כתובת Parasitic Capacitances ב Mosfets עבור יישומים במהירות גבוהה

יישומים של מעבר מהיר דורשים שיקול זהיר של הציפוי הטפילות הטפיליות הטפיליות הטפיליות הטפיליות הטפיליות הטפיליות הטפיליות הטפיליות הטפיליות הטפיליות הטמונות במכשירים MOSFET. , אלה קפיאנטנס יכולים להשפיע באופן משמעותי על החלפת ביצועים, צריכת חשמל והתערבות אלקטרומגנטית.

הבנה של Capacitances Parasitic ב MOSFET

קפיאנטים Parasitic הם אפקטים קיבוליים בלתי מאוישים בתוך MOSFET המתרחש בין המסופים שלה.הסוגים העיקריים כוללים שער אל-מקור, שער אל-דרן, ו ניקוז-ל-למקור קפיאנטנס. אלה קמציות להשפיע כמה מהר aFET יכול לעבור על או כבוי, המשפיע על ביצועי המעגל הכללי.

השפעה על High-Speed Switching

ביישומים מהירים, קיבולים טפיליים יכולים לגרום לעיכובים בתקופות מעבר, להגביר את הניתוק כוח, וליצור רעש אלקטרומגנטי.אפקטים אלה הופכים בולטים יותר בתדרים גבוהים יותר, שבו טעינה מהירה וניתוק של הכנפיים להתרחש.

אסטרטגיות ל- Mitigate Parasitic Capacitances

מספר טכניקות יכולות להפחית את ההשפעה של קיבולים טפיליים:

• (ב) ,0) בחירת ה-Device:03:1) בחר מ-MoaFET עם מטען שער נמוך ואופטימיזציה של ג'ממטות.
• (FLT:0)Layout Optimization: FLT:1 מינימלי מטיפים צנחנים טקטיים באמצעות PCB קפדני ופריסת מכשירים.
• (ב) ,0) עיצוב כונן: 1FLT השתמש בנהגי שער עם מתח מתאים ויכולות נוכחיות כדי לגבות במהירות ולשחרר את השער.
• (ב) ⁇ :0) , ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇