, מתח הסף, ואת קיבולים parasitic. for GaN HEMTs, transconductance בדרך כלל יורדת עם טמפרטורה, מה שגורם לירידה ברווח (SigveFLT:021FLT:1) ושינויים אלה משתקפים בסימן קטן ואופי אמין עבור עיצוב מדויק.

קשר וחיבור Degradation

רכיבה תרמית חוזרת יכולה להפיג מפרקי מכר, אג"ח חוט, וקשרי קשר קואקסיאלי באביב, המציגים הפסד לסירוגין או השתקפות של אנומליות כי masquerade כמו פרמטר מושרה טמפרטורה. Connector חמצון בטמפרטורות מעל 200 מעלות צלזיוס הוא מצב כשלון משותף.שימוש מחברים מplated זהב עם מגעים עם beryllium-copper ושמירה על חנק חנק חנקן יבש יכול להפחית את הבעיה הזו.

בחירת ציוד מבחן למדידות RF חמות

רשת Vector Network Analyser

(הופנה מהדף VNA מודרני עם טווח דינמי מספיק ( ⁇ 100 dB) ובקרת רוחב פס ביניים של ביניים הוא הכלי הליבה. המדידות הירומליות לעתים קרובות כרוכות בכבלים ארוכים בין אזור הזמן הנשלט לבין המנתח, כך פיצוי כבל וניתן לקבוע את יכולת ההטיה של שלב ה-DVatevedation הוא בעל ערך.

מבחן טמפרציה High-Temperatures

(לא מגנטי, יציב מבחינה תרמית ריצוף עם מסה תרמי נמוך הוא אידיאלי חומרים כגון נירוסטה פלדה או קובאר נבחרים עבור קבלן ההתרחבות שלהם coefficients התנגדות קורוזיה.התיקון חייב לספק שיגור חוזר ממחברים קואקסיאליים בצד הקר לתקני סיליקון תחת בדיקה (DUT) בצד החם.

חדר טמפרטורה או Furnace

תנור מעבדה עם יכולת רופפת-and-soak, מחזור אוויר מאולץ, ונפח עבודה גדול מספיק עבור התקנון הוא חובה. אחידות טמפרטורה בתוך התא צריך להיות ±1 ° C או טוב יותר, מאומת על ידי מדחום מעוקל שהוצב קרוב ל DUT ככל האפשר. Locate את DUT הרחק מן קירות ואלמנטים חימום כדי למנוע חימום חנקן, כדי למנוע חנקן כדי למנוע חנקן כדי למנוע חנקן כדי לרפא את החמצן.

תקני איכות לסביבה חמה

תקני Open-load-באמצעות קצר (OSLT) חייבים להיות recharacterated בכל נקודת טמפרטורה אם הם לא יכולים להיות ממוקמים בתוך התא. תקן הזהב הוא להשתמש ערכות קרטון תיקון אשר מודלים חשמליים שלהם כבר פרמטר מול טמפרטורה קדחתנית (ד'ור-דפלק) כי יש צורך במיוחד עבור עבודה עתירה גבוהה כי זה צריך להיות פרמטר קבוע קו קבוע של קו קבוע של קו צמצם, כי הוא רק קו קבוע של קו קבוע של קו קבוע של קו צמצם, סטנדרטי של קו צמצם, אשר ניתן להגדיר סטנדרטי של קו קבוע של קו קבוע של קו קבוע - סטנדרטי של קו קבוע של קו קבוע - סטנדרטי של קו קבוע של קו קבוע של קו צמצם סטנדרטי של קו צמצם סטנדרטי של קו קבוע של קו צמצם - סטנדרטי של קו קבוע של קו קבוע של קו קבוע של קו קבוע - סטנדרטי של קו קבוע - סטנדרטי של קו צמצם - סטנדרטי של קו צמצם - סטנדרטי של קו צמצם - סטנדרטי של קו קבוע - סטנדרטי של קו קבוע של מערכת סטנדרטי של קו קבוע רזולוציה - סטנדרטי של קו קבוע של קו קבוע של קו קבוע רזולוציה גבוהה של קו קבוע של קו קבוע של מערכת יחסים סטנדרטי של מערכת יחסים סטנדרטי של קו קבוע רזולוציה - סטנדרטי של צמצם - סטנדרטי של רזולוציה - סטנדרטי של רזולוציה-

אסטרטגיות להורדת אמצעי חימום חמים

קליברציה היא הצעד הרגיש ביותר במדידות S-parameter בטמפרטורה גבוהה.העברת מטוס ההתייחסות מהמחברים הקדמיים של VNA לממשק DUT דורש גירוד תרמי זהיר.

חדר-Temperature Calibration with De-embedding

הגישה הפשוטה ביותר מחלחלת לטמפרטורת החדר עם ערכת קואקסיאלי סטנדרטית, ולאחר מכן מטביעה את תיקון הניסוי באמצעות מודל תיקון שני אלקטרוני מופק ממדידות נפרדות על גבי תגובות קלמנטציה סטנדרטיות.שינויים הנגרמים בטמפרטורה נתפסים על ידי חזרה על הסימון בכל טמפרטורה.

החלפת קלבריה בטמפרטורות

סימולציה של קטבורד קטן - המכיל על תצורה של שלב ± תקני TRL תיקון - לצד התא ו calibrating ישירות בטמפרטורת המדידה מניב את הדיוק הגבוה ביותר.מטוסי ההקצאה של VNA לתקני הבטחה האלקטרומגנטיים נדרשים לכדי מטוסי ההתייחסות המדויקים של DUT ללא עיבוד.טכניקה זו דורשת כי הסטנדרטים של caliation הם ידועים בטמפרטורה סטנדרטית של C.

תיקון לאחר-Measurement עם המודלים הירומאליים

אסטרטגיה ביניים משתמשת בדלבריציה של חדר, מודדת את DUT בטמפרטורות שונות, ולאחר מכן חל תיקון מבוסס תוכנה המסתמך על מודלים תרמיים טרום-כריזמים של ה- S-parameter של ה- ריצוף וכבלים.טכניקה זו דורשת ספרייה של תיקון S-parameters בטמפרטורות מרובות ויכולה להיות אוטומטית באמצעות נהגים או תסריטים.התיקון מוחל על ידי שינוי של רכיב נמדד כדי לתקן את הנתונים המדויקים של ה-DUTreturative הוא פחות מ-Dinterture הוא פחות מטמפרטורה.

(FLT:0)Important: 1FLT כאשר משתמשים בשקיקה מתאימה, לאפשר את תקני החשקה להגיע לאיזון תרמי - באופן זמני 15-30 דקות לאחר טמפרטורת התא דקירה - לפני רכישת המדידות הקלות.

ביצוע מדד S-Parameter High-Temperature S-Parameter

  1. (FLT:0) צ'רקטיר כבלים ותאים.BuildFLT:1 מודד את ה- S-parameter של כל הכבלים והתאים אשר ישלבו את המעבר הישן חם.רשם את תגובתם בטמפרטורת החדר ובכמה טמפרטורות גבוהות לבנות ספריית תיקון אם לאחר עיבוד ישמשו. לשים לב לשלב; אפילו שינוי קטן באורך כבל עקב התרחבות תרמי יכול לגרום לשגיאות משמעותיות בתדרים מיקרוגל.
  2. (FLT:0) להרכיב את התיקון עם תחליף DUT מאומת.FLT ( 1:1) הכנס מוכר קצר-circuit או קו ישר-דרך כדי לוודא כי תיקון הבדיקה אינו מציג שום חידושים בלתי צפויים או מגעים לסירוגין. בצע בדיקה אחת-פורט משקפת בדיקה ובדיקה של שני-port על VNA.
  3. (FLT:0)Choose והוצאה להורג את ה- calibration.cioFLT:1 בהתאם לדיוק הרצוי, לבצע ב-Situ TRL או OSLT calibration בנקודת הטמפרטורה הראשונה.חסוך את מערך ה calibration להשוואה סטטיסטית מאוחרת יותר.אם באמצעות OSLT, לאמת את ההתנגדות של ה-DC בטמפרטורה - צריך להישאר בתוך 0.1% של 50 ⁇ .
  4. (FLT:0)הר ה DUTura.FLT:1 עקוב אחר מפרט torque עבור מחברים קואקסיאליים אם התיקון משתמש בהם; עבור בדיקות לוח, להבטיח לחץ עקבי המצורף a thermocouple ל-DUT נושאת או מטוס קרקע הסמוך לקריאה טמפרטורה מקומית מדויקת.
  5. (ב) [13] ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  6. (FLT:0) Acquire S-parameters.IRLT:1 , להגדיר את VNA עבור טווח התדר הנדרש, רוחב פס IF (10-100 הרץ מומלץ עבור עקבות בעלות נמוכה), ומספר נקודות ( ⁇ 1601) ממוצע לפחות 8 גורפים למדידה כדי לדכא רעש אקראי.
  7. (FLT:0)Repeat לכל נקודות הטמפרטורה.FirLT:1 , שלב נקודת המקבע של התא, השרות, ומדורגות.עבור מכשירים צפויים לפעול בטמפרטורה חמה אחת, לרכוש נתונים במהלך חימום וקור לאחור כדי לבדוק את היסטריה.אם היסטריה נצפתה, זה עשוי להצביע על מתח מכני או שינויים חומריים.
  8. (ב) [ה]] [ה]] [ה]], לאחר השלמת פרופיל הטמפרטורה, חזרה לטמפרטורה ההתייחסות (למשל, 25 מעלות צלזיוס) ו[מחדש] כדי לאשר כי ה-DUT לא השתנה לצמיתות.שינוי של יותר מ- 0.2 dB ב-SLT:221FLT 3] או 5 מעלות בשלב זה מרמז על השפלה או נזק חומרי שעדיין לא ניתן לבדוק את הפחתתו.

מידע על Thermal S-Parameter

Raw S‑parameter files from a thermal sweep contain richמידע שניתן לפרש אם אפקטים תיקון אינם מוסרים.ליישם תיקון מחיקה או תיקון של נמל תחילה.

  • (FLT:0) אובדן של שימור מול הטמפרטורה.FirLT:1 Plot | SFreaLT:2 21)21FLT 3:) במספר תדרים: עלייה ליניארית בהפסד עם טמפרטורה מעידה על אובדן מוליכות מתכתית, בעוד קפיצה פתאומית עשויה לסמן חוטי קשר לסירוגין או מחבר.
  • (ב) ,0) שינוי תדירות התדירות של ה-FLT:1ure עבור מסננים ואנטנות, לעקוב אחר תדירות ה- SFLT המינימלי:211FLT 3 או מקסימום SIRFLT:421FLT:5 Fit את המעבר למודל פולינומי; המקדם של התרחבות תרמית וקצב הטמפרטורה של קיבולת ניתן להפריד עבור ביצועים צרים, אפילו 0.5%, אפילו יכול לגרום להפחתה משמעותית.
  • (FLT:0Group מעכבת וריאציות.FLT:1) מדרונות תלויות טמפרטורה לחשוף שינויים באורך החשמלי.קבוצה גדולה מעכבת וריאציות במערכת פס צר יכולה לגוון את השלמות של אות, גם אם התגובה גודל נראה יציב.
  • (FLT:0) גורם היציבות של ההרחבה (Stability factor) 1 (FLT:1) למקם את גורם יציבות רולט K מה- S-parameter חם. מכשירים פעילים יכולים להיות יציבים או oscillate בתנאי חום, כך K חייב להישאר מעל 1 עם שוליים מספיקים על פני כל הלהקה.

נתוני החנות ב- Touchstone (ראה FLT:0) פורמט עם הערות הכוללות את שיטת טמפרטורה ו calibration. כלים רבים של סימולציה RF, כגון Keysight ADS ו Ansys HFSS, יכול לייבא קבצים פרמטרים פרמטר S כי הטמפרטורה גורפת, המאפשר ניתוח פינה של מערכות שלמות.

טיפים מעשיים למדידה אמינה

עקבו אחרי Air Integrity

השתמש כבלים שלב-stable של תא האכלה-דרך אל VNA, ולהימנע מלהעביר אותם במהלך הטאטא התרמי.אפילו שינוי שלב 1 מעלות ב 10 GHz בשל כיפוף כבל יכול להופיע כשינוי מעורר השראה המסיכה אפקטים טמפרטורה אמיתיים. Secure כבלים עם קלפי מתוח קצרים.

ניהול ה-VNA Ports

הפחתת האזור החם רק קרוב ל-VNA במידת הצורך.היט שערך לאורך כבלים קואקסיאליים יכול לחמם את המחברים של VNA, מה שגורם לסחף איטי. השתמש בפסקאות תרמיות - חלקים של קו קו קו קו קו קו קו קו קו קו קואקסיאלי נמוך יחסית - או קירור פעיל את האזור עם אוויר דחוס.

חשבון עבור Moisture ו- Outgassing

כאשר חימום מעל 100 מעלות צלזיוס, לחות לכודים בחומרים דיאלקטריים או על משטחים המחבר יכול להבהב קיטור, גרימת ספיגים עתירי גבוה זמניים או קשת. Bake החוצה את הריצוף בטמפרטורה מתונה (80-100 ° C) לפחות 30 דקות לפני הריצה בפועל.אם פועל מעל 300 מעלות צלזיוס, להבטיח כי כל החומרים בתוך התא מדורגים לטמפרטורה גבוהה ולא לצאת מתרכובות קורטוז.

כל מסמך

עבור כל קמפיין מדידה, להקליט את המספרים סידוריים של ערכת החריצים, מספרי חלקי כבל, מודל תאים, הגדרות VNA, סוגים thermocouple ומיקומים, ספוג פעמים, וכל אחד מהם נצפתה. metadata זה הוא יקר כאשר reexamining נתונים חודשים מאוחר יותר או כאשר השוואת תוצאות בין מעבדות. השתמש במחברת מעבדה או יומן דיגיטלי עם דגימות ותצלומים של ההתקנה.

הימנעות משגיאות מדידה נפוצות

  • (FLT:0) תחת ריצוף DUT.FIRLT:1 ; A thermocouple על הקיר תיקון אינו מבטיח את טמפרטורת הצומת DUT דקירה. השתמש מכשיר דומיה עם thermocouple מוטבע כדי לקבוע את זמן הספוג הנדרש בנקודת השחייה החמים ביותר, ולאחר מכן לאמץ את זמן הספוגה עבור כל המדידות מסיביות, ספוגות של 60 דקות או יותר עשוי להיות נחוץ.
  • (FLT:0) אוקסידציה של אנשי קשר.FLT:1ure בטמפרטורות מעל 200 מעלות צלזיוס, נחושת ואפילו מחברים מקודמים זהב עשויים להיות מחמצן אם האווירה התאית אינה נשלטת. פורג עם חנקן יבש או להשתמש במגעים עם ואקום אנקדונדז.
  • (FLT:0Ground לולאה רעש.FLT:1 רץ כבל ארוך ומחממים תאים יכולים להציג זרמים קרקעיים נמוכים כי להעלות את רצפת הרעש VNA. השתמש בידוד אופטי על אוטובוסים בקרת GPIB או LAN, וכוח VNA ותא מעיגולים מרכזיים נפרדים עם ריצוף משותף בנקודה אחת.
  • (FLT:0) סחף במהלך הגרלות ארוכות.IRLT:1) במשך מספר שעות, אפילו קלמנט ייחודי יכול להיסחף עקב התרחבות המחברת. הכנס מדידות אימות קבועות (למשל, תקן קצר או פתוח) כל 10-15 דקות כדי לזהות. A סחף של יותר מ 0.05 dB או 0.5 מעלות באימות רגיל מצביע על צורך עבור החלמה.
  • (ב) [13] ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇

אימות תוצאות ואימות

(ה) קביעת אי הוודאות המדידה על ידי השוואת ה- S-parameters של מכשיר ההתייחסות הידוע - כגון סימולציה קצרת טווח של גלייד מגודל נמוך כמו Invar - בטמפרטורת החדר ובטמפרטורה גבוהה, כל סטייה מעבר לאי הוודאות המפורטת של המכשיר בתוספת התלות המוכרת של ההתייחסות מספקת שגיאות שיטתיות.

משאבים כגון FLT:0 (IEEE עסקאות על תיאוריית מיקרוגל וטכניקתות FLT:1 לספק מתודולוגיות מצופות עמיתים לניתוח אי ודאות במדידות RF בטמפרטורה גבוהה.

טכניקות מתפתחות ב High-Temperature RF Characterization

המדידה S-parameter מתפתחת במהירות.על--ההההה עם צ'ק מחומם מגיע כעת 500 מעלות צלזיוס, ומאפשרת אפיון ישיר של GaN ו-carbide Transistor חשוף מת. Vector-load-pull בטמפרטורה הופך להיות אפשרי עבור עיצוב מגבר כוח, המאפשר למהנדסים לסינון מקור ועומסים בטמפרטורות גבוהות עם טמפרטורות לא- CERDIRECT פתוח באופן אוטומטי.

בניית עיצוב RF High-Temperature RF

נתונים מקוצרים של S-parameter בטמפרטורות גבוהות דורש נישואים ממושמעים של הנדסה תרמית ומיקרוגל מטרולוגיה. על ידי בחירת התאמות מתאימות, ביצוע ריצוף החלפת בכל הזדמנות אפשרית, המאפשר זמני ספוגים נאותה, ואימות תוצאות באמצעות מדידות התייחסות חוזרות, מהנדסים יכולים לחלץ את המכשיר עם ביטחון.מודלים המבוססים על טמפרטורה וכתוצאה מכך מאפשרים עיצובים מערכת RF חזקים ביצועים קשים, צמצום של מודלים של תאים חשמליים, וביקוש חשמלי גבוה יותר ויותר לכשלים חשמליים.