הבנת התכונות הפנימיות והחיצוניות של חומרים מוליכים למחצה חיונית ליישום שלהם במכשירים אלקטרוניים.נכסים אלה משפיעים על האופן שבו מוליכים למחצה מנהלים חשמל ומגיבים לגירויים חיצוניים.

תכונות אינסטרוקטיביות של Semiconductors

תכונות אינטרינריות טבועות בחומר המוליכים למחצה הטהורים.הם כוללים פרמטרים כגון אנרגיית פערים של הלהקה, אלקטרונים וריכוזי חור, ו מוליכות חשמלית.

שיטות לנכסים אינטרינריים

כדי לקבוע את התכונות הפנימיות, השיטות הבאות משמשות בדרך כלל:

  • (ב) ⁇ :0 (Optical Absorption Spectroscopy:FLT) 1 מודד את אנרגיית הפער של הלהקה על ידי ניתוח ספיגת האור באורכי גל שונים.
  • (ב) [ה]התוצאה של ה-[[1924]]: [[1924]]]]]]]] ו[[1924]]]], [[1924]]]], [[1924]]]]]]]]
  • (ב) ⁇ :0) אימפולסיבית-המראה: ⁇ : 1:1 אסמס כיצד מוליכות חשמלית משתנה עם טמפרטורה כדי להפר התנהגות פנימית.

נכסים חיצוניים של Semiconductors

תכונות אקסטינסטיות מושפעות מזיהומים או דופינטים שנוספו למוליכים למחצה.נכסים אלה כוללים ריכוז דונט, סוג של מוליכות (n-type או p-type), שינויים בהתנהגות חשמלית.

שיטות ל-Determine Extrinsic Properties

הטכניקות הבאות משמשות לנתח תכונות חיצוניות:

  • (ב) [15] ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • (ב) ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • (ב) ,0) ,Capacitance-Voltage (C-V) פרופ': אנדרט 1:1 Determines dopant פרופילים ו- ריכוז ⁇ s.