כיצד לקבוע את ההתנגדות שכבת Semiconductor Layers פנימה מכשירי רנטגן

הבטחת ההתנגדות של שכבות סמי-מוליכים למכשירים סרטניים דקים היא חיונית להבנת התכונות החשמליות והביצועים שלהם.קביעת אישור מראש מסייעת אופטימיזציה של מכשירים ובקרת איכות.

שיטות למדידת התנגדות

טכניקות רבות משמשות למדידת ההתנגדות של שכבות Semiconductor למחצה.השיטות הנפוצות ביותר כוללות את שיטת המחקר של ארבע נקודות ואת טכניקת מדידה של שתי נקודות.הבדיקה של ארבעת נקודות מפחיתה את השפעות ההתנגדות ליצירת מגע, ומספקת תוצאות מדויקות יותר.

ארבע נקודות Probe Method

שיטה זו כוללת הצבת ארבע בדיקות חלליות באותה מידה על פני השטח למחצה. זרם עובר דרך הבדיקות החיצוניות, והמתח נמדד על פני המבחנים הפנימיים.התנגדות מחושבת באמצעות המתח הממדד והנוכח, בהתחשב בגיאומטריה.

המונחים:

ההתנגדות (R) יכולה להיות מחושבת באמצעות חוק הום: R=V / I, שבו V הוא המתח נמדד על פני המכשיר, ואני הנוכחי מיושם. עבור סרטים דקים, ההתנגדות של גיליון (Rs) משמש לעתים קרובות, המתייחס ההתנגדות באמצעות הגיאומטריה של הסרט.

גורמים המשפיעים על מידת ההתנגדות

• איכות מגע של בדיקות
• מידות של שכבת המוליכים למחצה
• טמפרטורה במהלך מדידה
• תנוחות הסרט